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公开(公告)号：CN112174194A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010968651.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电子材料领域，公开了一种锰掺杂全无机钙钛矿二维纳米片及其制备与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)将氯化锰和氯化铅溶解于十八稀中，加入表面活性剂油酸和油胺，得到氯化锰和氯化铅的前驱体；将乙酸铯溶解于十八烯，加入助溶剂油酸，完全溶解后得到铯前驱体；(2)将步骤(1)得到的铯前驱体加入到氯化锰和氯化铅的前驱体中，在100℃的条件下，保温1min；然后冰浴10s，即可得到掺锰全无机钙钛矿二维纳米片。本发明通过对制备方法进行改进，制得的锰掺杂全无机二维钙钛矿纳米片的发光效率达到53％，与现有技术相比能够有效解决锰掺杂全无机二维钙钛矿发光效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN108728089A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810458026.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C09K11/665 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法。该制备方法为将铅盐和氯化锰溶解后，在80℃-110℃条件下加热，得到卤素前驱体；将铯盐溶解后得到铯前驱体；将铯前驱体加入到卤素前驱体中，在80℃-110℃的条件下加热，即得到掺锰无机卤素氯钙钛矿量子点。本发明提供了一种不需惰性气体保护，且在较低温度下大产率制备掺锰无机卤型钙钛矿量子点的方法，不仅降低了制备成本，并且提高了制备效率，量子产率高达62.41％，比目前最高的热注入法的54％，高出12.41％，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108504356B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201810457605.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法与应用。该制备方法为将铅盐和氯化锰溶解后，在80℃‑110℃条件下加热，得到卤素前驱体；将铯盐溶解后得到铯前驱体；将铯前驱体加入到卤素前驱体中，在80℃‑110℃的条件下加热，即得到量子点溶液；再将该量子点溶液进行纯化，即得到掺锰无机卤素钙钛矿量子点。本发明提供了一种不需惰性气体保护，且在较低温度下大产率制备掺锰无机卤型钙钛矿量子点的方法，不仅降低了制备成本，并且提高了制备效率，可用于大规模生产。该量子点应用于隐形墨水效果好，书写方便，且隐形效果稳定；且由于掺锰以后，热稳定性大幅提高，毒性大幅降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108504356A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810457605.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法与应用。该制备方法为将铅盐和氯化锰溶解后，在80℃-110℃条件下加热，得到卤素前驱体；将铯盐溶解后得到铯前驱体；将铯前驱体加入到卤素前驱体中，在80℃-110℃的条件下加热，即得到量子点溶液；再将该量子点溶液进行纯化，即得到掺锰无机卤素钙钛矿量子点。本发明提供了一种不需惰性气体保护，且在较低温度下大产率制备掺锰无机卤型钙钛矿量子点的方法，不仅降低了制备成本，并且提高了制备效率，可用于大规模生产。该量子点应用于隐形墨水效果好，书写方便，且隐形效果稳定；且由于掺锰以后，热稳定性大幅提高，毒性大幅降低。
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公开(公告)号：CN112174194B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010968651.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光电子材料领域，公开了一种锰掺杂全无机钙钛矿二维纳米片及其制备与应用，其中制备方法包括以下步骤：(1)将氯化锰和氯化铅溶解于十八稀中，加入表面活性剂油酸和油胺，得到氯化锰和氯化铅的前驱体；将乙酸铯溶解于十八烯，加入助溶剂油酸，完全溶解后得到铯前驱体；(2)将步骤(1)得到的铯前驱体加入到氯化锰和氯化铅的前驱体中，在100℃的条件下，保温1min；然后冰浴10s，即可得到掺锰全无机钙钛矿二维纳米片。本发明通过对制备方法进行改进，制得的锰掺杂全无机二维钙钛矿纳米片的发光效率达到53％，与现有技术相比能够有效解决锰掺杂全无机二维钙钛矿发光效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN109231262B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201811243674.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种直接合成立方相CsPbI3纳米线的方法，包括以下步骤：(1)将乙酸铯溶解于溶剂中，加入助溶剂油酸类物质，完全溶解后得到铯前驱体；将碘化铅溶解于溶剂中，加入表面活性剂油酸类物质和油胺类物质，在T1下保温得到碘化铅的前驱体；(2)将铯前驱体分两次加入到碘化铅的前驱体中，具体是先将一部分铯前驱体加入到碘化铅的前驱体中；然后升温至T2，接着将剩余的铯前驱体再次加入到该碘化铅的前驱体中，继续保温，即可得到立方相的铯铅碘纳米线。本发明通过对合成方法整体流程工艺设计等进行改进，分两次将铯前驱体与碘化铅前驱体反应，在较低温度下即可制备立方相铯铅碘纳米线。
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公开(公告)号：CN108728089B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201810458026.9
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法。该制备方法为将铅盐和氯化锰溶解后，在80℃‑110℃条件下加热，得到卤素前驱体；将铯盐溶解后得到铯前驱体；将铯前驱体加入到卤素前驱体中，在80℃‑110℃的条件下加热，即得到掺锰无机卤素氯钙钛矿量子点。本发明提供了一种不需惰性气体保护，且在较低温度下大产率制备掺锰无机卤型钙钛矿量子点的方法，不仅降低了制备成本，并且提高了制备效率，量子产率高达62.41％，比目前最高的热注入法的54％，高出12.41％，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN109231262A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811243674.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C01G21/006 , B82Y30/00 , C01P2002/80 , C01P2004/03 , C01P2004/16
Abstract: 本发明公开了一种直接合成立方相CsPbI3纳米线的方法，包括以下步骤：(1)将乙酸铯溶解于溶剂中，加入助溶剂油酸类物质，完全溶解后得到铯前驱体；将碘化铅溶解于溶剂中，加入表面活性剂油酸类物质和油胺类物质，在T1下保温得到碘化铅的前驱体；(2)将铯前驱体分两次加入到碘化铅的前驱体中，具体是先将一部分铯前驱体加入到碘化铅的前驱体中；然后升温至T2，接着将剩余的铯前驱体再次加入到该碘化铅的前驱体中，继续保温，即可得到立方相的铯铅碘纳米线。本发明通过对合成方法整体流程工艺设计等进行改进，分两次将铯前驱体与碘化铅前驱体反应，在较低温度下即可制备立方相铯铅碘纳米线。
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