公开(公告)号：CN109659272B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201811506264.9

申请日：2018-12-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汤自荣 ,  李俊杰 ,  梁琦 ,  史铁林 ,  冯辰 ,  廖广兰

IPC: H01L21/768 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于铜互连键合技术领域，更具体地，涉及一种基于可自修复铜纳米颗粒浆料的低温铜铜键合方法。该方法包括下列步骤：(a)配制可自修复的铜纳米颗粒浆料，其中包括将铜纳米颗粒在甲酸中预处理，以及将预处理的铜纳米颗粒与还原剂、表面活性剂和粘度调节剂的混合溶剂混合；(b)将可自修复的铜纳米颗粒浆料均匀涂覆在两块铜基底之间，以此形成待键合样品，在真空或者惰性气体氛围中，使得可自修复的铜纳米颗粒浆料中的铜纳米颗粒与两块铜基底之间产生互连，实现铜铜键合，在键合过程中，还原剂将甲酸铜分解还原为铜实现铜纳米颗粒的自修复。通过本发明，实现键合过程中无需还原性气氛，同时具备工艺要求简单、易储存、低成本。

公开(公告)号：CN109659272A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811506264.9

申请日：2018-12-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汤自荣 ,  李俊杰 ,  梁琦 ,  史铁林 ,  冯辰 ,  廖广兰

IPC: H01L21/768 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/76864 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于铜互连键合技术领域，更具体地，涉及一种基于可自修复铜纳米颗粒浆料的低温铜铜键合方法。该方法包括下列步骤：(a)配制可自修复的铜纳米颗粒浆料，其中包括将铜纳米颗粒在甲酸中预处理，以及将预处理的铜纳米颗粒与还原剂、表面活性剂和粘度调节剂的混合溶剂混合；(b)将可自修复的铜纳米颗粒浆料均匀涂覆在两块铜基底之间，以此形成待键合样品，在真空或者惰性气体氛围中，使得可自修复的铜纳米颗粒浆料中的铜纳米颗粒与两块铜基底之间产生互连，实现铜铜键合，在键合过程中，还原剂将甲酸铜分解还原为铜实现铜纳米颗粒的自修复。通过本发明，实现键合过程中无需还原性气氛，同时具备工艺要求简单、易储存、低成本。

公开(公告)号：CN108878351A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810671279.4

申请日：2018-06-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汤自荣 ,  李俊杰 ,  冯辰 ,  史铁林 ,  梁琦 ,  廖广兰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明属于低温键合技术领域，并具体公开了一种基于可自还原银离子浆料的低温键合方法，其包括如下步骤：配制可自还原的银离子浆料；将可自还原的银离子浆料均匀涂覆至待键合基底的表面；在一定的键合温度、键合压力及键合时间下实现待键合基底的键合。本发明利用银离子自还原形成金属银实现互连键合，相较于使用银纳米颗粒浆料键合，具有无需制备银纳米颗粒、浆料分散性好、可均匀涂覆、低成本、易储存等优势，在电子封装技术中具有较好的应用前景。