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公开(公告)号：CN114489848B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210060502.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可计算存储架构的任务卸载方法及可计算存储系统，属于计算机存储领域，包括：初始化步骤：在SSD盘内系统的内核地址空间中创建虚拟的字符设备，并将其内核地址空间映射到用户进程的地址空间；在字符设备中维护命令队列和数据队列，分别用于存储命令结构体和任务执行结果；计算步骤：在内核态，接收到计算任务后，将命令结构体存储到命令队列中；在用户态，根据命令结构体在命令队列中的偏移值到命令队列中读取命令结构体，并从中解析出任务类型和参数，以执行计算任务，将执行结果存储到数据队列中；在内核态，将执行结果的长度和在数据队列中的偏移值返回给主机。本发明能够减少盘内系统数据拷贝，提高PIS任务执行效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114171095A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111439248.4
申请日：2021-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种3D NAND闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统，属于计算机存储领域，包括：获得已训练好的阈值电压分布预测模型，用于预测由N个干扰特征组合而成的输入特征集合SI对应的阈值电压分布；干扰特征为影响3D NAND闪存单元阈值电压分布的特征；N为正整数；获得3D NAND闪存的一个或多个干扰特征，组成待测特征集合SU；若则将SU中相对于SI缺失的干扰特征赋值为0，连同待测特征集合SU其余干扰特征的取值输入阈值电压分布预测模型，以预测得到3DNAND闪存的阈值电压分布；阈值电压分布预测模型由包含SI中的N个干扰特征以及对应的阈值电压分布的样本所构成的数据集训练而成。本发明能够提高3D NAND闪存阈值电压分布预测的精度和通用性。
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公开(公告)号：CN114489848A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210060502.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可计算存储架构的任务卸载方法及可计算存储系统，属于计算机存储领域，包括：初始化步骤：在SSD盘内系统的内核地址空间中创建虚拟的字符设备，并将其内核地址空间映射到用户进程的地址空间；在字符设备中维护命令队列和数据队列，分别用于存储命令结构体和任务执行结果；计算步骤：在内核态，接收到计算任务后，将命令结构体存储到命令队列中；在用户态，根据命令结构体在命令队列中的偏移值到命令队列中读取命令结构体，并从中解析出任务类型和参数，以执行计算任务，将执行结果存储到数据队列中；在内核态，将执行结果的长度和在数据队列中的偏移值返回给主机。本发明能够减少盘内系统数据拷贝，提高PIS任务执行效率。
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公开(公告)号：CN111817728A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010766183.3
申请日：2020-08-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03M13/11
Abstract: 本发明公开了一种基于硬件实现LDPC编译码的仿真系统，包括随机信息序列生成模块、编码模块、噪声生成模块、调制模块、数据缓存模块、解调模块和译码模块。随机信息序列生成模块的输出端与编码模块的输入端通讯连接，编码模块的输出端和噪声生成模块的输出端分别与调制模块的输入端通讯连接，调制模块的输出端与数据缓存模块输入端通讯连接，同时调制模块的输出端和数据缓存模块输出端分别与解调模块输入端通讯连接，解调模块输出端和译码模块输入端通讯连接。本发明通过采用并行和流水线的硬件实现结构，减少了LDPC编译码的时延，并提高了硬件资源利用率。
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公开(公告)号：CN114171095B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111439248.4
申请日：2021-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种3D NAND闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统，属于计算机存储领域，包括：获得已训练好的阈值电压分布预测模型，用于预测由N个干扰特征组合而成的输入特征集合SI对应的阈值电压分布；干扰特征为影响3D NAND闪存单元阈值电压分布的特征；N为正整数；获得3D NAND闪存的一个或多个干扰特征，组成待测特征集合SU；若则将SU中相对于SI缺失的干扰特征赋值为0，连同待测特征集合SU其余干扰特征的取值输入阈值电压分布预测模型，以预测得到3DNAND闪存的阈值电压分布；阈值电压分布预测模型由包含SI中的N个干扰特征以及对应的阈值电压分布的样本所构成的数据集训练而成。本发明能够提高3D NAND闪存阈值电压分布预测的精度和通用性。
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公开(公告)号：CN111817728B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010766183.3
申请日：2020-08-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03M13/11
Abstract: 本发明公开了一种基于硬件实现LDPC编译码的仿真系统，包括随机信息序列生成模块、编码模块、噪声生成模块、调制模块、数据缓存模块、解调模块和译码模块。随机信息序列生成模块的输出端与编码模块的输入端通讯连接，编码模块的输出端和噪声生成模块的输出端分别与调制模块的输入端通讯连接，调制模块的输出端与数据缓存模块输入端通讯连接，同时调制模块的输出端和数据缓存模块输出端分别与解调模块输入端通讯连接，解调模块输出端和译码模块输入端通讯连接。本发明通过采用并行和流水线的硬件实现结构，减少了LDPC编译码的时延，并提高了硬件资源利用率。
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