-
公开(公告)号：CN116487474A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310375555.3
申请日：2023-04-10
Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/10 , H01L31/103
Abstract: 本申请提供一种光电探测器结构及其形成方法，所述结构包括：绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括顶层硅，所述顶层硅包括生长区和位于所述生长区两侧的掺杂区，所述顶层硅表面形成有介质层；所述生长区的介质层中形成有外延层，所述生长区中的外延层的宽度与所述生长区的宽度相等，所述外延层延伸至所述顶层硅中，所述外延层表面高于所述介质层表面；所述介质层中的外延层侧壁形成有保护层。本申请提供一种光电探测器结构及其形成方法，利用所述保护层保护所述介质层不被横向刻蚀，提高外延层以及介质层的准直性，进而减少外延层的应力集中和穿透位错密度，提高光电探测器结构的可靠性。
Search Results
1
records
(took 0.036 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
