公开(公告)号：CN119581409A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411754355.X

申请日：2024-12-02

Applicant: 河北工业大学 ,  北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  河北工业大学创新研究院(石家庄)

Inventor： 罗翀 ,  康劲 ,  周建伟 ,  史万里 ,  何梓玮

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于提高集成电路多层布线钌CMP速率的方法，包括：制备含有氨三乙酸三铵的抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光。本发明在大规模集成电路的应用中通过NTA(NH4)3与氧化剂，硅溶胶间的三重协同作用即可在钌表面与钌氧化物(而非金属钌)反应生成大量络合物，增强了对钌及其氧化物的溶解腐蚀能力，同时伴随机械作用快速去除，从而使钌CMP去除效率更高。本发明提出了一种针对Ru的高效去除协同作用方法，能够兼顾Ru的高去除速率及低表面缺陷，使Ru阻挡层CMP性能显著提升，从而使集成电路性能增强。

公开(公告)号：CN119581410A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411754356.4

申请日：2024-12-02

Applicant: 河北工业大学 ,  北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  河北工业大学创新研究院(石家庄)

Inventor： 罗翀 ,  康劲 ,  周建伟 ,  史万里 ,  孙纪元

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于控制钌阻挡层铜布线蝶形坑和蚀坑的方法，包括：制备含有磷酸酯等活性剂的抛光液；取硅溶胶，加去离子水稀释，得硅溶胶溶液；将螯合剂、氧化剂、磷酸酯、杀菌剂、表面活性剂混合并加去离子水稀释，再加入硅溶胶溶液，用PH值调节剂调节到所需要的PH值，到搅拌均匀后得抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光；本发明利用磷酸酯在铜布线上的吸附来实现适宜的铜高低速率差及选择比，从而达到较低的蝶形坑和蚀坑，达到平坦化的效果；相对传统的BTA等挫类抑制剂，磷酸酯绿色环保，对环境无污染。

公开(公告)号：CN115692461A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110832752.4

申请日：2021-07-22

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

Inventor： 武咏琴 ,  康劲

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；形成所述衬底上的若干沟道层，所述若干沟道层沿所述衬底表面法线方向间隔堆叠，相邻所述沟道层之间具有栅沟槽，且所述若干沟道层和所述栅沟槽分别沿第一方向延伸；形成横跨所述若干沟道层表面的若干栅极结构，所述栅极结构包括栅极，所述栅极结构位于所述沟道层的部分顶部表面和部分侧壁表面，所述栅极结构还位于所述栅沟槽内，位于栅沟槽内的栅极结构侧壁相对于沟道层侧壁凹陷；形成位于所述栅极结构两侧的所述衬底上的源漏层，所述源漏层、所述沟道层和所述栅极之间具有空隙，所述空隙作为源漏层与栅极的隔离层，可以降低栅极和源漏层间的寄生电容，从而提高器件的电学性能。