Patent search ap:("河北工业大学" OR "北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司" OR "河北工业大学创新研究院(石家庄)") AND inv:"何梓玮" Page 1

1.

发明公开
一种用于提高集成电路多层布线钌CMP速率的方法审中-实审

公开(公告)号：CN119581409A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411754355.X

申请日：2024-12-02

Applicant: 河北工业大学 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 , 河北工业大学创新研究院(石家庄)

Inventor： 罗翀 , 康劲 , 周建伟 , 史万里 , 何梓玮

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及集成电路多层布线工艺相关技术领域，公开了一种用于提高集成电路多层布线钌CMP速率的方法，包括：制备含有氨三乙酸三铵的抛光液；再使用该抛光液对14nm以下集成电路钌阻挡层图形片进行抛光。本发明在大规模集成电路的应用中通过NTA(NH4)3与氧化剂，硅溶胶间的三重协同作用即可在钌表面与钌氧化物(而非金属钌)反应生成大量络合物，增强了对钌及其氧化物的溶解腐蚀能力，同时伴随机械作用快速去除，从而使钌CMP去除效率更高。本发明提出了一种针对Ru的高效去除协同作用方法，能够兼顾Ru的高去除速率及低表面缺陷，使Ru阻挡层CMP性能显著提升，从而使集成电路性能增强。

Patent Agency Ranking