-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104674344B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510042470.9
申请日：2015-01-28
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法，属于激光晶体领域。该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过保温筒的顶部伸入坩埚内部的籽晶杆，该保温筒的顶部中间位置设置有用于穿过籽晶杆的直径为60‑120mm的第一圆孔，该坩埚为铂坩埚或者铱金坩埚；该铜感应加热线圈的外表面镀有镍层或者喷涂有耐高温树脂层，能够耐氟化物气体腐蚀。基于发明的晶体生长炉和生长装置，发明了一种氟化钇锂激光晶体的制备方法，该方法采用感应加热方式，利用更换籽晶方式打捞漂浮物，实现了高质量氟化钇锂激光晶体的稳定生长。
-
公开(公告)号：CN104674344A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510042470.9
申请日：2015-01-28
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法，属于激光晶体领域。该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过保温筒的顶部伸入坩埚内部的籽晶杆，该保温筒的顶部中间位置设置有用于穿过籽晶杆的直径为60-120mm的第一圆孔，该坩埚为铂坩埚或者铱金坩埚；该铜感应加热线圈的外表面镀有镍层或者喷涂有耐高温树脂层，能够耐氟化物气体腐蚀。基于发明的晶体生长炉和生长装置，发明了一种氟化钇锂激光晶体的制备方法，该方法采用感应加热方式，利用更换籽晶方式打捞漂浮物，实现了高质量氟化钇锂激光晶体的稳定生长。
-
公开(公告)号：CN109252211A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811420244.X
申请日：2018-11-26
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
IPC: C30B15/28
Abstract: 本发明公开了一种激光晶体的生长装置及方法，属于激光晶体领域。所述生长装置包括：炉体、电机、电子秤、提升机构；电机的输出轴与下入炉体内部的籽晶杆顶端连接；提升机构与电子秤的支座连接；电子秤还包括：第一端与支座连接、第二端与电机的外壳连接的多个称重传感器；多个称重传感器的设置数量为2个或3个；多个称重传感器以并联方式电性连接，相邻两个称重传感器形成有预设夹角。本发明通过在电子秤的支座上设置多个以并联方式电性连接的称重传感器，相邻两个称重传感器形成有预设夹角，使得电子秤不仅在保证分辨率的前提下可提高自身量程，可精确控制激光晶体的生长速率，能改善激光晶体的外形尺寸，进而可提高激光晶体的光学质量。
-
公开(公告)号：CN103147119B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310091223.9
申请日：2013-03-21
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备，所述生长设备包括炉膛，所述炉膛的上方和下方分别设有气体进出的通孔，所述炉膛的上方设有用于打捞晶体生长产生的杂质的开口。所述氟化镁晶体的制备方法包括以下步骤：设置参数，在氟化镁晶体制备过程中，炉膛内通流动惰性气体；开始升温熔融氟化镁粉末，待完全熔融形成熔体后，打捞氟氧化物，下籽晶；得到生长后的氟化镁晶体。制备的氟化镁晶体光学质量优良，透过率@193nm不低于89%。
-
公开(公告)号：CN103147119A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310091223.9
申请日：2013-03-21
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种氟化镁晶体的制备方法及生长设备，所述生长设备包括炉膛，所述炉膛的上方和下方分别设有气体进出的通孔，所述炉膛的上方设有用于打捞晶体生长产生的杂质的开口。所述氟化镁晶体的制备方法包括以下步骤：设置参数，在氟化镁晶体制备过程中，炉膛内通流动惰性气体；开始升温熔融氟化镁粉末，待完全熔融形成熔体后，打捞氟氧化物，下籽晶；得到生长后的氟化镁晶体。制备的氟化镁晶体光学质量优良，透过率@193nm不低于89%。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.092 seconds)
