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公开(公告)号：CN103590110B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310565663.3
申请日：2013-11-14
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C30B31/08
Abstract: 本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法，属于激光晶体材料制备技术领域。所述方法包括：在惰性气氛下，分别将含有亚铁离子的掺杂物粉体以及硒化锌晶体放置在反应器高温区和低温区，通过热扩散来制备掺铁硒化锌晶体，进一步地，切割制备的掺铁硒化锌晶体，并使切割的掺铁硒化锌晶体的掺铁面之间进行热键合后，再次进行热扩散。本发明实施例惰性气氛的使用，可抑制低温区ZnSe晶体的挥发，从而显著提高低温区的温度，还可作为亚铁离子热扩散的载体，进而提高亚铁离子的掺杂浓度；通过切割掺铁硒化锌晶体，并将掺铁硒化锌晶体掺铁面间进行热键合后进行二次热扩散，进一步提高亚铁离子的掺杂浓度，更利于掺铁硒化锌晶体中亚铁离子的均匀分布。
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公开(公告)号：CN103590112B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310579363.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C30B33/04
Abstract: 本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的后处理方法，属于激光晶体制备技术领域。所述方法通过将Fe2+:ZnSe激光晶体埋入铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，对其进行高温退火处理及电子束辐照处理。将Fe2+:ZnSe晶体埋入高纯铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，不仅可提高晶体所处区域的温度一致性，有效消除残留应力；还可提供还原性气氛和ZnSe气氛，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，并抑制ZnSe晶体的挥发，减少并防止Zn和Se空位缺陷。通过对Fe2+:ZnSe晶体的电子束辐照处理，也能消除在激光输出波段产生额外吸收损耗的能级陷阱、并减少空位缺陷，且能提供电子，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，最终去除Fe2+:ZnSe激光晶体内部的残留应力，控制Fe2+离子价态，减少空位缺陷密度，降低晶体损耗，提高其激光转换效率。
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公开(公告)号：CN104099665A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410325773.7
申请日：2014-07-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理，得到第二中间产物；最后在真空条件下，对第二中间产物进行热等静压处理，得到氟化钇锂复合晶体。制备得到的氟化钇锂复合晶体不存在轴向匹配问题，且具有低的热效应，利于减少晶体热致退偏损耗，并提高激光器的输出功率和光束质量。
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公开(公告)号：CN104047047B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410253222.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法，属于磷硅镉单晶制备技术领域。所述装置包括外层石英管、套装在外层石英管内的内层石英管和套装在内层石英管内的PBN舟状坩埚。PBN舟状坩埚包括：顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，通过将晶核生长段的第一端部设置成尖顶状，提高自发成核时晶向的均一性。通过双层石英管设计，使石英管间充入惰性气体，解决晶体生长过程中极易出现的爆管问题，提高温场稳定性及生长装置耐久性。所述方法通过利用水平梯度凝固法在放置有上述生长装置的水平晶体生长炉制备磷硅镉单晶，使结晶过程更加稳定，减少寄生成核的缺陷，利于得到单晶性好，晶格完整的CSP单晶。该方法操作简单，易控制，成本低。
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公开(公告)号：CN103833348B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310753337.5
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种自激辐射吸收材料，属于激光材料领域。该自激辐射吸收材料的化学式为：Y3-x-y-zSmxScyLuzAl5O12，其中，0＜x≤0.215、0.03≤y≤0.3、0.03≤z≤0.9。通过将离子半径比Y3+离子小的Sc3+和Lu3+离子取代Sm:YAG中部分Y3+离子，形成一种新的Sm:YLSAG材料，其在1068nm左右的吸收峰将蓝移至1065.8nm左右，从而Sm:YLSAG在1064nm波长处的吸收系数较大。此外，本发明还提供了自激辐射吸收材料的制备方法，通过将含Y、Sm、Sc和Lu的稀土无机酸盐溶液逐滴加入到含Al2O3粉体、沉淀剂和静电稳定剂的醇水混合悬浊液中，进行化学共沉淀反应得到沉淀物，并对该沉淀物进行固相反应烧结处理，制备得到本发明Sm:YLSAG材料。化学共沉淀-固相反应烧结相结合，工艺简单、易控制、具有良好的重复性和稳定性，适于规模化工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104313693A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410483601.2
申请日：2014-09-19
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法，属于激光晶体制备领域。该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、穿过保温筒伸入坩埚内部的籽晶杆；保温筒的底部设有通孔，用于向坩埚底部通入氮气；坩埚为钨坩埚或者钼坩埚；保温筒的材质为掺碳的氮化硼陶瓷。通过选用钨坩埚或者钼坩埚降低生产成本；通过掺碳的氮化硼陶瓷保温筒对其进行保温，防止钨或者钼在高温下氧化，且进一步降低生产成本；通过在坩埚和保温筒的底部设有通孔，以在降温过程中向坩埚底部通入流动的冷却的高纯氮气，利用风冷在坩埚底部形成过冷区，提高坩埚的使用寿命，并降低生长周期。
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公开(公告)号：CN104047047A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410253222.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法，属于磷硅镉单晶制备技术领域。所述装置包括外层石英管、套装在外层石英管内的内层石英管和套装在内层石英管内的PBN舟状坩埚。PBN舟状坩埚包括：顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，通过将晶核生长段的第一端部设置成尖顶状，提高自发成核时晶向的均一性。通过双层石英管设计，使石英管间充入惰性气体，解决晶体生长过程中极易出现的爆管问题，提高温场稳定性及生长装置耐久性。所述方法通过利用水平梯度凝固法在放置有上述生长装置的水平晶体生长炉制备磷硅镉单晶，使结晶过程更加稳定，减少寄生成核的缺陷，利于得到单晶性好，晶格完整的CSP单晶。该方法操作简单，易控制，成本低。
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公开(公告)号：CN103590112A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310579363.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C30B33/04
Abstract: 本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的后处理方法，属于激光晶体制备技术领域。所述方法通过将Fe2+:ZnSe激光晶体埋入铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，对其进行高温退火处理及电子束辐照处理。将Fe2+:ZnSe晶体埋入高纯铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，不仅可提高晶体所处区域的温度一致性，有效消除残留应力；还可提供还原性气氛和ZnSe气氛，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，并抑制ZnSe晶体的挥发，减少并防止Zn和Se空位缺陷。通过对Fe2+:ZnSe晶体的电子束辐照处理，也能消除在激光输出波段产生额外吸收损耗的能级陷阱、并减少空位缺陷，且能提供电子，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，最终去除Fe2+:ZnSe激光晶体内部的残留应力，控制Fe2+离子价态，减少空位缺陷密度，降低晶体损耗，提高其激光转换效率。
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公开(公告)号：CN104674344B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510042470.9
申请日：2015-01-28
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法，属于激光晶体领域。该生长装置包括：坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过保温筒的顶部伸入坩埚内部的籽晶杆，该保温筒的顶部中间位置设置有用于穿过籽晶杆的直径为60‑120mm的第一圆孔，该坩埚为铂坩埚或者铱金坩埚；该铜感应加热线圈的外表面镀有镍层或者喷涂有耐高温树脂层，能够耐氟化物气体腐蚀。基于发明的晶体生长炉和生长装置，发明了一种氟化钇锂激光晶体的制备方法，该方法采用感应加热方式，利用更换籽晶方式打捞漂浮物，实现了高质量氟化钇锂激光晶体的稳定生长。
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公开(公告)号：CN104099665B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410325773.7
申请日：2014-07-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理，得到第二中间产物；最后在真空条件下，对第二中间产物进行热等静压处理，得到氟化钇锂复合晶体。制备得到的氟化钇锂复合晶体不存在轴向匹配问题，且具有低的热效应，利于减少晶体热致退偏损耗，并提高激光器的输出功率和光束质量。
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