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公开(公告)号：CN106087055B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610425940.4
申请日：2016-06-15
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种铝酸钇复合晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。该铝酸钇复合晶体包括：工作介质、以光胶的方式键合在工作介质端部的不掺杂基质，该工作介质为掺杂铝酸钇晶体，不掺杂基质为纯铝酸钇晶体。本发明实施例提供的铝酸钇复合晶体，通过在掺杂铝酸钇晶体的端部以热扩散键合方式键合铝酸钇晶体，得到铝酸钇复合晶体，其键合面处光学质量均匀，不存在晶体与晶体间的界面，避免了激光损耗现象，并利于提高激光器的输出效率和输出功率。
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公开(公告)号：CN109400158A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811637032.7
申请日：2018-12-29
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种掺镱氧化镥激光陶瓷的制备方法，属于陶瓷领域。该方法包括：制备氧化镱粉体；制备氧化镥粉体；根据掺镱氧化镥激光陶瓷的掺镱浓度称量氧化镱粉体和氧化镥粉体；对称量后的氧化镱粉体和氧化镥粉体、烧结助剂、有机溶剂的混合体进行球磨处理，得到第一浆料；对第一浆料依次进行干燥处理、成型处理、冷等静压处理，得到陶瓷坯体；对陶瓷坯体依次进行排胶处理、真空烧结处理、热压后处理、退火处理、抛光处理，得到掺镱氧化镥激光陶瓷。该方法制备得到的激光陶瓷具有良好的光学性能，且不会出现掺杂浓度偏离，容易控制，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN102924073B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210465100.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种采用热压后处理制备稀土离子掺杂钇铝石榴石（Re:YAG）透明激光陶瓷的方法，该方法采用氧化物粉体为原料，经球磨混合、干燥、成型、冷等静压处理得到陶瓷素坯，再经排胶、真空烧结得到Re:YAG陶瓷。Re:YAG陶瓷进一步经埋粉热压处理、退火及光学抛光后，即得到Re:YAG透明激光陶瓷。本发明的方法，具有可控性、重复性强、成本低的优点，并且采用本发明的方法制备的Re:YAG透明陶瓷，透过率高。
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公开(公告)号：CN102924073A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210465100.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种采用热压后处理制备稀土离子掺杂钇铝石榴石（Re:YAG）透明激光陶瓷的方法，该方法采用氧化物粉体为原料，经球磨混合、干燥、成型、冷等静压处理得到陶瓷素坯，再经排胶、真空烧结得到Re:YAG陶瓷。Re:YAG陶瓷进一步经埋粉热压处理、退火及光学抛光后，即得到Re:YAG透明激光陶瓷。本发明的方法，具有可控性、重复性强、成本低的优点，并且采用本发明的方法制备的Re:YAG透明陶瓷，透过率高。
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公开(公告)号：CN102618929A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210114257.0
申请日：2012-04-18
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种掺镱、铒的钪镓石榴石晶体，所述晶体的化学组成为YbaErbY3-a-bSc2Ga3O12，其中，0＜a≤2.1，b＝0.9。本发明还公开了一种掺镱、铒钇钪镓石榴石晶体的制备方法。通过本发明得到的一种掺镱、铒的钇钪镓石榴石晶体，能够实现高效的二极管泵浦激光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108004595A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711212015.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及其生长方法和装置，属于激光材料领域。该掺杂钇铝石榴石激光晶体掺杂有钐离子，以及用于使所述掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收峰蓝移的掺杂离子。通过向其中掺杂钐离子和掺杂离子，来使其吸收峰蓝移，即使其吸收光谱发生蓝移，如此可提高该掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收光谱与Nd:YAG激光晶体的发射光谱的重合度，使得掺杂钇铝石榴石激光晶体对Nd3+离子在YAG晶体中的1064.15nm发射主峰的吸收系数较高，进而提高对Nd:YAG激光晶体寄生振荡的抑制效率。
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公开(公告)号：CN106087055A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610425940.4
申请日：2016-06-15
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种铝酸钇复合晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。该铝酸钇复合晶体包括：工作介质、以光胶的方式键合在工作介质端部的不掺杂基质，该工作介质为掺杂铝酸钇晶体，不掺杂基质为纯铝酸钇晶体。本发明实施例提供的铝酸钇复合晶体，通过在掺杂铝酸钇晶体的端部以热扩散键合方式键合铝酸钇晶体，得到铝酸钇复合晶体，其键合面处光学质量均匀，不存在晶体与晶体间的界面，避免了激光损耗现象，并利于提高激光器的输出效率和输出功率。
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公开(公告)号：CN102618929B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210114257.0
申请日：2012-04-18
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种掺镱、铒的钪镓石榴石晶体，所述晶体的化学组成为YbaErbY3-a-bSc2Ga3O12，其中，0＜a≤2.1，b＝0.9。本发明还公开了一种掺镱、铒钇钪镓石榴石晶体的制备方法。通过本发明得到的一种掺镱、铒的钇钪镓石榴石晶体，能够实现高效的二极管泵浦激光输出。
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公开(公告)号：CN104047047B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410253222.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法，属于磷硅镉单晶制备技术领域。所述装置包括外层石英管、套装在外层石英管内的内层石英管和套装在内层石英管内的PBN舟状坩埚。PBN舟状坩埚包括：顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，通过将晶核生长段的第一端部设置成尖顶状，提高自发成核时晶向的均一性。通过双层石英管设计，使石英管间充入惰性气体，解决晶体生长过程中极易出现的爆管问题，提高温场稳定性及生长装置耐久性。所述方法通过利用水平梯度凝固法在放置有上述生长装置的水平晶体生长炉制备磷硅镉单晶，使结晶过程更加稳定，减少寄生成核的缺陷，利于得到单晶性好，晶格完整的CSP单晶。该方法操作简单，易控制，成本低。
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公开(公告)号：CN103833348B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310753337.5
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种自激辐射吸收材料，属于激光材料领域。该自激辐射吸收材料的化学式为：Y3-x-y-zSmxScyLuzAl5O12，其中，0＜x≤0.215、0.03≤y≤0.3、0.03≤z≤0.9。通过将离子半径比Y3+离子小的Sc3+和Lu3+离子取代Sm:YAG中部分Y3+离子，形成一种新的Sm:YLSAG材料，其在1068nm左右的吸收峰将蓝移至1065.8nm左右，从而Sm:YLSAG在1064nm波长处的吸收系数较大。此外，本发明还提供了自激辐射吸收材料的制备方法，通过将含Y、Sm、Sc和Lu的稀土无机酸盐溶液逐滴加入到含Al2O3粉体、沉淀剂和静电稳定剂的醇水混合悬浊液中，进行化学共沉淀反应得到沉淀物，并对该沉淀物进行固相反应烧结处理，制备得到本发明Sm:YLSAG材料。化学共沉淀-固相反应烧结相结合，工艺简单、易控制、具有良好的重复性和稳定性，适于规模化工业生产。
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