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公开(公告)号：CN103590112B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310579363.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C30B33/04
Abstract: 本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的后处理方法，属于激光晶体制备技术领域。所述方法通过将Fe2+:ZnSe激光晶体埋入铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，对其进行高温退火处理及电子束辐照处理。将Fe2+:ZnSe晶体埋入高纯铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，不仅可提高晶体所处区域的温度一致性，有效消除残留应力；还可提供还原性气氛和ZnSe气氛，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，并抑制ZnSe晶体的挥发，减少并防止Zn和Se空位缺陷。通过对Fe2+:ZnSe晶体的电子束辐照处理，也能消除在激光输出波段产生额外吸收损耗的能级陷阱、并减少空位缺陷，且能提供电子，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，最终去除Fe2+:ZnSe激光晶体内部的残留应力，控制Fe2+离子价态，减少空位缺陷密度，降低晶体损耗，提高其激光转换效率。
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公开(公告)号：CN104099665A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410325773.7
申请日：2014-07-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理，得到第二中间产物；最后在真空条件下，对第二中间产物进行热等静压处理，得到氟化钇锂复合晶体。制备得到的氟化钇锂复合晶体不存在轴向匹配问题，且具有低的热效应，利于减少晶体热致退偏损耗，并提高激光器的输出功率和光束质量。
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公开(公告)号：CN104099665B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410325773.7
申请日：2014-07-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理，得到第二中间产物；最后在真空条件下，对第二中间产物进行热等静压处理，得到氟化钇锂复合晶体。制备得到的氟化钇锂复合晶体不存在轴向匹配问题，且具有低的热效应，利于减少晶体热致退偏损耗，并提高激光器的输出功率和光束质量。
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公开(公告)号：CN103833348A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310753337.5
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种自激辐射吸收材料，属于激光材料领域。该自激辐射吸收材料的化学式为：Y3-x-y-zSmxScyLuzAl5O12，其中，0＜x≤0.215、0.03≤y≤0.3、0.03≤z≤0.9。通过将离子半径比Y3+离子小的Sc3+和Lu3+离子取代Sm:YAG中部分Y3+离子，形成一种新的Sm:YLSAG材料，其在1068nm左右的吸收峰将蓝移至1065.8nm左右，从而Sm:YLSAG在1064nm波长处的吸收系数较大。此外，本发明还提供了自激辐射吸收材料的制备方法，通过将含Y、Sm、Sc和Lu的稀土无机酸盐溶液逐滴加入到含Al2O3粉体、沉淀剂和静电稳定剂的醇水混合悬浊液中，进行化学共沉淀反应得到沉淀物，并对该沉淀物进行固相反应烧结处理，制备得到本发明Sm:YLSAG材料。化学共沉淀-固相反应烧结相结合，工艺简单、易控制、具有良好的重复性和稳定性，适于规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN104047047B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201410253222.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法，属于磷硅镉单晶制备技术领域。所述装置包括外层石英管、套装在外层石英管内的内层石英管和套装在内层石英管内的PBN舟状坩埚。PBN舟状坩埚包括：顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，通过将晶核生长段的第一端部设置成尖顶状，提高自发成核时晶向的均一性。通过双层石英管设计，使石英管间充入惰性气体，解决晶体生长过程中极易出现的爆管问题，提高温场稳定性及生长装置耐久性。所述方法通过利用水平梯度凝固法在放置有上述生长装置的水平晶体生长炉制备磷硅镉单晶，使结晶过程更加稳定，减少寄生成核的缺陷，利于得到单晶性好，晶格完整的CSP单晶。该方法操作简单，易控制，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103833348B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310753337.5
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种自激辐射吸收材料，属于激光材料领域。该自激辐射吸收材料的化学式为：Y3-x-y-zSmxScyLuzAl5O12，其中，0＜x≤0.215、0.03≤y≤0.3、0.03≤z≤0.9。通过将离子半径比Y3+离子小的Sc3+和Lu3+离子取代Sm:YAG中部分Y3+离子，形成一种新的Sm:YLSAG材料，其在1068nm左右的吸收峰将蓝移至1065.8nm左右，从而Sm:YLSAG在1064nm波长处的吸收系数较大。此外，本发明还提供了自激辐射吸收材料的制备方法，通过将含Y、Sm、Sc和Lu的稀土无机酸盐溶液逐滴加入到含Al2O3粉体、沉淀剂和静电稳定剂的醇水混合悬浊液中，进行化学共沉淀反应得到沉淀物，并对该沉淀物进行固相反应烧结处理，制备得到本发明Sm:YLSAG材料。化学共沉淀-固相反应烧结相结合，工艺简单、易控制、具有良好的重复性和稳定性，适于规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN104047047A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410253222.4
申请日：2014-06-09
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本发明公开了一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法，属于磷硅镉单晶制备技术领域。所述装置包括外层石英管、套装在外层石英管内的内层石英管和套装在内层石英管内的PBN舟状坩埚。PBN舟状坩埚包括：顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，通过将晶核生长段的第一端部设置成尖顶状，提高自发成核时晶向的均一性。通过双层石英管设计，使石英管间充入惰性气体，解决晶体生长过程中极易出现的爆管问题，提高温场稳定性及生长装置耐久性。所述方法通过利用水平梯度凝固法在放置有上述生长装置的水平晶体生长炉制备磷硅镉单晶，使结晶过程更加稳定，减少寄生成核的缺陷，利于得到单晶性好，晶格完整的CSP单晶。该方法操作简单，易控制，成本低。
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公开(公告)号：CN103590112A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310579363.0
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司 , 中国电子科技集团公司第十一研究所
IPC: C30B33/04
Abstract: 本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的后处理方法，属于激光晶体制备技术领域。所述方法通过将Fe2+:ZnSe激光晶体埋入铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，对其进行高温退火处理及电子束辐照处理。将Fe2+:ZnSe晶体埋入高纯铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，不仅可提高晶体所处区域的温度一致性，有效消除残留应力；还可提供还原性气氛和ZnSe气氛，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，并抑制ZnSe晶体的挥发，减少并防止Zn和Se空位缺陷。通过对Fe2+:ZnSe晶体的电子束辐照处理，也能消除在激光输出波段产生额外吸收损耗的能级陷阱、并减少空位缺陷，且能提供电子，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，最终去除Fe2+:ZnSe激光晶体内部的残留应力，控制Fe2+离子价态，减少空位缺陷密度，降低晶体损耗，提高其激光转换效率。
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公开(公告)号：CN109531344B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811473185.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
IPC: B24B13/005
Abstract: 本发明公开了一种YAG系列晶体的光学加工方法，属于激光晶体加工领域。所述方法包括：获取基准件，包括相垂直的水平板、竖直板；利用热熔胶将尺寸相同的多个晶体层叠于水平板上，且使多个晶体的沿轴向分布的第一侧面与竖直板粘接，并将第一固定件、第二固定件分别粘接于多个晶体的沿轴向分布的第二侧面、上表面上；填充多个晶体中的缝隙，然后对多个晶体研磨、抛光；将抛光后的多个晶体从基准件、第一固定件与第二固定件所构成的固定腔中取出，并去除每个晶体上的热熔胶；其中，热熔胶包括质量比为(7～8)：1:1的特级松香、蜂蜡与石蜡。本发明提高了晶体的光学加工效率，利于YAG系列晶体的成批加工。
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公开(公告)号：CN108004595A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711212015.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 北京雷生强式科技有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及其生长方法和装置，属于激光材料领域。该掺杂钇铝石榴石激光晶体掺杂有钐离子，以及用于使所述掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收峰蓝移的掺杂离子。通过向其中掺杂钐离子和掺杂离子，来使其吸收峰蓝移，即使其吸收光谱发生蓝移，如此可提高该掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收光谱与Nd:YAG激光晶体的发射光谱的重合度，使得掺杂钇铝石榴石激光晶体对Nd3+离子在YAG晶体中的1064.15nm发射主峰的吸收系数较高，进而提高对Nd:YAG激光晶体寄生振荡的抑制效率。
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