一种适用于六面体磁屏蔽装置的消磁线圈结构

    公开(公告)号:CN115101311B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202210783092.X

    申请日:2022-06-27

    Abstract: 一种适用于六面体磁屏蔽装置的消磁线圈结构,包括消磁线圈和由六块板拼接而形成六面体的屏蔽主体,所述屏蔽主体的每个面的内侧和外侧均设有沿对角线平行设置的消磁线圈,相对的两个面的消磁线圈相互平行,六个面的消磁线圈逐个串联设置,每个面的内侧和外侧的消磁线圈的电流方向相反,且相对的两个面的外侧的消磁线圈的电流方向相反。上述方案能够保证消磁线圈通电后产生的磁场在屏蔽主体的内部均匀分布的同时,进一步解决了现有技术中存在的因磁屏蔽装置的穿线孔较多以及多余引线干扰导致的屏蔽性能不理想的问题,同时还能够简化消磁线圈的接线方式,降低磁屏蔽装置整体结构的复杂度,有利于加快磁屏蔽装置的研制进度以及推广应用。

    一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法

    公开(公告)号:CN117933163A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410067074.0

    申请日:2024-01-17

    Abstract: 本发明涉及一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法。首先,将双平面的电流密度划分为多个阵列子区域,根据毕奥萨法尔定律确定了空气内平面电流密度子区域在目标区域产生的总磁场表达式;然后,引入镜像法,推导了考虑双平面阵列线圈与磁屏蔽房高磁导率材料耦合后产生的总磁场表达式;其次,设定目标区域的场点、磁场值和罚函数等,求解出线圈的未知电流密度系数;最后,采用流函数法给出双平面阵列线圈的绕组。本发明可满足依据磁屏蔽房内实际磁场分布反推线圈绕组产生所需磁场的需求,实现工作区域内剩磁的精准补偿。

    一种适用于六面体磁屏蔽装置的消磁线圈结构

    公开(公告)号:CN115101311A

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202210783092.X

    申请日:2022-06-27

    Abstract: 一种适用于六面体磁屏蔽装置的消磁线圈结构,包括消磁线圈和由六块板拼接而形成六面体的屏蔽主体,所述屏蔽主体的每个面的内侧和外侧均设有沿对角线平行设置的消磁线圈,相对的两个面的消磁线圈相互平行,六个面的消磁线圈逐个串联设置,每个面的内侧和外侧的消磁线圈的电流方向相反,且相对的两个面的外侧的消磁线圈的电流方向相反。上述方案能够保证消磁线圈通电后产生的磁场在屏蔽主体的内部均匀分布的同时,进一步解决了现有技术中存在的因磁屏蔽装置的穿线孔较多以及多余引线干扰导致的屏蔽性能不理想的问题,同时还能够简化消磁线圈的接线方式,降低磁屏蔽装置整体结构的复杂度,有利于加快磁屏蔽装置的研制进度以及推广应用。

    一种基于多重镜像法的大均匀区双平面线圈设计方法

    公开(公告)号:CN115329653A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202211017095.9

    申请日:2022-08-23

    Abstract: 本发明提供了一种基于多重镜像法的大均匀区双平面线圈设计方法,涉及磁屏蔽补偿技术领域,本方法包括步骤S1:通过高磁导率材料的无限大的表面反射磁源和磁性材料,将磁屏蔽箱的屏蔽层看作无限大的平面,产生镜像电流,镜像电流被其他屏蔽层反复镜像;S2:建立实际电流与镜像电流的关系;S3:基于双平面的电流在Q点处从空气中进入到屏蔽层中并发生折射,折射角为45°,电流在屏蔽层内W点处发生反射,在G点处从屏蔽层中进入到空气中,折射角为θ,R点是电流经屏蔽层的反射后的位置点。本方法能够在保证磁屏蔽室空间利用率的前提下,提高线圈的均匀度和均匀度,从而实现降低磁屏蔽室研制成本和重量。

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