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公开(公告)号：CN117933163A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410067074.0
申请日：2024-01-17
Applicant: 北京航空航天大学宁波创新研究院
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种用于磁屏蔽房内剩磁补偿的双平面阵列线圈设计方法。首先，将双平面的电流密度划分为多个阵列子区域，根据毕奥萨法尔定律确定了空气内平面电流密度子区域在目标区域产生的总磁场表达式；然后，引入镜像法，推导了考虑双平面阵列线圈与磁屏蔽房高磁导率材料耦合后产生的总磁场表达式；其次，设定目标区域的场点、磁场值和罚函数等，求解出线圈的未知电流密度系数；最后，采用流函数法给出双平面阵列线圈的绕组。本发明可满足依据磁屏蔽房内实际磁场分布反推线圈绕组产生所需磁场的需求，实现工作区域内剩磁的精准补偿。
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