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公开(公告)号：CN118866930A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411331936.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 韩立镪 , 王小勇 , 潘卫军 , 张旭 , 程甘霖 , 戴立群 , 王耕耘 , 卜洪波 , 吴淞波 , 姚瑶 , 樊奔 , 孙启扬 , 谢莉莉 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 张芮萌 , 牟帅臣 , 陈瑞明
IPC: H01L27/148
Abstract: 本发明涉及一种大满阱TDI‑CMOS像元结构，属于CMOS图像传感器领域；包括6个CCD电极、4个列间隔离和3个CCD沟道；其中，4个列间隔离和3个CCD沟道均为长方体结构；4个列间隔离和3个CCD沟道交错相邻设置，形成长方体底座；6个CCD电极等间距均匀设置在长方体底座的上表面，且CCD电极的轴向与列间隔离和CCD沟道的轴向垂直；本发明适用于CCD‑CMOS融合型TDI图像传感器，尤其可在不影响电压摆幅、电荷传输效率、抗弥散能力的前提下，增加满阱容量性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118866927A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411331939.6
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 王小勇 , 潘卫军 , 韩立镪 , 王耕耘 , 程甘霖 , 吴淞波 , 樊奔 , 张旭 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 谢圣文 , 谢莉莉 , 柴瑞青 , 张芮萌 , 牟帅臣 , 姚瑶 , 陈瑞明
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种大满阱电荷量的CMOS像元结构，属于半导体领域；Si：N结构为正方体结构；其中n个竖直#imgabs0#层均匀贴附在Si：N结构的前侧壁处；另外n个竖直#imgabs1#层对称均匀贴附在Si：N结构的后侧壁处；水平#imgabs2#层均匀贴附在Si：N结构的上表面；每个竖直#imgabs3#层上对应安装1个竖直MOS结构；水平MOS结构均匀贴附在水平#imgabs4#层的上表面；每个水平MOS结构上表面对应安装1个驱动电极；n为不小于2的正整数；本发明可充分利用像元空间区域对光生电荷进行存储，极大地提高了像元对于光生电荷的存储效率，从而实现像元满阱的大幅提升；同时可以提升电极对于电荷传输的控制效率，实现较高的电荷传输效率以及电荷的高速转传输。
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公开(公告)号：CN119363118B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411896156.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 王耕耘 , 王小勇 , 韩立镪 , 程甘霖 , 卜洪波 , 张旭 , 樊奔 , 戴立群 , 吴淞波 , 张芮萌 , 潘卫军 , 姚瑶 , 孙启扬 , 谢莉莉 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 牟帅臣 , 陈瑞明
Abstract: 本发明公开了一种应用于图像传感器模数转换的四段式粗细量化系统及方法，属于图像通信技术领域。该系统包括斜坡产生器、比较器、粗细量化区间分离电路、高频时钟、低频时钟、数字处理电路、粗量化电路和细量化电路。本发明对两个计数阶段的粗量化上升下降沿共四段区间都进行了细量化补偿，与传统双斜坡双路时钟上下计数结构相比，消除了多列量化电路长距离横向排布引入的时钟延迟导致的时钟沿不一致性，且计数结果对应的物理量不含有额外的固定电压物理值，提高了模数转换的准确性。
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公开(公告)号：CN119363118A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411896156.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 王耕耘 , 王小勇 , 韩立镪 , 程甘霖 , 卜洪波 , 张旭 , 樊奔 , 戴立群 , 吴淞波 , 张芮萌 , 潘卫军 , 姚瑶 , 孙启扬 , 谢莉莉 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 牟帅臣 , 陈瑞明
Abstract: 本发明公开了一种应用于图像传感器模数转换的四段式粗细量化系统及方法，属于图像通信技术领域。该系统包括斜坡产生器、比较器、粗细量化区间分离电路、高频时钟、低频时钟、数字处理电路、粗量化电路和细量化电路。本发明对两个计数阶段的粗量化上升下降沿共四段区间都进行了细量化补偿，与传统双斜坡双路时钟上下计数结构相比，消除了多列量化电路长距离横向排布引入的时钟延迟导致的时钟沿不一致性，且计数结果对应的物理量不含有额外的固定电压物理值，提高了模数转换的准确性。
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公开(公告)号：CN118866927B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411331939.6
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 王小勇 , 潘卫军 , 韩立镪 , 王耕耘 , 程甘霖 , 吴淞波 , 樊奔 , 张旭 , 戴立群 , 卜洪波 , 孙启扬 , 谢圣文 , 谢莉莉 , 柴瑞青 , 张芮萌 , 牟帅臣 , 姚瑶 , 陈瑞明
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明涉及一种大满阱电荷量的CMOS像元结构，属于半导体领域；Si：N结构为正方体结构；其中n个竖直#imgabs0#层均匀贴附在Si：N结构的前侧壁处；另外n个竖直#imgabs1#层对称均匀贴附在Si：N结构的后侧壁处；水平#imgabs2#层均匀贴附在Si：N结构的上表面；每个竖直#imgabs3#层上对应安装1个竖直MOS结构；水平MOS结构均匀贴附在水平#imgabs4#层的上表面；每个水平MOS结构上表面对应安装1个驱动电极；n为不小于2的正整数；本发明可充分利用像元空间区域对光生电荷进行存储，极大地提高了像元对于光生电荷的存储效率，从而实现像元满阱的大幅提升；同时可以提升电极对于电荷传输的控制效率，实现较高的电荷传输效率以及电荷的高速转传输。
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公开(公告)号：CN118866930B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411331936.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京空间机电研究所
Inventor： 韩立镪 , 王小勇 , 潘卫军 , 张旭 , 程甘霖 , 戴立群 , 王耕耘 , 卜洪波 , 吴淞波 , 姚瑶 , 樊奔 , 孙启扬 , 谢莉莉 , 谢圣文 , 柴瑞青 , 张芮萌 , 牟帅臣 , 陈瑞明
IPC: H01L27/148
Abstract: 本发明涉及一种大满阱TDI‑CMOS像元结构，属于CMOS图像传感器领域；包括6个CCD电极、4个列间隔离和3个CCD沟道；其中，4个列间隔离和3个CCD沟道均为长方体结构；4个列间隔离和3个CCD沟道交错相邻设置，形成长方体底座；6个CCD电极等间距均匀设置在长方体底座的上表面，且CCD电极的轴向与列间隔离和CCD沟道的轴向垂直；本发明适用于CCD‑CMOS融合型TDI图像传感器，尤其可在不影响电压摆幅、电荷传输效率、抗弥散能力的前提下，增加满阱容量性能。
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