减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法

    公开(公告)号:CN119753620A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411791199.4

    申请日:2024-12-06

    Abstract: 一种减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法,属于金刚石材料制备领域。在直流电弧等离子体CVD沉积金刚石厚膜后,采用交流线圈对Mo衬底进行加热退火处理,降低生长应力;退火完成后,缓慢降低Mo衬底温度,使得金刚石厚膜热应力缓慢释放,从而得到低应力、无裂纹的大尺寸金刚石厚膜。本发明利用交流线圈对Mo衬底进行加热退火和缓慢降温处理,既可以降低金刚石厚膜的生长应力,也可以缓慢释放热应力,降低金刚石厚膜因为应力过大而崩裂的可能性,应用工艺相对简单、效果优良。所制备的大尺寸金刚石厚膜可用于集成半导体器件的热沉材料或光学窗口。

    一种大尺寸金刚石功能结构件的制备与加工方法

    公开(公告)号:CN116532932A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310690168.9

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 一种大尺寸金刚石功能结构件的制备与加工方法,属于金刚石材料与加工领域。通过将多片金刚石焊接与激光雕刻成型,形成满足功能和结构应用的大尺寸金刚石材料,工艺步骤为:1、采用化学气相沉积的方法制备金刚石膜,再对满足力学与热学性能要求的金刚石膜进行切割、退火、研磨、抛光和清洗,金刚石膜研磨抛光后表面粗糙度0.1‑1.5m;2、在经过预处理后的金刚石表面沉积过渡层和焊接金属层;3、采用焊接技术对表面金属化后的金刚石膜进行组装焊接,焊接得到大尺寸金刚石复合材料;4、采用三维结构建模与激光加工成型相结合的方法对上述金刚石复合材料进行复杂结构的加工,实现三维结构的雕刻,满足功能结构件的装配要求。

    一种高功率远红外金刚石激光单晶复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN112941623A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110108188.1

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 一种高功率远红外金刚石激光单晶复合材料制备方法,属于金刚石激光晶体材料领域。首先采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)制备(100)金刚石单晶膜;随后经过激光平整化、抛光、酸洗以及丙酮和酒精清洗后获得热导率≥2000w/(m·K)、远红外波段(8~12μm)红外透过率为71%金刚石单晶膜;再通过磁控溅射方法在双面抛光金刚石单晶膜单面沉积1‑2nm厚(100)铟(In)层作为晶格失配缓冲层;最后在铟(In)层表面异质外延生长(100)硒铟镓银(AgGa1‑xInxSe2)非线性晶体材料,进而获得单晶硒铟镓银(AgGa1‑xInxSe2)/铟(In)/金刚石激光单晶复合材料。本发明金刚石激光单晶复合材料导热系数高、远红外激光输出功率大,特别适用于远红外固体激光器、光通讯等领域的应用需求。

    一种高功率远红外金刚石激光单晶复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN112941623B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202110108188.1

    申请日:2021-01-27

    Abstract: 一种高功率远红外金刚石激光单晶复合材料制备方法,属于金刚石激光晶体材料领域。首先采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)制备(100)金刚石单晶膜;随后经过激光平整化、抛光、酸洗以及丙酮和酒精清洗后获得热导率≥2000w/(m·K)、远红外波段(8~12μm)红外透过率为71%金刚石单晶膜;再通过磁控溅射方法在双面抛光金刚石单晶膜单面沉积1‑2nm厚(100)铟(In)层作为晶格失配缓冲层;最后在铟(In)层表面异质外延生长(100)硒铟镓银(AgGa1‑xInxSe2)非线性晶体材料,进而获得单晶硒铟镓银(AgGa1‑xInxSe2)/铟(In)/金刚石激光单晶复合材料。本发明金刚石激光单晶复合材料导热系数高、远红外激光输出功率大,特别适用于远红外固体激光器、光通讯等领域的应用需求。

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