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公开(公告)号:CN119753620A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411791199.4
申请日:2024-12-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/503 , C23C16/56
Abstract: 一种减小大尺寸直流电弧等离子体CVD金刚石厚膜中应力的方法,属于金刚石材料制备领域。在直流电弧等离子体CVD沉积金刚石厚膜后,采用交流线圈对Mo衬底进行加热退火处理,降低生长应力;退火完成后,缓慢降低Mo衬底温度,使得金刚石厚膜热应力缓慢释放,从而得到低应力、无裂纹的大尺寸金刚石厚膜。本发明利用交流线圈对Mo衬底进行加热退火和缓慢降温处理,既可以降低金刚石厚膜的生长应力,也可以缓慢释放热应力,降低金刚石厚膜因为应力过大而崩裂的可能性,应用工艺相对简单、效果优良。所制备的大尺寸金刚石厚膜可用于集成半导体器件的热沉材料或光学窗口。
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公开(公告)号:CN119194590A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411160436.7
申请日:2024-08-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于金刚石薄膜制备技术领域,涉及一种用于提高金刚石薄膜沉积速率的液相脉冲辉光放电装置,包括:微波谐振反应腔,其左右两端分别连接进气口、压力表及出气口、真空泵;腔体上部设置一高功率双极脉冲辉光放电电源,两极分别连接阴、阳极升降杆,通过一绝缘升降系统控制阴、阳极的上下移动;内部设有一液相反应容器,容器底部放置微波电极,与腔体下端的微波产生系统相连接。与传统气体反应腔相比,液相反应前驱体具有更高的等离子密度,沉积薄膜质量更好且具有更高的沉积速率,通过施加脉冲电源的阴阳极及辅助微波电极辉光放电产生高密度等离子区,加速液体中分子的运动速度和碰撞离化效率,能够有效实现金刚石薄膜的高速沉积。
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