公开(公告)号：CN113549867A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110780775.5

申请日：2021-07-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘金龙 ,  周吉 ,  李成明 ,  石志城 ,  白明洁 ,  李世谕 ,  李淑同 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  安康 ,  郑宇亭 ,  张建军

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/48 ,  F28F21/02

Abstract: 一种大冷量传输全碳柔性冷链结构的制备方法，属于新型导热材料制备技术领域。一种大冷量传输全碳柔性冷链结构，是中间为高导热柔性石墨膜，两端为CVD金刚石厚膜焊接而成的高导热柔性导热体。其工艺步骤为：1)裁剪高导热石墨膜；2)石墨膜通过表面金属离子注入与镀膜的方式实现金属化；3)将金属化后的石墨膜边缘通过热压扩散焊的方式焊接，形成石墨膜导热带；4)将高导热CVD金刚石厚膜进行研磨或抛光；5)根据石墨膜导热带宽度，在CVD金刚石厚膜表面加工相应尺寸的嵌入型沉槽结构；6)对表面加工后的CVD金刚石厚膜进行金属化后成为金刚石端头；7)将热压扩散焊焊接后的石墨膜导热带边缘置于CVD金刚石厚膜端头沉槽中，与金刚石间通过真空钎焊实现低热阻连接。

公开(公告)号：CN113549867B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202110780775.5

申请日：2021-07-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘金龙 ,  周吉 ,  李成明 ,  石志城 ,  白明洁 ,  李世谕 ,  李淑同 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  安康 ,  郑宇亭 ,  张建军

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/48 ,  F28F21/02

Abstract: 一种大冷量传输全碳柔性冷链结构的制备方法，属于新型导热材料制备技术领域。一种大冷量传输全碳柔性冷链结构，是中间为高导热柔性石墨膜，两端为CVD金刚石厚膜焊接而成的高导热柔性导热体。其工艺步骤为：1)裁剪高导热石墨膜；2)石墨膜通过表面金属离子注入与镀膜的方式实现金属化；3)将金属化后的石墨膜边缘通过热压扩散焊的方式焊接，形成石墨膜导热带；4)将高导热CVD金刚石厚膜进行研磨或抛光；5)根据石墨膜导热带宽度，在CVD金刚石厚膜表面加工相应尺寸的嵌入型沉槽结构；6)对表面加工后的CVD金刚石厚膜进行金属化后成为金刚石端头；7)将热压扩散焊焊接后的石墨膜导热带边缘置于CVD金刚石厚膜端头沉槽中，与金刚石间通过真空钎焊实现低热阻连接。

公开(公告)号：CN115261982B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202210917780.0

申请日：2022-08-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘金龙 ,  王鹏 ,  乔冠中 ,  李淑同 ,  赵上熳 ,  朱梓灵 ,  李成明 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  郑宇亭 ,  欧阳晓平 ,  张建军

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C30B33/06

Abstract: 一种基于侧面键合拼接生长大尺寸单晶金刚石的方法，属于金刚石半导体生长领域。通过侧面键合，对单晶金刚石籽晶进行拼接处理，形成马赛克拼接衬底，并在衬底上外延生长CVD金刚石，工艺步骤为：a.对单晶金刚石侧面进行抛光，以获得光滑的垂直侧面；b.对金刚石籽晶侧面进行Ar+离子束轰击，以去除侧面吸附的气体和天然氧化物；c.在籽晶侧面镀键合金属膜；d.将镀完膜后的籽晶或未镀膜但已经过Ar+处理的籽晶迅速进行键合，并压紧；e.对拼接衬底在同一个抛光工件上进行抛光处理；f.抛光后的衬底转移至微波等离子体化学气相沉积装置的腔室中，进行金刚石的外延生长。本发明籽晶结合紧密，可操作性强，衬底抛光后高度差小，表面状态相近利于大面积生长。

公开(公告)号：CN116532932A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310690168.9

申请日：2023-06-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘金龙 ,  李淑同 ,  叶盛 ,  王鹏 ,  栗正新 ,  黄珂 ,  苗建印 ,  陈良贤 ,  魏俊俊 ,  张建军 ,  李成明

IPC: B23P15/00

Abstract: 一种大尺寸金刚石功能结构件的制备与加工方法，属于金刚石材料与加工领域。通过将多片金刚石焊接与激光雕刻成型，形成满足功能和结构应用的大尺寸金刚石材料，工艺步骤为：1、采用化学气相沉积的方法制备金刚石膜，再对满足力学与热学性能要求的金刚石膜进行切割、退火、研磨、抛光和清洗，金刚石膜研磨抛光后表面粗糙度0.1‑1.5m；2、在经过预处理后的金刚石表面沉积过渡层和焊接金属层；3、采用焊接技术对表面金属化后的金刚石膜进行组装焊接，焊接得到大尺寸金刚石复合材料；4、采用三维结构建模与激光加工成型相结合的方法对上述金刚石复合材料进行复杂结构的加工，实现三维结构的雕刻，满足功能结构件的装配要求。

公开(公告)号：CN115261982A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210917780.0

申请日：2022-08-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘金龙 ,  王鹏 ,  乔冠中 ,  李淑同 ,  赵上熳 ,  朱梓灵 ,  李成明 ,  魏俊俊 ,  陈良贤 ,  郑宇亭 ,  欧阳晓平 ,  张建军

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C14/02 ,  C30B33/06

Abstract: 一种基于侧面键合拼接生长大尺寸单晶金刚石的方法，属于金刚石半导体生长领域。通过侧面键合，对单晶金刚石籽晶进行拼接处理，形成马赛克拼接衬底，并在衬底上外延生长CVD金刚石，工艺步骤为：a.对单晶金刚石侧面进行抛光，以获得光滑的垂直侧面；b.对金刚石籽晶侧面进行Ar+离子束轰击，以去除侧面吸附的气体和天然氧化物；c.在籽晶侧面镀键合金属膜；d.将镀完膜后的籽晶或未镀膜但已经过Ar+处理的籽晶迅速进行键合，并压紧；e.对拼接衬底在同一个抛光工件上进行抛光处理；f.抛光后的衬底转移至微波等离子体化学气相沉积装置的腔室中，进行金刚石的外延生长。本发明籽晶结合紧密，可操作性强，衬底抛光后高度差小，表面状态相近利于大面积生长。