一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101271955A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200810106202.9

    申请日:2008-05-09

    Abstract: 一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料,放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点,通过控制烧结工艺可获得致密、晶粒细小的显微结构。该方法通过机械合金化和放电等离子烧结制备Bi-S二元体系热电材料,具有工艺简便,合成和成型的时间短等优点。

    一种提高Bi-S二元体系热电材料性能的方法

    公开(公告)号:CN101358313B

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200810211660.9

    申请日:2008-09-22

    Abstract: 一种提高Bi-S二元体系热电材料性能的方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料,主要经过两步完成:第一步放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体,第二步采用放电等离子烧结技术进行热锻处理获得织构组织。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点,通过控制烧结工艺可获得均匀细小、具有择优取向的显微组织。该方法通过控制元素化学成分配比和晶粒取向来提高材料的热电性能,具有工艺简便,合成和成型的时间短等优点。

    一种Bi2S3纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN100560506C

    公开(公告)日:2009-11-18

    申请号:CN200810106199.0

    申请日:2008-05-09

    Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3纳米粉体的制备方法,属于纳米材料技术领域。该方法是将高纯Bi元素和S元素的单质按照最终产物化学计量比配置,一起放入行星式高能球磨机中,在惰性气保护下进行机械合金化,在一定转速下进行干磨直接合成化合物,然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨,最后烘干得到Bi2S3微细粉末。该方法的优点在于操作简单、廉价易得、时间短、颗粒尺寸可控、适合大批量生产。

    一种Bi2S3纳米粉体的制备方法

    公开(公告)号:CN101269837A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200810106199.0

    申请日:2008-05-09

    Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3纳米粉体的制备方法,属于纳米材料技术领域。该方法是将高纯Bi元素和S元素的单质按照最终产物化学计量比配置,一起放入行星式高能球磨机中,在惰性气保护下进行机械合金化,在一定转速下进行干磨直接合成化合物,然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨,最后烘干得到Bi2S3微细粉末。该方法的优点在于操作简单、廉价易得、时间短、颗粒尺寸可控、适合大批量生产。

    一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法

    公开(公告)号:CN101271955B

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN200810106202.9

    申请日:2008-05-09

    Abstract: 一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料,放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点,通过控制烧结工艺可获得致密、晶粒细小的显微结构。该方法通过机械合金化和放电等离子烧结制备Bi-S二元体系热电材料,具有工艺简便,合成和成型的时间短等优点。

    一种提高Bi-S二元体系热电材料性能的方法

    公开(公告)号:CN101358313A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200810211660.9

    申请日:2008-09-22

    Abstract: 一种提高Bi-S二元体系热电材料性能的方法,属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后,在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨,干磨合成化合物后再进行湿磨,烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料,主要经过两步完成:第一步放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体,第二步采用放电等离子烧结技术进行热锻处理获得织构组织。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点,通过控制烧结工艺可获得均匀细小、具有择优取向的显微组织。该方法通过控制元素化学成分配比和晶粒取向来提高材料的热电性能,具有工艺简便,合成和成型的时间短等优点。

    一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN100351409C

    公开(公告)日:2007-11-28

    申请号:CN200510130794.4

    申请日:2005-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法,属于能源材料技术领域。以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料,通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末,再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。工艺步骤包括:配置原料、机械合金化、放电等离子烧结、样品检测。本发明的优点在于:工艺简便,合成化合物时间短,烧结温度低、时间短,可获得细小、均匀的组织,能获得高致密度、高机械性能、高热电性能的热电材料。

    一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN1807666A

    公开(公告)日:2006-07-26

    申请号:CN200510130794.4

    申请日:2005-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种纳米SiC/Bi2Te3基热电材料的制备方法,属于能源材料技术领域。以高纯Bi粉、Te粉和纳米SiC为原料,通过机械合金化合成Bi2Te3化合物微细粉末,再利用放电等离子烧结工艺将掺杂纳米SiC颗粒的Bi2Te3前驱微细粉烧结成块体。工艺步骤包括:配置原料、机械合金化、放电等离子烧结、样品检测。本发明的优点在于:工艺简便,合成化合物时间短,烧结温度低、时间短,可获得细小、均匀的组织,能获得高致密度、高机械性能、高热电性能的热电材料。

Patent Agency Ranking