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公开(公告)号：CN1995437A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610144006.1
申请日：2006-11-24
Abstract: 纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料及其制备方法，属于新型能源材料技术领域。本方法是将Co、Sb以及掺杂元素单质粉末按照化学式：Co1－xMxSb3+ySiC进行配料，然后通过球磨得到均匀的微细粉末。利用放电等离子烧结在250～600℃下反应合成具有纳米SiC颗粒分散的块体CoSb3基热电材料。该方法的特点在于：利用放电等离子烧结直接合成CoSb3相，并利用弥散分散的SiC抑制CoSb3的晶粒生长，最终得到具有细晶组织的纳米SiC分散的CoSb3基热电材料。弥散纳米颗粒和细晶组织能增加声子散射降低热导率，从而获得更好热电性能。同时，由于纳米颗粒弥散增强，而使其具有更好的机械和加工性能。
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公开(公告)号：CN1712557A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510011734.0
申请日：2005-05-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法。在溅射设备内同时安装Cu、Au和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制，制备出具有纳米层状特征的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜；具体步骤为：先制备Cu或Au纳米颗粒单层膜，再沉积氧化物膜，然后沉积Cu或Au纳米颗粒单层膜，之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积，制成具有层状结构的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于：此种铜金纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中，铜金两种纳米颗粒以纯金属状态而不是以合金的状态存在，在特定的波长处可观察到两个吸收峰，具有优良的非线形光学特性。
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公开(公告)号：CN101271955B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200810106202.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Bi-S二元体系热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后，在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨，干磨合成化合物后再进行湿磨，烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料，放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点，通过控制烧结工艺可获得致密、晶粒细小的显微结构。该方法通过机械合金化和放电等离子烧结制备Bi-S二元体系热电材料，具有工艺简便，合成和成型的时间短等优点。
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公开(公告)号：CN101358313A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810211660.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种提高Bi－S二元体系热电材料性能的方法，属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后，在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨，干磨合成化合物后再进行湿磨，烘干得到Bi－S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料，主要经过两步完成：第一步放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi－S二元化合物块体，第二步采用放电等离子烧结技术进行热锻处理获得织构组织。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点，通过控制烧结工艺可获得均匀细小、具有择优取向的显微组织。该方法通过控制元素化学成分配比和晶粒取向来提高材料的热电性能，具有工艺简便，合成和成型的时间短等优点。
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公开(公告)号：CN100383275C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510011554.2
申请日：2005-04-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明供了一种金银纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法，属于金属纳米颗粒与无机非金属材料复合材料技术领域。在溅射设备内同时安装Au、Ag和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积速度的单独控制，制备出具有纳米层状特征的金银纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜；具体步骤为：先制备Au或Ag纳米颗粒单层膜，再沉积氧化物膜，然后沉积Au或Ag纳米颗粒单层膜，之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积，制成具有层状结构的金银纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于：具有优良的非线形光学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100379892C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510011734.0
申请日：2005-05-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法。在溅射设备内同时安装Cu、Au和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制，制备出具有纳米层状特征的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜；具体步骤为：先制备Cu或Au纳米颗粒单层膜，再沉积氧化物膜，然后沉积Cu或Au纳米颗粒单层膜，之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积，制成具有层状结构的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于：此种铜金纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中，铜金两种纳米颗粒以纯金属状态而不是以合金的状态存在，在特定的波长处可观察到两个吸收峰，具有优良的非线形光学特性。
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公开(公告)号：CN101358313B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810211660.9
申请日：2008-09-22
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种提高Bi-S二元体系热电材料性能的方法，属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后，在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨，干磨合成化合物后再进行湿磨，烘干得到Bi-S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料，主要经过两步完成：第一步放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi-S二元化合物块体，第二步采用放电等离子烧结技术进行热锻处理获得织构组织。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点，通过控制烧结工艺可获得均匀细小、具有择优取向的显微组织。该方法通过控制元素化学成分配比和晶粒取向来提高材料的热电性能，具有工艺简便，合成和成型的时间短等优点。
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公开(公告)号：CN100560506C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200810106199.0
申请日：2008-05-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G29/00
Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3纳米粉体的制备方法，属于纳米材料技术领域。该方法是将高纯Bi元素和S元素的单质按照最终产物化学计量比配置，一起放入行星式高能球磨机中，在惰性气保护下进行机械合金化，在一定转速下进行干磨直接合成化合物，然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨，最后烘干得到Bi2S3微细粉末。该方法的优点在于操作简单、廉价易得、时间短、颗粒尺寸可控、适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN101269837A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810106199.0
申请日：2008-05-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G29/00
Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3纳米粉体的制备方法，属于纳米材料技术领域。该方法是将高纯Bi元素和S元素的单质按照最终产物化学计量比配置，一起放入行星式高能球磨机中，在惰性气保护下进行机械合金化，在一定转速下进行干磨直接合成化合物，然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨，最后烘干得到Bi2S3微细粉末。该方法的优点在于操作简单、廉价易得、时间短、颗粒尺寸可控、适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN101220513A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710175304.1
申请日：2007-09-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种提高N型多晶Bi2Te3热电性能的热处理方法，属于能源材料技术领域。该方法分为N型多晶Bi2Te3热电材料的制备和退火处理两部分。首先将高纯Bi和Te元素单质进行机械合金化合成Bi2Te3化合物粉末，通过放电等离子烧结制备多晶N型Bi2Te3块体材料，然后将Bi2Te3块体材料进行真空退火处理。该方法通过退火处理提高了多晶N型Bi2Te3的热电性能，具有工艺简便、成本低和实用性强等优点。
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