基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法

    公开(公告)号:CN114038934A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111123932.1

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 本发明提供了一种基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,步骤包括:对碳化硅单晶片掺杂得到铝氮共掺杂碳化硅;通过阳极电化学刻蚀法在铝氮共掺杂碳化硅表面形成一维碳化硅;取一维碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上,分散剂挥发后在二氧化硅片表面形成分散平铺的一维碳化硅;在二氧化硅片上的一维碳化硅两端蒸镀高温合金电极;二氧化硅片退火氧化在一维碳化硅表面封装二氧化硅层。本发明提供的基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,制作简单、紫外光检测率高、能够适应高温环境且高温环境服役时间较长。

    用于感应温度与触摸的柔性自驱动传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114152357B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202111239509.8

    申请日:2021-10-25

    Abstract: 本发明提供了一种用于感应温度与触摸的柔性自驱动传感器,包括由PZT、MXene和PVDF构成且复合纤维之间充填PDMS的复合纤维层,复合纤维层两端的Au电极,及包覆在复合纤维层和Au电极上的PDMS层。本发明还提供了一种用于感应温度与触摸的柔性自驱动传感器的制备方法。本发明提供的用于感应温度与触摸的柔性自驱动多功能传感器及其制备方法,操作简单,实用性强,传感器不仅具有较高的传感性能、柔韧性和机械强度,还能在经过累计的极化反转后依然保持稳定的传感能力,同时还能有效防止铅等有毒物质的泄露。

    一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN114334631A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111415718.3

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法,通过将硼铝共掺杂到碳化硅中,能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时,也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度,从而进一步优化了其光响应能力,提高了视觉传感的灵敏度;此外,通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中,能够增加碳化硅的结构不对称性,从而提升了其压电系数,增加其压电响应能力,进而提高了触觉传感的灵敏度;基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理,可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构,使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之,本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。

    基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法

    公开(公告)号:CN114038934B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202111123932.1

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 本发明提供了一种基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,步骤包括:对碳化硅单晶片掺杂得到铝氮共掺杂碳化硅;通过阳极电化学刻蚀法在铝氮共掺杂碳化硅表面形成一维碳化硅;取一维碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上,分散剂挥发后在二氧化硅片表面形成分散平铺的一维碳化硅;在二氧化硅片上的一维碳化硅两端蒸镀高温合金电极;二氧化硅片退火氧化在一维碳化硅表面封装二氧化硅层。本发明提供的基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,制作简单、紫外光检测率高、能够适应高温环境且高温环境服役时间较长。

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