一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN114334631A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111415718.3

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法,通过将硼铝共掺杂到碳化硅中,能够将碳化硅的光响应范围由紫外光区扩展到可见光区的同时,也提升了碳化硅在光照条件下的光生载流子浓度,从而进一步优化了其光响应能力,提高了视觉传感的灵敏度;此外,通过将氮掺杂到硼铝共掺杂的碳化硅中,能够增加碳化硅的结构不对称性,从而提升了其压电系数,增加其压电响应能力,进而提高了触觉传感的灵敏度;基于对硼铝氮共掺杂碳化硅进行阳极电化学刻蚀处理,可得到形貌不同的一维碳化硅纳米结构,使一体化传感器可应用于更广泛的环境中。总之,本发明提供了一种操作过程简单、实用性强的基于共掺杂SiC纳米材料的传感器的制备方法。

    织构化一维全无机铅基卤素钙钛矿聚合物复合纤维、压电器件及制备方法

    公开(公告)号:CN116121900B

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN202310086616.4

    申请日:2023-02-09

    Abstract: 本发明实施例公开了织构化一维全无机铅基卤素钙钛矿聚合物复合纤维、压电器件及制备方法;制备方法包括:Cs源、Pb源、聚合物、配体与有机溶液混合,制得前驱液;其中,Cs源为CsX,Pb源为PbX2,其中,X为Cl、Br、I中任一种;聚合物为聚偏氟乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中任一种;配体为油酸、油胺的任一种组合;有机溶液为N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的任一种组合;前驱液中,Cs源与Pb源与前驱液的质量比为4~20%,油胺和油酸与前驱液的质量比为3~12%,聚合物与前驱液的质量比为4~16%;前驱液经静电纺丝过程制得织构化一维CsPbX3/聚合物复合纤维;其中,静电纺丝电压设定为10~20kV、温度设定为20~80℃,收集筒转速设定为100~1000r/min。

    基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法

    公开(公告)号:CN114038934A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111123932.1

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 本发明提供了一种基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,步骤包括:对碳化硅单晶片掺杂得到铝氮共掺杂碳化硅;通过阳极电化学刻蚀法在铝氮共掺杂碳化硅表面形成一维碳化硅;取一维碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上,分散剂挥发后在二氧化硅片表面形成分散平铺的一维碳化硅;在二氧化硅片上的一维碳化硅两端蒸镀高温合金电极;二氧化硅片退火氧化在一维碳化硅表面封装二氧化硅层。本发明提供的基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,制作简单、紫外光检测率高、能够适应高温环境且高温环境服役时间较长。

    基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法

    公开(公告)号:CN114038934B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202111123932.1

    申请日:2021-09-24

    Abstract: 本发明提供了一种基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,步骤包括:对碳化硅单晶片掺杂得到铝氮共掺杂碳化硅;通过阳极电化学刻蚀法在铝氮共掺杂碳化硅表面形成一维碳化硅;取一维碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上,分散剂挥发后在二氧化硅片表面形成分散平铺的一维碳化硅;在二氧化硅片上的一维碳化硅两端蒸镀高温合金电极;二氧化硅片退火氧化在一维碳化硅表面封装二氧化硅层。本发明提供的基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,制作简单、紫外光检测率高、能够适应高温环境且高温环境服役时间较长。

    织构化一维全无机铅基卤素钙钛矿聚合物复合纤维、压电器件及制备方法

    公开(公告)号:CN116121900A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310086616.4

    申请日:2023-02-09

    Abstract: 本发明实施例公开了织构化一维全无机铅基卤素钙钛矿聚合物复合纤维、压电器件及制备方法;制备方法包括:Cs源、Pb源、聚合物、配体与有机溶液混合,制得前驱液;其中,Cs源为CsX,Pb源为PbX2,其中,X为Cl、Br、I中任一种;聚合物为聚偏氟乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中任一种;配体为油酸、油胺的任一种组合;有机溶液为N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的任一种组合;前驱液中,Cs源与Pb源与前驱液的质量比为4~20%,油胺和油酸与前驱液的质量比为3~12%,聚合物与前驱液的质量比为4~16%;前驱液经静电纺丝过程制得织构化一维CsPbX3/聚合物复合纤维;其中,静电纺丝电压设定为10~20kV、温度设定为20~80℃,收集筒转速设定为100~1000r/min。

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