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公开(公告)号：CN109455675B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811428631.8
申请日：2018-11-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于缺陷调控领域，涉及一种简单、温和、精确的过渡金属族硫化物硫空位的过渡金属族硫化物纳米片硫空位的制备方法。将制备好的过渡金属族硫化物纳米片转移到和它可牢固结合的基底上，放入配制的弱氧化性溶液中浸泡，随后用DI水洗掉残余的溶液，并用热板干燥。利用弱氧化性离子的电子诱导和过渡金属族硫化物硫空位的形成能的匹配，可以精确地实现硫空位的构筑而不引入其他类型的缺陷。此外，这种方法相比于传统的物理缺陷控制策略，不会引起局部材料的褶皱和破损。可以大面积的操控过渡金属族硫化物中的硫空位。同时，也和传统CMOS工艺兼容。因此，对于探索过渡金属族硫化物中硫空位的特性调控和推动缺陷工程的应用具有极大的意义。
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公开(公告)号：CN109638152A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811426960.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于逻辑运算器领域，涉及一种过渡金属族硫化物同质结逻辑运算器及其构筑方法。构筑方法为：对一个过渡金属族硫化物纳米片的一半区域进行保护，另一半未保护的区域用弱氧化性溶液进行硫空位的构筑。而过渡金属族硫化物的电子特性受硫空位调控的影响明显，从而在保护区域和硫空位构筑区域产生了电子浓度差，形成同质结。在原始区域，硫空位构筑区域和同质结区域构筑电极之后便可得到同质结逻辑运算器，避免了复杂范德华异质结堆垛的工艺和不稳定的器件界面和不稳定的P/N掺杂，提供一个简单稳定的同质结逻辑运算器构筑新途径。由于二维过渡金属族硫化物超薄的特性，将在下一代柔性，透明，大规模集成电子器件上面具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN109455675A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811428631.8
申请日：2018-11-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于缺陷调控领域，涉及一种简单、温和、精确的过渡金属族硫化物硫空位的过渡金属族硫化物纳米片硫空位的制备方法。将制备好的过渡金属族硫化物纳米片转移到和它可牢固结合的基底上，放入配制的弱氧化性溶液中浸泡，随后用DI水洗掉残余的溶液，并用热板干燥。利用弱氧化性离子的电子诱导和过渡金属族硫化物硫空位的形成能的匹配，可以精确地实现硫空位的构筑而不引入其他类型的缺陷。此外，这种方法相比于传统的物理缺陷控制策略，不会引起局部材料的褶皱和破损。可以大面积的操控过渡金属族硫化物中的硫空位。同时，也和传统CMOS工艺兼容。因此，对于探索过渡金属族硫化物中硫空位的特性调控和推动缺陷工程的应用具有极大的意义。
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公开(公告)号：CN109638152B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811426960.9
申请日：2018-11-27
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于逻辑运算器领域，涉及一种过渡金属族硫化物同质结逻辑运算器及其构筑方法。构筑方法为：对一个过渡金属族硫化物纳米片的一半区域进行保护，另一半未保护的区域用弱氧化性溶液进行硫空位的构筑。而过渡金属族硫化物的电子特性受硫空位调控的影响明显，从而在保护区域和硫空位构筑区域产生了电子浓度差，形成同质结。在原始区域，硫空位构筑区域和同质结区域构筑电极之后便可得到同质结逻辑运算器，避免了复杂范德华异质结堆垛的工艺和不稳定的器件界面和不稳定的P/N掺杂，提供一个简单稳定的同质结逻辑运算器构筑新途径。由于二维过渡金属族硫化物超薄的特性，将在下一代柔性，透明，大规模集成电子器件上面具有极大的应用前景。
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