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公开(公告)号:CN118723935B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202410917483.5
申请日:2024-07-10
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种多层转角过渡金属硫族化合物及其制备方法,包括如下步骤:在氩气/氢气氛围下,分别加热硫源、过渡金属氧化物和旋涂有氧化硅纳米球的300nm氧化硅/硅衬底,产生气态硫和气态过渡金属氧化物,使气态硫和气态过渡金属氧化物反应,通过氧化硅纳米球作为反应初期的形核点在300nm氧化硅/硅衬底上沉积多层转角过渡金属硫族化合物。与现有技术相比,本发明制备的多层转角过渡金属硫族化合物中,每相邻两层过渡金属硫族化合物具有0°~60°范围内的任意角度的层间转角,且至少有两个层间转角的角度不相等,更多层数和更多随机转角的多层转角过渡金属硫族化合物具有新奇的物理现象,可以为研究转角体系提供样品和测试的可能。
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公开(公告)号:CN118867156A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410753534.5
申请日:2024-06-12
Applicant: 南华大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/58 , H01M10/052 , C01B17/20 , C01B19/04 , C01B32/184 , C01B32/05 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本申请公开了过渡金属及贫金属硫‑硒‑碲的复合材料及其制备与应用,属于钠离子电池负极材料领域,其化学式为[(1‑w)AnSm/wApSeq]BxTey@rGO,AnSm相与ApSeq形成异质结结构,AnSm与ApSeq的混合相再被BxTey相包覆并相互形成异质结结构,并形成由无定形碳包覆的颗粒,所述颗粒分散在还原氧化石墨烯表面。本申请不仅形成了三层异质结结构,提高了离子扩散动力学,且引入碲化物进一步提高了材料的反应动力学。因此,采用该复合物制作的钠离子电池负极材料具有优异的倍率性能和循环稳定性能。
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公开(公告)号:CN117023519A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202310750573.5
申请日:2023-06-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种超疏水型不饱和过渡金属硫族化合物及其合成方法与应用。本发明是将硫族单质粉末加热至熔融温度以上形成熔融态硫族单质,通过熔融态硫族单质与还原剂混合进行歧化反应,再加入强酸性含过渡金属阳离子的溶液进行老化,即得具有均一孔道结构和大量表面缺陷位点,以及具有超疏水表面的过渡金属硫族化合物。同时该过渡金属硫族化合物的抗水性好,对非极性原子和分子表现出较高的选择性吸附性能,可以用于高湿烟气中重金属单质或氧化物等脱除,同时,其具有特殊的孔道结构和大量的催化活性位点,对氧化性气体表现出较好的吸附捕获和催化转化活性,可以作为电还原催化剂使用。
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公开(公告)号:CN116169012B
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202310461728.3
申请日:2023-04-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有室温铁磁和铁电性的二维层状半导体材料的制备方法。所述方法包括:(1)将乙酸锰粉末与胆酸钠粉末混合溶于水中形成前驱液;(2)将前驱液旋涂在洁净的硅片表面;(3)采用双温区管式炉,将高铼酸铵粉末与氯化钠粉末置于下游石英舟内,将旋涂完成的硅片置于混合粉末上方,将升华硫粉末置于上游石英舟中;(4)反应物预热:将上下游温区升温至指定温度并通入氩气;(5)保温反应;(6)自然冷却至室温,制得二维层状锰掺杂二硫化铼材料。本发明的二维层状锰掺杂二硫化铼材料同时具有铁电性与铁磁性,且铁磁与铁电转变温度均超过室温。
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公开(公告)号:CN116190637A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202310120193.3
申请日:2023-02-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/62 , H01M4/36 , H01M10/054 , C01B17/20
Abstract: 本发明公开了一种钾离子电池负极复合材料的制备方法,包括以下步骤:将水合硝酸铟和对苯二甲酸加入N,N‑二甲基甲酰胺溶液中溶解,随后加入乙酸钠溶液,加热反应,收集混合液离心洗涤,取洗净的沉淀物烘干,得到In‑MOF;在氩气气氛、400~450℃下用硫代乙酰胺将In‑MOF硫化成In2S3/C材料,硫代乙酰胺与In‑MOF的质量比为4~5:1;用尿素对In2S3/C材料进行氮掺杂,在氩气气氛、300~600℃反应。本发明的N‑In2S3/C钾离子电池负极复合材料,N取代S掺杂在In2S3上,增加缺陷和活性位点,增强化学键极性和电导率,降低扩散能垒,有利于钾离子存储、扩散和传输,增强电化学性能。
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公开(公告)号:CN114917790A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210397220.7
申请日:2022-04-15
Applicant: 杨东建
Abstract: 本发明涉及化工生产技术领域,具体为一种硫化物收集设备,包括收集罐,储液腔,进液管,冲洗管,排料口,电机,所述电机的输出轴末端固定安装有转轴,所述转轴的下端贯穿收集罐的顶壁并延伸至储液腔的内部,所述转轴的下端于储液腔的内部固定安装有多个连接杆,每个所述连接杆的一端均固定安装有矩形板,每个所述矩形板的内部均对称开设有多个斜口。本发明通过电机带动转轴转动,进而带动储液腔内部的连接杆以及矩形板顺时针转动,使得储液腔内部的流体向着矩形板的上下两侧流动,然后使得流体分散到储液腔的内部,进而提高溶液的混合程度。
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公开(公告)号:CN110002407B
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN201810012050.X
申请日:2018-01-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种通过碳热反应反应合成金属M的硫化物的方法,其中M为M所述的为Ti、Zr、Hf、Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Fe、Co、Ni、Mn、Cu、Zn、Si、Ge、Pb、Sn、Ag、Au、Pt、Pd、Rh、Ir、Ru、Os、Re、Al、B、Ga、In、Tl、Sc、Y、U、镧系、锕系中的一种或者多种。采用金属氧化物与碳和硫按一定比例均匀混合,将混合物在高温真空环境下进行反应,从而制备金属M的固态硫化物。该方法从金属氧化物出发,所用原料廉价易得,生产工艺简单且安全可行,反应速度快,为金属硫化物的批量化生产提供了一种新方法。
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公开(公告)号:CN113666341A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202110974033.6
申请日:2021-08-24
Applicant: 昆明理工大学
Inventor: 杨佳 , 张君 , 王薇 , 侯堪文 , 黄滔 , 张雅婷 , 杨海艳 , 曹成松 , 徐宝强 , 李绍元 , 杨斌 , 马文会 , 熊恒 , 蒋文龙 , 李一夫 , 田阳 , 刘大春 , 戴永年
Abstract: 本发明涉及一种硫属化合物管状材料的制备方法,属于光电材料制备技术领域。本发明将固体硫族元素原料放置在双温区炉反应器的低温加热区,将金属原料放置在双温区炉反应器的高温硫化反应区,采用惰性气体进行洗气,然后对低温加热区的固体硫族元素原料和高温硫化反应区的金属原料进行加热,低温加热区的固体硫族元素原料释放气态硫族元素与高温硫化反应区的金属原料反应生成气相硫属化合物,气相硫属化合物在基底上冷凝即得硫属化合物管状材料。本发明硫属化合物管状材料的制备工艺简单,可大规模生产,硫属化合物管状材料的比表面积大,能够更好的捕集光子,加速光生载流子的传输速率,适合应用于光电半导体领域。
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公开(公告)号:CN112823137A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN201980066585.8
申请日:2019-10-11
Applicant: 先进材料发展有限公司
Abstract: 由3D层状材料制备的纳米片,包括以下步骤:提供所述3D层状材料的分散体,对所述分散体加压,使所述分散体迅速减压以产生将所述3D层状材料剥离成纳米片的剪切力,和/或提供所述3D层状材料的分散体,形成所述分散体在第一方向上沿第一流动路径的第一流,通过使所述第一流反向或通过在第二流动路径上形成第二流而形成所述分散体在第二方向上沿第二流动路径的所述第二流,其中,所述第二流动路径与所述第一流动路径基本上反向且不同轴,凭此在所述第一流动路径上的材料与所述第二流动路径上的材料之间的剪切力将所述3D层状材料剥离成纳米片。还提供了用于实施本发明的设备和由本发明获得的纳米片。
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公开(公告)号:CN109928369B
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN201910313329.6
申请日:2019-04-18
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种非层状金属硫化物纳米片的制备方法。所述非层状金属硫化物纳米片的制备方法包括如下步骤:将金属盐、硫源溶解于有机溶剂中,混匀反应,得第一浑浊溶液;加热至澄清透明,通入惰性气体,进行光照反应,然后冷却至室温,得第二浑浊溶液;洗涤、离心分离、干燥得非层状金属硫化物纳米片。本发明提供的制备方法原料种类少、工艺简单、条件温和、具有普适性,且纳米片形貌可控。且由该方法制备得到的非层状金属硫化物纳米片厚度小,为1.2‑9nm,具有良好的各向异性和结晶性,以及良好的应用前景。
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