-
公开(公告)号：CN119394439A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411067061.X
申请日：2024-08-05
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学 , 无锡微文半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种高光谱成像装置，是基于MEMS微镜的微型傅里叶变换光谱仪为核心的高光谱系统，包含光束处理单元、含MEMS矩阵式微镜的迈克尔逊干涉系统、单颗/阵列式光电探测器。MEMS矩阵式微镜接收二维平面图像的每个子区域的光信号并产生与之对应的干涉信号。单颗/阵列式光电探测器接收干涉信号，并根据干涉信号和二维平面图像处理后得到被测物体的高光谱图像立方体，以实现将被测物体分区块检测的功能。本申请具备以下特点：矩阵式微镜的每颗微镜单独运动，将该子区域的光束调制后，依次传入单颗光电探测器最后按顺序拼接成整张图像，或者传入阵列式光电探测器实现一次成像。
-
公开(公告)号：CN111580265B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202010349895.5
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 无锡微文半导体科技有限公司
Abstract: 公开了一种微机电系统微镜及其制作方法，该微镜包括：驱动器，驱动器包括驱动部和由驱动部支撑的结构平台，驱动部带动结构平台移动或转动；镜面结构，位于结构平台远离驱动部的一侧，且镜面结构远离结构平台的一侧至少具有一个可反射镜面；定位结构，包括至少一个凸起部和至少一个凹陷部，凸起部和凹陷部中的任意一者位于结构平台上，另一者位于镜面结构上，且凸起部与凹陷部相匹配，其中，结构平台在驱动部的带动下向靠近镜面结构的方向运动，由定位结构将结构平台和镜面结构相互连接匹配，形成微机电系统微镜。通过驱动部来使结构平台朝向镜面结构运动，又有定位部使二者相匹配，提高了微镜的表面质量，且无需人工参与，保护了微镜结构。
-
公开(公告)号：CN119330302A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437454.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法、MEMS压力传感器及其制备方法，涉及先进制造技术领域。本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法，包括以下步骤：在原始SiC晶圆的表面依次外延n型缓冲层、p型外延层和n型外延层，形成表面层叠有n型缓冲层、p型外延层和n型外延层的SiC晶圆；将Si晶圆与所述n型外延层进行临时键合后对原始SiC晶圆的另一面进行研磨减薄、抛光，得到加工后的SiC晶圆。本发明通过将原始SiC晶圆和Si晶圆键合后进行研磨减薄，避免了对SiC晶圆深刻蚀加工，显著降低SiC晶圆的生产成本和难度；通过抛光提高了SiC晶圆表面的形貌均匀度。
-
公开(公告)号：CN119330296A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411440725.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的法布里‑珀罗腔，包括静电驱动器和FP腔，静电驱动器包括基底层、埋氧层以及器件层，器件层包括外框架、固定梳齿、内框架和可动梳齿，固定梳齿以及可动梳齿均具有电极且能够与外部控制电路连接，以在固定梳齿以及可动梳齿之间形成梳齿电容；FP腔包括平行设置的第一面板和第二面板。静电驱动器采用梳齿方式驱动，可以实现对FP腔相对位置的精准驱动与控制，通过对FP腔施加电压，改变FP腔平行的两面板之间的距离，并通过对梳齿电容的检测，实现位置检测，进而实现对FP腔平行的两面板的距离控制。通过先进封装技术，实现电极的引出与各种气氛或真空环境的封装，提高FP腔的实用性。
-
公开(公告)号：CN118603071A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410812589.9
申请日：2024-06-22
Applicant: 中北大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院 , 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及三轴陀螺仪，具体是一种全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片。本发明解决了现有三轴陀螺仪测量精度低、灵敏度低的问题。全解耦四质量对称单片三轴MEMS陀螺芯片，包括谐振子部分和电极部分；所述谐振子部分包括中心锚点；中心锚点的外侧面连接有两根呈左右对称分布的直形支撑悬梁A；所述电极部分包括正方形基座；正方形基座的上表面溅射有中心点状平面电极、四个沿周向对称分布的等腰梯形平面电极、四个沿周向对称分布的格栅形平面电极、四对沿周向对称分布的外围点状平面电极A、四个沿周向对称分布的外围点状平面电极B、四对沿周向对称分布的条形平面电极。本发明适用于军事导航、深空探测等高精尖领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117963832A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410042150.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括SiC、金属引线、金属电极、氧化硅绝缘层、SOI的器件层、SOI的埋氧层、SOI的基底层和空腔。SOI晶圆由三层结构组成，最上层为器件层，中间层为埋氧层，最下层为基底层。将生长有氧化硅绝缘层的SiC晶圆与SOI晶圆进行键合，SOI晶圆的器件层和SiC晶圆的氧化硅绝缘层通过阳极键合进行永久性结合。抛光、图形化处理后的SiC形成SiC块，将SiC块作为压敏结构。光刻图形化形成金属电极和金属引线。本发明通过采用预定掺杂参数的碳化硅，将碳化硅和载片进行键合，避免对碳化硅的外延和掺杂等二次加工，显著降低碳化硅器件的生产成本和难度。
-
公开(公告)号：CN117547205A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311739353.9
申请日：2023-12-18
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了焦点独立可调的三模态内窥探头装置及方法，装置包括用于传输光声显微成像用激光的第一光纤、用于传输光学相干层析成像用激光的第二光纤、用于传输共聚焦显微成像用激光的第三光纤、用于使激光准直、汇聚或发散的第一透镜、用于使激光汇聚的第二透镜、用于反射激光至成像端面的MEMS扫描反射镜和超声探头，第一光纤、第二光纤和第三光纤与第一透镜之间的距离独立可调。本发明将光声显微成像、光学相干层析成像和共聚焦显微成像相融合,利用MEMS扫描成像技术，同时对腔内组织、血管和细胞等多目标物成像；且调整光纤与第一透镜的相对位置，可实现多模态各自焦点可调和共焦平面成像，保持最佳分辨率水平和成像质量。
-
公开(公告)号：CN116247401A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310244621.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法，包括波导组件和MEMS位移执行器，波导组件构成一个N阶太赫兹滤波器，MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变所述N阶太赫兹滤波器的N个矩形谐振腔的宽度，以实现太赫兹滤波器的中心频率可重构。本发明具有大范围连续调节太赫兹波工作频率的功能，解决了当前太赫兹射频前端系统中工作频率调节困难且频率调节不连续的问题；利用这种MEMS微型可动结构调节太赫兹滤波器的工作频率，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且体积大的问题；通过同步对称改变太赫兹波导滤波器谐振宽度的方法，实现太赫兹滤波器的工作频率连续可调而工作带宽保持不变。
-
公开(公告)号：CN116247401B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310244621.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法，包括波导组件和MEMS位移执行器，波导组件构成一个N阶太赫兹滤波器，MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变所述N阶太赫兹滤波器的N个矩形谐振腔的宽度，以实现太赫兹滤波器的中心频率可重构。本发明具有大范围连续调节太赫兹波工作频率的功能，解决了当前太赫兹射频前端系统中工作频率调节困难且频率调节不连续的问题；利用这种MEMS微型可动结构调节太赫兹滤波器的工作频率，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且体积大的问题；通过同步对称改变太赫兹波导滤波器谐振宽度的方法，实现太赫兹滤波器的工作频率连续可调而工作带宽保持不变。
-
公开(公告)号：CN117963831A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410042018.1
申请日：2024-01-11
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于SiC膜片的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括由Si晶圆制作的基底、P型SiC、N型SiC、刻蚀掩膜层、压敏电阻、体型引线、绝缘层、引线和空腔。采用P型SiC作为传感器压敏芯片的膜片材料。N型SiC位于上层。使用低压热壁化学气相沉积系统在SiC晶圆的Si面外延生长N型外延层。在外延面旋涂光刻胶，图形化刻蚀掩膜层。本发明提供三种制作方法用于制作基于SiC膜片的耐高温MEMS器件。三种方法均Si晶圆作为传感器压敏芯片的基底材料，SiC和硅晶圆进行键合，实现准SiC的压力传感器制作。本发明通过引入硅晶圆能够避免刻蚀SiC，进而降低工艺加工难度，提高MEMS器件的良率，降低成本，发挥SiC的耐高温性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.063 seconds)
