公开(公告)号：CN106653897A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510742016.4

申请日：2015-11-04

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王吉宁 ,  韩皓 ,  刘晓鹏 ,  蒋利军 ,  王树茂

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次层叠的衬底、背电极层、铜锌锡硫硒吸收层、缓冲层、透明导电氧化物层及顶电极，所述缓冲层由(Zn1-xMgx)O制成，其中0.1≤x≤0.25，其厚度为50nm-80nm。所述太阳能电池中的各层均采用磁控溅射技术制备。本发明采用(Zn1-xMgx)O缓冲层替换铜锌锡硫硒薄膜电池常用的CdS缓冲层和本征ZnO层，具备以下优点：1)通过调节(Zn1-xMgx)O中的Zn/Mg，可以优化铜锌锡硫硒/缓冲层界面处的导带边失调值，提高电池的开路电压；2)避免了CdS中的有毒元素Cd，利于电池大规模应用；3)简化了电池制备工艺。

公开(公告)号：CN106637107A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201510740810.5

申请日：2015-11-04

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 王吉宁 ,  韩皓 ,  刘晓鹏 ,  蒋利军 ,  王树茂

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/5806

Abstract: 本发明公开了一种Se/S比连续可调的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜的制备方法，其中0≤x≤1，该方法包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)以Cu2(S1-xSex)、Zn(S1-xSex)和Sn(S1-xSex)2为靶材，采用磁控溅射技术制备沉积态薄膜；3)对薄膜进行热处理，获得晶化的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜。采用本发明的制备方法能够获得金属元素比例一致并且Se/S比连续可调的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜。