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公开(公告)号：CN109900627A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711303398.6
申请日：2017-12-08
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: G01N17/00
Abstract: 本发明公开了一种集热器用太阳能吸收膜的耐酸雾性能评价方法。该方法包括如下步骤：固定H2SO4酸雾温度T’，测量不同pH酸雾下吸收膜吸收率α和发射率ε随酸雾腐蚀时间t的变化关系；取上述酸雾中某一特定pH酸雾，测量不同酸雾温度T下吸收膜α和ε随酸雾腐蚀时间t的变化关系，其中T包含T’；由不同温度和pH酸雾数据拟合得出吸收膜α和ε变化量Δα和Δε的表达式；将Δα和Δε代入pc＝0.5Δε-Δα，得出吸收膜pc值表达式，达到预测吸收膜耐酸雾寿命的目的。上述步骤中，酸雾pH值的选取范围[4，6.5]，酸雾温度的选取范围[293K，333K]。本发明制定出具体的吸收膜酸雾环境下的寿命评价方法，可量化考核吸收膜的耐酸雾性能。
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公开(公告)号：CN108155256A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611100388.8
申请日：2016-12-02
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L31/032 , H01L31/065 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种吸收层具有元素梯度的铜锌锡硫薄膜太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次层叠的衬底、背电极层、CZTS吸收层、缓冲层、透明导电氧化物层及顶电极，其中，CZTS吸收层在厚度方向上具有Cu和Zn元素梯度，其化学式为CuaZnbSnSc，其中，1.6≤a≤2，1≤b≤1.35，3.8≤c≤4.5。本发明在电池吸收层铜锌锡硫沉积过程中，通过改变不同深度下Cu(Zn)元素的沉积量，在吸收层厚度方向形成Cu和Zn元素的梯度分布，构建具有梯度带隙结构的铜锌锡硫薄膜太阳能电池。该方法能够有效增大电池的短路电流，并进而提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109900625A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201711303396.7
申请日：2017-12-08
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: G01N17/00
Abstract: 一种集热器用太阳能吸收膜复合腐蚀环境下的寿命评价方法，包括：将含有盐和酸的复合腐蚀环境分解成单一盐雾腐蚀环境和单一酸雾腐蚀环境，并分别做盐雾腐蚀试验和酸雾腐蚀试验；固定盐雾和酸雾温度，测量不同盐雾浓度和不同pH值酸雾下吸收膜吸收率和发射率随盐雾和酸雾腐蚀时间的变化关系；取上述某一特定盐雾浓度和某一特定pH酸雾，测量不同盐雾和酸雾温度下吸收率和发射率随腐蚀时间的变化关系；由不同温度、不同浓度盐雾数据和不同温度、不同pH酸雾数据拟合得出吸收率和发射率变化量的表达式；分别得出吸收膜在盐雾和酸雾环境下pc值表达式；将两个pc值表达式相加，得出吸收膜在复合腐蚀环境下的总pc值表达式，预测吸收膜复合腐蚀环境下的寿命。
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公开(公告)号：CN106892576A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510958545.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3417 , C03C2217/70
Abstract: 本发明公开了一种多层纳米空心阵列减反射膜及其制备方法。该减反射膜的内部是由排列整齐致密的纳米空心球单层二氧化硅和二氧化钛交替叠加构成的具有闭孔结构的多层膜，层数为2-30层，最外层为致密封闭的二氧化硅膜层。其制备方法包括以下步骤：以正硅酸乙酯、去离子水、酸催化剂、无水乙醇为原料，制备溶胶A，向其中加入聚苯乙烯颗粒得到悬浮液C；以钛酸四丁酯、去离子水、无水乙醇、二乙醇胺为原料，制备溶胶B，向其中加入聚苯乙烯颗粒得到悬浮液D；将清洁后的玻璃在悬浮液C中进行提拉镀膜后退火，再将镀膜玻璃在悬浮液D中进行提拉镀膜后退火，重复该操作1-25次；最后在溶胶A中进行提拉后退火，得到表面封闭、内部纳米空心阵列结构的减反射膜。
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公开(公告)号：CN106637107A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510740810.5
申请日：2015-11-04
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了一种Se/S比连续可调的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜的制备方法，其中0≤x≤1，该方法包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)以Cu2(S1-xSex)、Zn(S1-xSex)和Sn(S1-xSex)2为靶材，采用磁控溅射技术制备沉积态薄膜；3)对薄膜进行热处理，获得晶化的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜。采用本发明的制备方法能够获得金属元素比例一致并且Se/S比连续可调的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105803392A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410841847.2
申请日：2014-12-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜的制备方法，属于光学薄膜制备技术领域。本方法包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在磁控溅射制备Cu2ZnSn(S1-xSex)4(0≤x≤1)薄膜过程中共溅射NaF，或者交替分层制备Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜与NaF薄膜；3)对薄膜进行热处理。本发明通过采用上述两种Na掺杂方式，能够有效提高Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜的Na掺杂均匀性，进而提高Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105776884A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410820241.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明公开了一种多孔二氧化硅减反射膜及其制备方法，该减反射膜具有内部空心孔结构，孔径大小为10-20nm。其制备方法包括以下步骤：(1)以正硅酸乙酯、去离子水、碱催化剂、无水乙醇、聚合电解质模板剂为原料制备二氧化硅空心球颗粒；(2)以该二氧化硅空心球颗粒、正硅酸乙酯、去离子水、酸催化剂、无水乙醇作为原料制备溶胶；(3)将清洗洁净的玻璃基片从该溶胶中提拉镀膜并进行退火。本发明制备的减反射膜兼具硬度大，膜层附着力好的优点。本发明制备的减反射膜兼具玻璃基底无需腐蚀前处理、制备成本低、工艺简单、耐候性好、耐刮擦等特点，符合于工业生产和应用。
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公开(公告)号：CN105776883A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410818287.9
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅颗粒成膜制备减反射膜的方法，该减反射膜具有多孔结构，孔径大小为5-40nm。其制备方法包括以下步骤：(1)以正硅酸乙酯、去离子水、碱催化剂、无水乙醇为原料制备胶液A；(2)将胶液A陈化后进行回流处理去除碱催化剂；(3)以经回流处理后的胶液A、正硅酸乙酯、去离子水、酸催化剂、无水乙醇为原料制备胶液B；(4)将清洗洁净的玻璃基片从溶胶B中提拉镀膜并进行退火。本发明制备的减反射膜兼具透过率高，硬度、膜层附着力大，耐候性好的特点。本发明制备的减反射膜兼具玻璃基底无需腐蚀前处理、制备成本低、工艺简单、耐候性好、耐刮擦等特点，符合于工业生产和应用。
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公开(公告)号：CN105439459A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410438124.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C17/23
Abstract: 本发明公开了一种表面致密多孔减反射膜及其制备方法，该减反射膜由两层膜结构构成，包括形成在玻璃表面的多孔膜层和形成在该多孔膜层上的致密膜层。其中，所述多孔膜层的孔径大小为5-10nm。该减反射膜的制备方法包括以下步骤：(1)以正硅酸乙酯、去离子水、酸催化剂、无水乙醇、曲拉通X-100和甲基三甲氧基硅烷为原料，制备溶胶A；(2)以正硅酸乙酯、去离子水、酸催化剂和无水乙醇为原料，制备溶胶B；(3)将具有新鲜表面的玻璃从溶胶A中提拉后进行退火；(4)将退火完成的样品进一步在溶胶B中提拉后进行退火。本发明保持了目前酸催化溶胶凝胶减反射膜的透过率高、硬度大的特点，同时克服了溶胶凝胶减反射膜透过率在高温高湿环境下的耐候性问题。
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公开(公告)号：CN104681639A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310638195.8
申请日：2013-12-02
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/202 , H01L31/03926 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括依次制备在柔性基底上的电极一、p型或n型多晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、n型或p型非晶硅薄膜和电极二；其中，电极一和电极二分别为正极或负极。其制备方法包括：选择柔性基底并进行表面清洗处理；制备电极一；采用PECVD或HWCVD技术制备p型或n型非晶硅层，然后采用闪光灯退火法使其晶化为多晶硅薄膜；采用PECVD或HWCVD技术制备本征非晶硅薄膜；采用PECVD或HWCVD技术制备n型或p型非晶硅薄膜；制备电极二。本发明采用独特的薄膜制备及退火工艺，克服柔性基底耐高温性能差、热膨胀系数大的困难，成功地在柔性基底上制备出一种多晶硅太阳能电池。
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