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公开(公告)号：CN105803392B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410841847.2
申请日：2014-12-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜的制备方法，属于光学薄膜制备技术领域。本方法包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在磁控溅射制备Cu2ZnSn(S1‑xSex)4(0≤x≤1)薄膜过程中共溅射NaF，或者交替分层制备Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜与NaF薄膜；3)对薄膜进行热处理。本发明通过采用上述两种Na掺杂方式，能够有效提高Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜的Na掺杂均匀性，进而提高Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105280736A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410352589.1
申请日：2014-07-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种具有双层界面带隙缓冲层的非晶硅锗薄膜太阳能电池，包括依次制备在基底上的电极一、n型掺杂的非晶硅薄膜、n-i缓冲层、带隙连续变化的本征(i型)非晶硅锗薄膜、i-p双层带隙缓冲层、p型掺杂的非晶硅薄膜和电极二；其中，电极一和电极二分别为电池底电极和顶电极。本发明通过电脑控制数字流量计，制备出带隙连续变化的非晶硅锗薄膜，有效增加了空穴的传输；采用双层带隙缓冲层结构，减小了p型窗口层与非晶硅锗薄膜的能带失配，进而减小了载流子在界面缺陷态上的复合；另外，本发明提供一种在背反射电极上制备微纳结构的方法，可增加光线在电池内部的光程，进而增加光吸收。
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公开(公告)号：CN104701394A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310660123.3
申请日：2013-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0326 , H01L31/0392
Abstract: 本发明公开了一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，包括沉积在衬底表面的种子层、以及沉积在种子层之上的Cu2ZnSn(S1-xSex)4层，其中0≤x≤1。其中，种子层具有择优取向，厚度为5～15nm；Cu2ZnSn(S1-xSex)4层具有择优取向，厚度为0.1～2μm。种子层的材料为Cu2ZnSn(S1-xSex)4中所含金属元素的硫化物或硒化物。与现有技术相比，本发明选择与Cu2ZnSn(S1-xSex)4晶格错配度低的材料在衬底与薄膜之间形成具有择优取向的种子层，而后在种子层上沉积Cu2ZnSn(S1-xSex)4层，具有择优取向的种子层能够有效的控制Cu2ZnSn(S1-xSex)4微观组织结构，诱发Cu2ZnSn(S1-xSex)4择优取向生长，并提高其取向度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105280736B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410352589.1
申请日：2014-07-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种具有双层界面带隙缓冲层的非晶硅锗薄膜太阳能电池，包括依次制备在基底上的电极一、n型掺杂的非晶硅薄膜、n‑i缓冲层、带隙连续变化的本征(i型)非晶硅锗薄膜、i‑p双层带隙缓冲层、p型掺杂的非晶硅薄膜和电极二；其中，电极一和电极二分别为电池底电极和顶电极。本发明通过电脑控制数字流量计，制备出带隙连续变化的非晶硅锗薄膜，有效增加了空穴的传输；采用双层带隙缓冲层结构，减小了p型窗口层与非晶硅锗薄膜的能带失配，进而减小了载流子在界面缺陷态上的复合；另外，本发明提供一种在背反射电极上制备微纳结构的方法，可增加光线在电池内部的光程，进而增加光吸收。
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公开(公告)号：CN104701394B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201310660123.3
申请日：2013-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，包括沉积在衬底表面的种子层、以及沉积在种子层之上的Cu2ZnSn(S1-xSex)4层，其中0≤x≤1。其中，种子层具有择优取向，厚度为5～15nm；Cu2ZnSn(S1-xSex)4层具有择优取向，厚度为0.1～2μm。种子层的材料为Cu2ZnSn(S1-xSex)4中所含金属元素的硫化物或硒化物。与现有技术相比，本发明选择与Cu2ZnSn(S1-xSex)4晶格错配度低的材料在衬底与薄膜之间形成具有择优取向的种子层，而后在种子层上沉积Cu2ZnSn(S1-xSex)4层，具有择优取向的种子层能够有效的控制Cu2ZnSn(S1-xSex)4微观组织结构，诱发Cu2ZnSn(S1-xSex)4择优取向生长，并提高其取向度。
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公开(公告)号：CN104681407A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310636987.1
申请日：2013-12-02
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种制备多晶硅薄膜并控制其晶粒尺寸的方法，包括以下步骤：清洗基板，在基板上沉积非晶硅薄膜，然后将其置于快速退火炉中，采用分光谱技术对薄膜进行不同光谱波段下的快速光热退火，按短波光照、长波光照的顺序对非晶硅薄膜进行退火，利用短波段光谱的量子效应控制硅薄膜晶化过程的成核密度，利用长波段光谱的热效应使晶粒长大，最终生成具有一定晶粒尺寸的多晶硅薄膜。与传统快速光热退火相比，本发明利用分光谱法联合快速光热退火工艺，对非晶硅薄膜进行不同光谱波段下的快速光热退火，不仅可以使非晶硅发生晶化，生成多晶硅薄膜，并且可以对其成核密度和晶粒尺寸进行控制。
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公开(公告)号：CN105803392A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410841847.2
申请日：2014-12-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜的制备方法，属于光学薄膜制备技术领域。本方法包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在磁控溅射制备Cu2ZnSn(S1-xSex)4(0≤x≤1)薄膜过程中共溅射NaF，或者交替分层制备Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜与NaF薄膜；3)对薄膜进行热处理。本发明通过采用上述两种Na掺杂方式，能够有效提高Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜的Na掺杂均匀性，进而提高Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN104681639A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310638195.8
申请日：2013-12-02
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/202 , H01L31/03926 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括依次制备在柔性基底上的电极一、p型或n型多晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、n型或p型非晶硅薄膜和电极二；其中，电极一和电极二分别为正极或负极。其制备方法包括：选择柔性基底并进行表面清洗处理；制备电极一；采用PECVD或HWCVD技术制备p型或n型非晶硅层，然后采用闪光灯退火法使其晶化为多晶硅薄膜；采用PECVD或HWCVD技术制备本征非晶硅薄膜；采用PECVD或HWCVD技术制备n型或p型非晶硅薄膜；制备电极二。本发明采用独特的薄膜制备及退火工艺，克服柔性基底耐高温性能差、热膨胀系数大的困难，成功地在柔性基底上制备出一种多晶硅太阳能电池。
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