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公开(公告)号：CN108034924A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711225378.1
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: C23C14/3407 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F9/26 , C22C1/045 , C22C27/00 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种高致密细晶靶材及其制备方法。该靶材成分为锇或锇合金，通过化学蒸馏提纯粗锇，利用喷雾干燥及多段氢还原制备高纯、超细、等轴状锇粉或锇合金粉末，有助于获得均匀相结构和细晶。采用SPS联合HIP烧结技术，利用SPS快速烧结特点，在较短时间内获得相对较高致密度，有效控制烧结坯晶粒长大并大大缩短后续HIP烧结进程，结合后续HIP工艺进一步提高靶材致密度和消除内部缺陷，获得高致密细晶靶材。相比目前市场销售的锇靶材，本发明的高致密细晶靶材具有高纯度≥99.99％、致密度≥99％、晶粒度≤20μm、晶粒均匀等优点，有助于提高M型阴极表面镀膜质量。
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公开(公告)号：CN104878244B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410069676.6
申请日：2014-02-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种钛铝镁合金靶材及其制备方法。该钛铝镁合金靶材的质量百分比组成为：钛73%～97%，铝0.1%～20%，镁1%～26.9%。本发明还包括钛铝镁合金靶材的热压烧结制备方法。本发明的钛铝镁合金靶材及其热压烧结制备方法，合金成分均匀，合金靶材致密度高，质量稳定。
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公开(公告)号：CN103898452A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210574529.5
申请日：2012-12-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种相变存储用Sb-Te-W相变靶材及其制备方法。该靶材的化学通式为SbxTeyW1-x-y，其中0＜x＜1，0＜y＜1，且x+y＜1，0.67≤x/y≤4，W质量分数不超过10%。采用包套密封真空熔炼合成中间化合物，双向压制真空热压烧结制备Sb-Te-W相变靶材。本发明可有效解决合金熔炼时由于组元熔点、密度差异导致的材料成分不均匀等问题，获得高致密、高稳定、高纯相变靶材。相比目前广泛应用的Ge2Sb2Te5材料，本发明的Sb-Te-W系列相变材料结晶温度更高、熔点更低，用作相变存储材料时热稳定性和数据保持力更佳。
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公开(公告)号：CN108251063A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611236437.0
申请日：2016-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C09K5/06
CPC classification number: C09K5/063
Abstract: 本发明公开了一种高性能复合相变材料，属于复合材料技术领域。该材料包括高相变潜热液态合金和改性碳纳米管海绵骨架；高相变潜热液态合金填充在改性碳纳米管海绵骨架中。高性能复合相变材料包括熔点在20℃～130℃范围内可调的高相变潜热液态合金和具有高热导率的碳纳米管海绵骨架材料；液态合金为以InSnBi合金为基体，以高热焓元素Ga、Cd、Zn、Sb的一种或两种以上为添加剂。该材料具有高体积相变潜热、高热导、低膨胀、熔点在20℃～130℃范围内可调；具有优异、稳定的热物理性能，在大功率激光器散热、工业余热利用、太阳能发电、燃料电池冷却、光电器件、微纳电子机械系统等对高端散热要求极高的领域内有广阔的应用。
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公开(公告)号：CN104878244A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410069676.6
申请日：2014-02-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种钛铝镁合金靶材及其制备方法。该钛铝镁合金靶材的质量百分比组成为：钛73%～97%，铝0.1%～20%，镁1%～26.9%。本发明还包括钛铝镁合金靶材的热压烧结制备方法。本发明的钛铝镁合金靶材及其热压烧结制备方法，合金成分均匀，合金靶材致密度高，质量稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103898358A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210579132.5
申请日：2012-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种钛铝硅合金镀膜材料及其制备方法，按照原子百分比，其组成为：钛5%～91%，铝5%～45%，硅1%～60%。本发明还包括钛铝硅合金镀膜材料的热压烧结制备方法，将Ti3Al合金粉、AlSi粉、钛粉、铝粉和硅粉装在烧结模具中，放入真空热压炉中，真空度小于1Pa后开始升温，升温到600~700℃，升温速率保持在2~10℃/分钟，热压炉压头的压力保持在5～10MPa；继续升温到800～1400℃，同时热压炉压头压力升高到15～20MPa，保温保压30～120分钟，然后降温卸压，自然冷却到室温。本发明的钛铝硅合金镀膜材料，合金成分均匀，合金镀膜材料致密度高，工艺流程短，生产成本低，质量稳定。
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公开(公告)号：CN103898452B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201210574529.5
申请日：2012-12-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种相变存储用Sb-Te-W相变靶材及其制备方法。该靶材的化学通式为SbxTeyW1-x-y，其中0＜x＜1，0＜y＜1，且x+y＜1，0.67≤x/y≤4，W质量分数不超过10%。采用包套密封真空熔炼合成中间化合物，双向压制真空热压烧结制备Sb-Te-W相变靶材。本发明可有效解决合金熔炼时由于组元熔点、密度差异导致的材料成分不均匀等问题，获得高致密、高稳定、高纯相变靶材。相比目前广泛应用的Ge2Sb2Te5材料，本发明的Sb-Te-W系列相变材料结晶温度更高、熔点更低，用作相变存储材料时热稳定性和数据保持力更佳。
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公开(公告)号：CN106180721A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510232814.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种铜铟镓硒靶材金属化层制备方法，在制备铜铟镓硒靶材的同时制备金属化层，属于有色金属加工领域。首先，将石墨垫板置于热压炉模具的下压头上，然后将金属片放在石墨垫板上，放入铜铟镓硒粉料，再放入上压头，将模具放于热压炉中进行热压烧结，在升温的同时加压，进行保温保压，然后冷却至室温；然后，将靶材从热压炉中取出，先加工靶面，然后加工金属化层，根据需要的金属化层的厚度确定加工量。本发明方法得到的铜铟镓硒靶材金属化层易于钎焊；导电、导热性能好；成本低，与靶材制备过程同步，大大降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103182509A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110449590.2
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及环路热管用多孔毛细芯的制备方法，该多孔毛细芯是利用导热性能以及抗腐蚀性能较好的金属制备，本发明所制备的多孔毛细芯具有高可靠性能，高孔隙率，高渗透性能，耐腐蚀，孔径分布均匀的特点。该毛细芯可制备成柱状，也可制备成平板形，根据需要用于不同形状的蒸发室。本发明采用冷等静压成型，然后加工成所需形状，在真空气氛下烧结的方法制备。通过不同的金属粉末组合，可以制备出单一金属毛细芯和复合毛细芯。本发明用于散热量大、传输距离长的环路热管，可应用于航空、航天、电子等热控领域。
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公开(公告)号：CN103182508A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110444736.4
申请日：2011-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于合金靶材制备技术领域的一种用于大电流密度M型阴极敷膜的合金靶材制备方法。在对原料粉末提纯的基础上，利用等离子体球化技术制备OsRe、OsRu、OsIr、OsRh、OsW、WRe等预合金粉末，有助于获得高纯和高均匀的靶材。合金均匀性提高有助于阴极发射稳定性改善。采用真空烧结制备结构稳定的中间合金粉末，有效抑制合金烧结时铝的挥发，可稳定合金成分并提高靶材均匀性。采用多段氢气烧结工艺，获得高致密度的锇合金靶材。本发明研制的锇合金系列靶材具有高纯、高致密、高均匀的特点，同时可通过调整组元及其含量，满足M型阴极大电流发射的要求。
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