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公开(公告)号:CN106853524A
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:CN201510898266.7
申请日:2015-12-08
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B22F3/04
CPC classification number: B22F3/04
Abstract: 本发明涉及一种大面积平板冷等静压成型方法,属于高端粉末冶金产品的制备领域。首先,将下软垫放在下压板上,边板置于下软垫上固定,将粉料放入边板与下软垫构成的容积内,压实后将上软垫放在粉料上,最后将上压板放在上软垫的上面并与下压板对齐;然后,用塑料膜将上述结构包裹严密再装入冷等静压包套中压制即可制备出大面积板料。本发明方法操作简单,成本低,成型尺寸只受冷等静压机尺寸限制;且压制密度均匀。
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公开(公告)号:CN103898452B
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201210574529.5
申请日:2012-12-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种相变存储用Sb-Te-W相变靶材及其制备方法。该靶材的化学通式为SbxTeyW1-x-y,其中0<x<1,0<y<1,且x+y<1,0.67≤x/y≤4,W质量分数不超过10%。采用包套密封真空熔炼合成中间化合物,双向压制真空热压烧结制备Sb-Te-W相变靶材。本发明可有效解决合金熔炼时由于组元熔点、密度差异导致的材料成分不均匀等问题,获得高致密、高稳定、高纯相变靶材。相比目前广泛应用的Ge2Sb2Te5材料,本发明的Sb-Te-W系列相变材料结晶温度更高、熔点更低,用作相变存储材料时热稳定性和数据保持力更佳。
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公开(公告)号:CN103898452A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201210574529.5
申请日:2012-12-26
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种相变存储用Sb-Te-W相变靶材及其制备方法。该靶材的化学通式为SbxTeyW1-x-y,其中0<x<1,0<y<1,且x+y<1,0.67≤x/y≤4,W质量分数不超过10%。采用包套密封真空熔炼合成中间化合物,双向压制真空热压烧结制备Sb-Te-W相变靶材。本发明可有效解决合金熔炼时由于组元熔点、密度差异导致的材料成分不均匀等问题,获得高致密、高稳定、高纯相变靶材。相比目前广泛应用的Ge2Sb2Te5材料,本发明的Sb-Te-W系列相变材料结晶温度更高、熔点更低,用作相变存储材料时热稳定性和数据保持力更佳。
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公开(公告)号:CN108251063A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201611236437.0
申请日:2016-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C09K5/06
CPC classification number: C09K5/063
Abstract: 本发明公开了一种高性能复合相变材料,属于复合材料技术领域。该材料包括高相变潜热液态合金和改性碳纳米管海绵骨架;高相变潜热液态合金填充在改性碳纳米管海绵骨架中。高性能复合相变材料包括熔点在20℃~130℃范围内可调的高相变潜热液态合金和具有高热导率的碳纳米管海绵骨架材料;液态合金为以InSnBi合金为基体,以高热焓元素Ga、Cd、Zn、Sb的一种或两种以上为添加剂。该材料具有高体积相变潜热、高热导、低膨胀、熔点在20℃~130℃范围内可调;具有优异、稳定的热物理性能,在大功率激光器散热、工业余热利用、太阳能发电、燃料电池冷却、光电器件、微纳电子机械系统等对高端散热要求极高的领域内有广阔的应用。
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公开(公告)号:CN103898358A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201210579132.5
申请日:2012-12-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种钛铝硅合金镀膜材料及其制备方法,按照原子百分比,其组成为:钛5%~91%,铝5%~45%,硅1%~60%。本发明还包括钛铝硅合金镀膜材料的热压烧结制备方法,将Ti3Al合金粉、AlSi粉、钛粉、铝粉和硅粉装在烧结模具中,放入真空热压炉中,真空度小于1Pa后开始升温,升温到600~700℃,升温速率保持在2~10℃/分钟,热压炉压头的压力保持在5~10MPa;继续升温到800~1400℃,同时热压炉压头压力升高到15~20MPa,保温保压30~120分钟,然后降温卸压,自然冷却到室温。本发明的钛铝硅合金镀膜材料,合金成分均匀,合金镀膜材料致密度高,工艺流程短,生产成本低,质量稳定。
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