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公开(公告)号：CN118194777B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410601261.2
申请日：2024-05-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/31 , G06F30/39 , G06F111/20
Abstract: 本发明提供一种版图移植方法、装置、存储介质及终端设备，涉及版图设计领域，移植方法包括：对第一工艺的版图元素的名称与第二工艺的版图元素的名称进行配对，得到元素名称对；从第一版图文件中分别提取器件元素和辅助器件元素的器件描述格式文件，以及器件元素、辅助器件元素和连接件元素的坐标参数；确定第一工艺与第二工艺的尺寸比例，基于尺寸比例和元素名称对，对第一版图文件的器件元素和辅助器件元素的器件描述格式文件进行替换，对器件元素、辅助器件元素和连接件元素的坐标参数进行替换，得到初始版图文件；对初始版图文件进行验证，得到最终版图文件。通过本发明提供的版图移植方法，能够提高版图移植效率，缩短制造周期。
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公开(公告)号：CN118194777A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410601261.2
申请日：2024-05-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/31 , G06F30/39 , G06F111/20
Abstract: 本发明提供一种版图移植方法、装置、存储介质及终端设备，涉及版图设计领域，移植方法包括：对第一工艺的版图元素的名称与第二工艺的版图元素的名称进行配对，得到元素名称对；从第一版图文件中分别提取器件元素和辅助器件元素的器件描述格式文件，以及器件元素、辅助器件元素和连接件元素的坐标参数；确定第一工艺与第二工艺的尺寸比例，基于尺寸比例和元素名称对，对第一版图文件的器件元素和辅助器件元素的器件描述格式文件进行替换，对器件元素、辅助器件元素和连接件元素的坐标参数进行替换，得到初始版图文件；对初始版图文件进行验证，得到最终版图文件。通过本发明提供的版图移植方法，能够提高版图移植效率，缩短制造周期。
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公开(公告)号：CN117878854A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311617293.3
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明涉及集成电路及芯片领域，提供一种ESD保护电路及芯片。ESD保护电路包括控制信号输入单元、RC延时单元以及泄放单元，泄放单元包括至少两种ESD泄放路径，控制信号输入单元用于根据输入的芯片通电状态信号控制泄放单元开启对应的ESD泄放路径进行ESD泄放，RC延时单元用于产生使泄放单元开启ESD泄放的RC时间常数。本发明针对断电和上电后两种状态设计不同的ESD保护，可以根据不同的应用场景切换不同ESD泄放方式，消除ESD上电过程中因毛刺导致的误触发事件的发生，解决上电过程中因Active Clamp钳位电压抬高导致的NMOS泄放管源漏跨压过大、功耗过大的问题。
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公开(公告)号：CN116743141A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310560064.6
申请日：2023-05-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国网山西省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明涉及电子信息领域，公开了一种IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路，该控制装置包括：电压采样模块，用于采集所述IGBT的集电极电压；电流采样模块，用于采集所述IGBT的输出电流；以及控制模块，用于：比较输入控制信号和预设控制信号阈值；以及基于比较结果，根据所述电流采样模块采集的所述输出电流或所述电压采集模块采集的所述集电极电压和所述输入控制信号确定输入至所述IGBT的栅极的输入电压。藉此，实现了对IGBT的栅极进行控制。
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公开(公告)号：CN119644107A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411656915.8
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种器件衬底退化监测电路及芯片。所述衬底退化监测电路包括多个并联连接的监测支路，每个监测支路包括高压MOS器件、比较器及选择器，选择器包括第一选择器、第二选择器及第三选择器；高压MOS器件的漏极通过第一选择器连接应力电压，并连接到比较器的第一输入端；高压MOS器件的栅极通过第二选择器连接测试电压，该测试电压为高压MOS器件的栅漏端施加负偏压；高压MOS器件的源极通过第三选择器连接反向的测试电压；每个监测支路的比较器的第二输入端输入基准电压，不同监测支路的比较器的第二输入端输入的基准电压不同。本发明能够支持高压器件及电路的退化监测及预警。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119476179A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411717730.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/327 , G06F115/08
Abstract: 本公开涉及芯片IP核及EDA技术领域，具体涉及一种生成集成单元库的方法、装置及集成单元库的数字化方法、装置及芯片。现有IP厂商提供的IP核通常是一个整体模块，仅能提供固定的输入配置参数，无法便捷地根据芯片需求而改变。本公开研发了定制EDA工具，并将IP核进行定制化设计，重构了支持输入的配置参数可灵活配置的定制IP核，并将这些定制IP核集成到不同于传统标准单元库的集成单元库中。由此解决了传统标准单元库在全面性和集成度方面存在的问题，也解决了目前传统POC IP核、IO IP核以及标准单元所存在的问题，从而更好地满足了现代芯片设计的需求。
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公开(公告)号：CN116781015B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310518544.6
申请日：2023-05-09
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片领域，公开了一种包络检波电路及芯片，该包络检波电路包括：电容充电电流提供模块，用于接收调制信号并在调制信号的控制下为电容提供充电电流；电容放电电流提供模块，与电容充电电流提供模块连接，用于接收调制信号并在调制信号的控制下为电容提供放电电流；电容，电容连接在电容充电电流提供模块或电容放电电流提供模块的两端之间；以及比较模块，用于比较连接电压与预设参考电压，其中，充电电流和放电电流满足使得在调制信号的第一个脉冲周期内连接电压达到小于预设参考电压；以及根据比较结果输出电平信号，以完成对调制信号的包络检波。藉此，实现了包络检波和传输低延时。
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公开(公告)号：CN117556777A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202410048392.2
申请日：2024-01-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06T17/00 , G06F30/3308
Abstract: 本申请公开了一种芯片的三维建模方法、装置、电子设备及存储介质，属于半导体技术领域。该方法包括：获取芯片的平面版图，并获取芯片流片的层级信息和光罩信息；基于层级信息和光罩信息，确定平面版图中芯片各层对应的层级几何参数；基于层级信息和光罩信息，进行逻辑运算，得到芯片的轻掺杂漏结构的层级几何参数；基于平面版图、芯片各层对应的层级几何参数以及轻掺杂漏结构的层级几何参数，进行三维建模，得到芯片的三维结构模型，三维结构模型包括轻掺杂漏结构对应的模块。该方法可以构建出包括LDD区域的三维结构模型，完整、准确地展示芯片的几何结构，保证模型中器件电学性能及可靠性的准确性，有助于提升芯片仿真精度。
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公开(公告)号：CN116781015A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310518544.6
申请日：2023-05-09
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片领域，公开了一种包络检波电路及芯片，该包络检波电路包括：电容充电电流提供模块，用于接收调制信号并在调制信号的控制下为电容提供充电电流；电容放电电流提供模块，与电容充电电流提供模块连接，用于接收调制信号并在调制信号的控制下为电容提供放电电流；电容，电容连接在电容充电电流提供模块或电容放电电流提供模块的两端之间；以及比较模块，用于比较连接电压与预设参考电压，其中，充电电流和放电电流满足使得在调制信号的第一个脉冲周期内连接电压达到小于预设参考电压；以及根据比较结果输出电平信号，以完成对调制信号的包络检波。藉此，实现了包络检波和传输低延时。
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公开(公告)号：CN116647219A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310475218.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/04 , H03K17/081
Abstract: 本发明涉及芯片领域，公开了一种IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片，该IGBT驱动电路包括：阶段确定模块，用于确定IGBT是否处于导通阶段的电流上升阶段或者关断阶段的电压上升阶段；以及驱动电压控制模块，用于：在IGBT处于电流上升阶段的情况下，控制施加至IGBT的门极的驱动电压小于开始导通驱动电压，其中，开始导通驱动电压为在导通阶段开始时施加至门极的驱动电压；以及在IGBT处于电压上升阶段的情况下，控制施加至门极的驱动电压大于开始关断驱动电压，其中，开始关断驱动电压为在关断阶段开始时施加至门极的驱动电压。藉此，实现了兼具抑制电流尖峰和电压尖峰、降低开关损耗和抑制EMI三者的优势。
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