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公开(公告)号:CN118764026A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410982502.2
申请日:2024-07-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及模数转换器技术领域,具体涉及公开了一种对ADC转换结果进行校准的校准电路、方法及芯片,该校准电路包括:ADC,被配置为在接收到待转换的输入数据时,对所述输入数据进行模数转换,输出初始转换结果;数字校准单元,连接所述ADC的转换信号输出端口,被配置为对所述ADC输出的初始转换结果进行实时的校准运算,得到校准后的转换结果。该技术方案可以在保证ADC的转换精度的同时也提高了转换速率,主要用于对ADC的转换结果进行校准。
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公开(公告)号:CN117254806B
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202311264483.1
申请日:2023-09-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种模数转换器及其参考电压提供电路、处理器,其中,参考电压提供电路包括:电压提供单元,适于提供第一参考电压;缓冲单元,适于对第一参考电压进行缓冲处理,输出第二参考电压;切换单元,被配置为在模数转换器的高位电容组被切换时,切换第二参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷,并在模数转换器的低位电容组被切换时,切换第一参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷。该电路不会造成片外电容上的电压大幅下降,因此,不会造成ADC的精度下降。
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公开(公告)号:CN116501127A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310484302.X
申请日:2023-04-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种电流偏置电路、芯片及相应的电子装置,所述电路包括:P型MOSFET电流镜模块,所述P型MOSFET电流镜模块的第三端连接于P型快速启动模块,P型快速启动模块包括多个电容和多个开关;N型MOSFET电流镜模块,N型MOSFET电流镜模块的第三端连接于N型快速启动模块,N型快速启动模块包括多个电容和多个开关。该电路通过在包括共源共栅电流镜的电流偏置电路中加入多个电容,从而可以基于该多个电容之间的电荷分享的作用,将关键节点迅速建立到目标值附近,在加快了启动速度的同时也减小了电流过冲,并可以减小电路中的电阻。
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公开(公告)号:CN115797697A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211579768.X
申请日:2022-12-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06V10/764 , G06V10/80 , G06N3/08 , G06N3/0464
Abstract: 本发明提供一种基于图像的目标检测方法、基于图像的目标检测装置、电子设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括对图像数据进行卷积以得到卷积特征向量;对所述卷积特征向量进行全局池化操作及全连接操作,以生成权重向量;根据所述卷积特征向量和所述权重向量,输出目标特征向量,并基于所述目标特征向量进行目标对象的检测。通过对图像数据卷积得到卷积特征向量,对卷积特征向量进行全局池化和全连接,从而得到卷积特征向量中的每个特征的权重,以生成权重向量。根据权重向量和卷积特征向量输出目标特征向量,去除了冗余特征,不仅提升了检测效率,而且保证了基于目标特征向量进行目标对象的检测的检测效果。
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公开(公告)号:CN114914237A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202210845626.7
申请日:2022-07-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L27/02 , G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本申请涉及集成电路芯片设计领域,提供一种ROMKEY单元的版图结构、芯片版图布局方法及芯片。所述ROMKEY单元的版图结构,包括第一逻辑版图区和第二逻辑版图区,第一逻辑版图区和第二逻辑版图区设置有各自的逻辑输出端,第一逻辑版图区的逻辑输出端和第二逻辑版图区的逻辑输出端的上方均覆盖金属带;第一逻辑版图区的逻辑输出端通过连接孔与金属带连接,以实现第一逻辑功能;或者,第二逻辑版图区的逻辑输出端通过连接孔与金属带连接,以实现第二逻辑功能。本申请结构简单灵活、适配性强,可适用于各类工艺制程领域;在对芯片改版设计时如需更新ROMKEY密钥或ROMCODE,仅修改一层光罩掩模版即可实现不同的逻辑输出。
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公开(公告)号:CN114330461A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202210255087.1
申请日:2022-03-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于非侵入负荷识别的V‑I轨迹生成方法、装置及神经网络,方法包括:在确定投切事件发生时,获取初始V‑I轨迹,初始V‑I轨迹为电压和无功电流随时间变化的轨迹;基于初始V‑I轨迹获取电压的时间导数和无功电流的时间导数;根据电压的时间导数和无功电流的时间导数将初始V‑I轨迹映射至彩色空间以获得彩色V‑I轨迹。由此,通过基于电压和无功电流的时间导数将初始V‑I轨迹映射至彩色空间,以获得彩色V‑I轨迹,从而提高了V‑I轨迹的信息载量,使其能够适用于电器种类繁多的负荷识别场景,同时,形成的彩色V‑I轨迹可以利用神经网络模型进行训练,有利于提高V‑I轨迹对非侵入负荷识别的准确性。
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公开(公告)号:CN117254806A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202311264483.1
申请日:2023-09-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种模数转换器及其参考电压提供电路、处理器,其中,参考电压提供电路包括:电压提供单元,适于提供第一参考电压;缓冲单元,适于对第一参考电压进行缓冲处理,输出第二参考电压;切换单元,被配置为在模数转换器的高位电容组被切换时,切换第二参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷,并在模数转换器的低位电容组被切换时,切换第一参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷。该电路不会造成片外电容上的电压大幅下降,因此,不会造成ADC的精度下降。
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公开(公告)号:CN116095339A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202310073782.0
申请日:2023-01-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H04N19/42 , H04N19/182 , H04N19/85 , H04N19/88 , H04L9/40
Abstract: 本申请公开一种图像传输方法、训练方法、对抗网络模型、训练装置、电子设备及非易失性计算机可读存储介质。图像传输方法包括通过编码模块对待传输图像进行编码,以得到待传输数据;通过发送端发送待传输数据到接收端;及通过解码模块对待传输数据进行解码,以还原待传输数据为接收图像。本申请实施方式的图像传输方法、训练方法、对抗网络模型、训练装置、电子设备及非易失性计算机可读存储介质,由于对抗网络模型为预先训练得到的模型,其编码过程和解码过程为对抗网络模型的相应功能,其传输过程中实际传输的是待传输数据,在无法获取实现编码、解码功能的具体代码情况下,难以对待传输数据进行破解,从而提高对待传输图像加密的安全性。
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公开(公告)号:CN114330461B
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202210255087.1
申请日:2022-03-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于非侵入负荷识别的V‑I轨迹生成方法、装置及神经网络,方法包括:在确定投切事件发生时,获取初始V‑I轨迹,初始V‑I轨迹为电压和无功电流随时间变化的轨迹;基于初始V‑I轨迹获取电压的时间导数和无功电流的时间导数;根据电压的时间导数和无功电流的时间导数将初始V‑I轨迹映射至彩色空间以获得彩色V‑I轨迹。由此,通过基于电压和无功电流的时间导数将初始V‑I轨迹映射至彩色空间,以获得彩色V‑I轨迹,从而提高了V‑I轨迹的信息载量,使其能够适用于电器种类繁多的负荷识别场景,同时,形成的彩色V‑I轨迹可以利用神经网络模型进行训练,有利于提高V‑I轨迹对非侵入负荷识别的准确性。
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公开(公告)号:CN118331540A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410360868.6
申请日:2024-03-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域,公开了一种真随机数发生器与芯片。所述真随机数发生器包括:第一随机源种子发生器,用于产生第一随机源种子信号;第一伪随机数发生器,用于在第一随机源种子信号作用下产生第一真随机数序列;第二随机源种子发生器,用于产生第二随机源种子信号;第二伪随机数发生器,用于在第二随机源种子信号作用下产生第二真随机数序列;以及重初始化控制器,用于根据第一真随机数序列产生一组控制信号,以重新初始化第二伪随机数发生器与以下三项中的一者或多者:第一随机源种子发生器、第一伪随机数发生器、第二随机源种子发生器。本发明可以隐身于数百万甚至数千万门的数字电路中,进而使得攻击者无从下手,提高了系统的安全性。
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