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公开(公告)号：CN114371758B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
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公开(公告)号：CN117895943A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410072646.4
申请日：2024-01-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种用于高精度ADC的模拟信号处理电路、方法、芯片及装置，所述电路包括：主放大器模块、主ADC模块、辅助放大器模块和辅助ADC模块以及第一开关；辅助ADC模块用于对调理后的待转换模拟信号进行转换，并通过数字输出端输出转换后的第一数字码；所述主ADC模块用于根据调理后的待转换模拟信号和第一数字码将主ADC模块的输入电压建立到目标精度，以实现对模拟信号的采样。该电路在主ADC模块的输入电压发生大摆幅变化时，保护主放大器模块不受快速充电干扰的前提下，因辅助ADC和辅助放大器功耗和面积开销很小，从而节省了模拟信号处理电路的功耗和面积开销。
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公开(公告)号：CN117572922A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311309914.1
申请日：2023-10-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，提供一种基准电压产生电路及芯片。所述基准电压产生电路包括电压缓冲器模块、高增益放大器模块、带隙基准电压模块以及高阶温度补偿模块。电压缓冲器模块同时为高增益放大器模块、带隙基准电压模块以及高阶温度补偿模块提供工作电压；带隙基准电压模块与高增益放大器模块以及电压缓冲器模块连接，用于产生温度补偿的基准电压；高阶温度补偿模块与带隙基准电压模块连接，用于消除带隙基准电压模块输出的基准电压的高阶温度项。本发明通过电压缓冲器模块提供稳定的工作电压，提升基准电压的电源抑制能力，通过高阶温度补偿模块消除基准电压的高阶温度项，从而生成具有低温度系数、高电源抑制特性的基准电压。
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公开(公告)号：CN117254806A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311264483.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种模数转换器及其参考电压提供电路、处理器，其中，参考电压提供电路包括：电压提供单元，适于提供第一参考电压；缓冲单元，适于对第一参考电压进行缓冲处理，输出第二参考电压；切换单元，被配置为在模数转换器的高位电容组被切换时，切换第二参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷，并在模数转换器的低位电容组被切换时，切换第一参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷。该电路不会造成片外电容上的电压大幅下降，因此，不会造成ADC的精度下降。
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公开(公告)号：CN115617115B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211344115.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备，所述基准电压产生电路包括：参考电压产生电路，所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压；稳压电路，所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路，其中：所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压，并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时，将所述基准电压转换为第一控制电压，在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时，将所述基准电压转换为第二控制电压；所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压，所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压，以对所述基准电压进行稳压，从而提高电路可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114464614A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210015941.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京大学 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)器件和芯片。SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。高压P阱区依次设置有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区。高压N阱区依次设置有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区与第一P+掺杂区之间的距离小于预设距离，预设距离为位于高压N阱区和高压P阱区共同形成的区域的最外侧的两个掺杂区之间的距离。本申请的SCR器件和芯片中，将高压P阱区中的第一P+掺杂区与高压N阱区中的第二N+掺杂区之间的距离设置为小于预设距离，当SCR器件被ESD激励并导通时，SCR器件能够分段导通，提高SCR器件的维持电压，实现了维持电压的大幅度提升。
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公开(公告)号：CN114257214A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111342282.X
申请日：2021-11-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03K3/012
Abstract: 本发明实施例提供一种振荡器及芯片，属于电子电路技术领域。该振荡器包括：电流产生电路、比较器电路以及振荡电路，其中，所述电流产生电路用于产生第一基准电流和第二基准电流，并根据所述第一基准电流提供基准电压信号；所述振荡电路包括电容；所述比较器电路连接在所述电容和所述电流产生电路之间，并根据所述基准电压信号以及所述电容的电压信号的大小关系，输出高或低电平，以控制所述电容放电或由流经所述比较器电路的第二基准电流对所述电容充电。该振荡器及芯片可以减少电流支路，达到减少功耗的目的。
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公开(公告)号：CN112383307B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011212875.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种基于数据处理的模数转换装置的校准方法，所述模数转换装置为逐次逼近模数转换装置，该方法包括：步骤一：检测模数转换装置的输出信号，获得所述输出信号的DNL值；步骤二：判断所述DNL值是否满足预设条件；步骤三：若所述DNL值不满足所述预设条件，根据所述DNL值调整可调电容的电容值；其中，所述可调电容的一端与所述电容阵列连接，另一端接地；循环执行步骤一至步骤三，直至所述DNL值满足所述预设条件。本发明提供的技术方案，能够在不改变现有的电容阵列的布局的情况下对逐次逼近模数转换装置进行精确、有效地校准，从而提高逐次逼近模数转换装置在正常工作时输出信号的精度。
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公开(公告)号：CN112422122B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011219344.3
申请日：2020-11-04
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种反馈调节型振荡器，属于集成电路技术领域。所述振荡器包括：电流源电路，用于输出三路偏置电流；充放电电路，用于根据所述第一路偏置电流进行充放电，并将对应产生的频率信号转变为电压信号并输出；运放电路，用于响应于所述第二路偏置电流开始工作，以将所述电压信号进行放大并输出；电流控制振荡器，用于根据所述第三路偏置电流，将放大后的电压信号转变成电流信号，再将该电流信号转变为频率形式的时钟信号并输出；以及数字逻辑电路，用于将所述时钟信号转变成时钟控制信号并输出以及将所述时钟控制信号反馈给所述充放电电路及电流源电路。本发明可以满足低压、低功耗、高精度特性中的任意一者或多者的要求。
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公开(公告)号：CN110632970B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201911024548.9
申请日：2019-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网浙江省电力有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种快瞬态响应LDO及其电路，该电路包含一个快通路和一个慢通路，快通路由负载晶体管、第七晶体管以及第六晶体管组成。慢通路由负载晶体管、第一晶体管、第五晶体管以及第七晶体管组成。快通路用来增大环路带宽，慢通路用来增加DC精度。电路中的第二电容和第三电容能够感知负载变化，通过电容耦合的方式相应的增大或减小流过第十四晶体管和第三晶体管的电流，通过增加对负载晶体管栅极电容充放电速度从而加快环路响应速度，减小输出电压的过冲值。
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