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公开(公告)号：CN105353679B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510802626.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路,主要包括MCU主控芯片及其外围电路的连接。连接方式:FLASH存储器通过SPI协议连接MCU对应SPI口;高低速晶体振荡电路分别与MCU的高低速时钟接口连接;RS‑232电平转换芯片通过USART方式与MCU接口连接;RS‑232电平转换芯片与串转USB接口连接;电源电路与MCU电源端相连;外部导弹信号处理电路与MCU对应接口的连接。本电路可以有效解决现阶段采用纸质履历本记录的不足,使履历信息记录更加方便、准确、全面和可信,并促使履历信息的规范化。
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公开(公告)号：CN105353679A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510802626.9
申请日：2015-11-19
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05B19/042
CPC classification number: G05B19/0423 , G05B2219/23009
Abstract: 自动感知导弹运行状态的低功耗履历电路，主要包括MCU主控芯片及其外围电路的连接。连接方式：FLASH存储器通过SPI协议连接MCU对应SPI口；高低速晶体振荡电路分别与MCU的高低速时钟接口连接；RS-232电平转换芯片通过USART方式与MCU接口连接；RS-232电平转换芯片与串转USB接口连接；电源电路与MCU电源端相连；外部导弹信号处理电路与MCU对应接口的连接。本电路可以有效解决现阶段采用纸质履历本记录的不足，使履历信息记录更加方便、准确、全面和可信，并促使履历信息的规范化。
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公开(公告)号：CN115617112A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211177467.4
申请日：2022-09-26
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低噪声高PSRR的LDO电路，属于模拟集成电路技术领域；包括带隙基准电路、误差放大器EA、滤波电路、缓冲级BUF、PSRR增强电路、MOS管MP1、MOS管MP2、电阻Ra、电阻Rb、电容CL、电阻RL和电阻Resr；采用由MOS管构成的有源电阻和一个电容组成的RC低通滤波结构，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声功率。误差放大器、输出缓冲级和功率级共同构成三级运放结构，以保证输出电压的稳定。同时采用的PSRR增强电路保证了LDO具有良好的电源抑制比。本发明所述的低噪声高PSRR的LDO电路引入滤波电路和PSRR增强电路，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声，增强了LDO的PSRR。
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公开(公告)号：CN115296527A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210873498.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H02M3/00 , H02M1/08 , H03F1/34 , H03K17/693
Abstract: 本发明涉及一种基于DC‑DC转换器的输出版本可配置电路，属于DC‑DC转换器电路设计领域；包括电压比例缩放电路、译码器逻辑电路、修调电路、误差放大器和反馈网络；其中，译码器逻辑电路包括第一级逻辑电路、第二级逻辑电路、第一NMOS管矩阵和第二NMOS管矩阵；初始状态，第一NMOS管矩阵和第二NMOS管矩阵中的各NMOS管均为断开状态；电路可根据实际要求通过修调信号调整反馈网络分压电阻比例，进而改变反馈电压Vsense与输出电压VOUT的比例，从而实现不同输出版本的调整；同时通过修调信号调整译码逻辑的电压选择信号，进而改变参考信号Vref，实现不同输出版本及输出电压精度可配置。
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