公开(公告)号：CN119232139A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411286053.4

申请日：2024-09-13

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 刘文东 ,  李建成 ,  张健 ,  孙洪江 ,  张志伟 ,  林彦君 ,  郭斌 ,  王祖航 ,  杨祚涵 ,  曹亦栋

IPC: H03K19/0185 ,  H03M9/00

Abstract: 本发明公开了一种适用高速SerDes的混合模驱动器电路，包括NMOS管N1、NMOS管N2、PMOS管P1、PMOS管P2，用于传输经过并串转换后输入驱动器模块的差分主数据信号，以及根据预加重使能信号给出的值，对主数据进行预加重。还包括PMOS管P4、PMOS管P5和偏置电流源I1，用于对输出差分信号实现摆幅可调。本发明采用的混合模驱动器电路具有功耗低和均衡能力强且输出摆幅大的优点，实现驱动主数据并进行预加重，以及对输出摆幅进行调节，符合设计需求，可以用于串行通信领域中高速接口驱动器电路的设计。

公开(公告)号：CN115617112A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211177467.4

申请日：2022-09-26

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 万禾湛 ,  王宗民 ,  涂彦杰 ,  杨晓君 ,  于广莹 ,  王磊 ,  李晓博 ,  王秀芝 ,  吕超 ,  孔瀛 ,  莫艳图 ,  宋奎鑫 ,  柏晓鹤 ,  李阳 ,  马佩 ,  曹亦栋

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明涉及一种低噪声高PSRR的LDO电路，属于模拟集成电路技术领域；包括带隙基准电路、误差放大器EA、滤波电路、缓冲级BUF、PSRR增强电路、MOS管MP1、MOS管MP2、电阻Ra、电阻Rb、电容CL、电阻RL和电阻Resr；采用由MOS管构成的有源电阻和一个电容组成的RC低通滤波结构，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声功率。误差放大器、输出缓冲级和功率级共同构成三级运放结构，以保证输出电压的稳定。同时采用的PSRR增强电路保证了LDO具有良好的电源抑制比。本发明所述的低噪声高PSRR的LDO电路引入滤波电路和PSRR增强电路，滤除带隙基准和误差放大器的输出噪声，增强了LDO的PSRR。

公开(公告)号：CN113672024B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202110824920.5

申请日：2021-07-21

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 曹亦栋 ,  王秀芝 ,  王宗民 ,  马建华 ,  孔瀛 ,  李阳 ,  马佩 ,  柏晓鹤

IPC: G05F3/26

Abstract: 本发明涉及一种应用于低功耗LDO的漏电流补偿电路及方法。LDO工作于高温、大输入电压和极低负载电流的情况下漏电流补偿电路打开，在电路典型工作状态下本漏电流补偿电路停止工作。本发明中漏电流供应源用于成比例地实时监测和跟随功率管的漏电流，开关控制电路用于实时地监测电路的工作状态,在电路工作在高温、大输入电压和极低负载电流时，打开漏电流供应管。漏电流供应管用于向LDO提供漏电流，使得LDO的负载电流在与功率晶体管漏电流数量级相近时仍然能保持正确的输出。

公开(公告)号：CN112416047B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202011126043.6

申请日：2020-10-20

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 康磊 ,  宋奎鑫 ,  李阳 ,  莫艳图 ,  张景超 ,  王秀芝 ,  柏晓鹤 ,  张志伟 ,  阳启明 ,  孔瀛 ,  马佩 ,  王胜霞 ,  曹亦栋

IPC: G05F1/575

Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路，包括：偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级；其中，偏置电路产生偏置电压，用于预处理电路和运算放大器；预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压，将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器；基准核心电路产生零温电压，将零温电压输出给输出级和运算放大器；运算放大器电路使得三极管集电极电压相等，使得基准核心电路正常工作；输出级通过电阻分压，产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路，进行合理的结构设计，同时引入预处理电路，产生受电源电压影响较小的初级电压，提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路，提高抗干扰能力。

公开(公告)号：CN119696571A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411668054.5

申请日：2024-11-21

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 曹亦栋 ,  陈雷 ,  李建成 ,  初飞 ,  张健 ,  李全利 ,  王祖航 ,  杨祚涵

IPC: H03L7/087 ,  H03K19/173

Abstract: 本发明属于电子器件领域，具体涉及了一种抗SET加固的鉴频鉴相器，旨在解决现有的SET注入会改变PFD的输出逻辑状态，后级电路得到错误的相位差指示信号的问题。本发明包括：第一级单元的输出UP信号和输出DOWN信号作为输入控制逻辑的输入，输入控制逻辑输出四个指示信号；第一输出控制逻辑的输入为四个指示信号，输出为第一导通控制信号；第二级单元分别对UP信号和DOWN信号进行上升沿采样，输出两个指示信号；相位选择器的输入为参考时钟信号、反馈时钟信号和两个指示信号，其输出为第二输出控制逻辑的输入，第二输出控制逻辑输出第二导通控制信号。本发明在SET注入时不改变输出逻辑状态，后级得到正确的相位差指示信号。

公开(公告)号：CN113672024A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110824920.5

申请日：2021-07-21

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 曹亦栋 ,  王秀芝 ,  王宗民 ,  马建华 ,  孔瀛 ,  李阳 ,  马佩 ,  柏晓鹤

IPC: G05F3/26

Abstract: 本发明涉及一种应用于低功耗LDO的漏电流补偿电路及方法。LDO工作于高温、大输入电压和极低负载电流的情况下漏电流补偿电路打开，在电路典型工作状态下本漏电流补偿电路停止工作。本发明中漏电流供应源用于成比例地实时监测和跟随功率管的漏电流，开关控制电路用于实时地监测电路的工作状态,在电路工作在高温、大输入电压和极低负载电流时，打开漏电流供应管。漏电流供应管用于向LDO提供漏电流，使得LDO的负载电流在与功率晶体管漏电流数量级相近时仍然能保持正确的输出。

公开(公告)号：CN112416047A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011126043.6

申请日：2020-10-20

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 康磊 ,  宋奎鑫 ,  李阳 ,  莫艳图 ,  张景超 ,  王秀芝 ,  柏晓鹤 ,  张志伟 ,  阳启明 ,  孔瀛 ,  马佩 ,  王胜霞 ,  曹亦栋

IPC: G05F1/575

Abstract: 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路，包括：偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级；其中，偏置电路产生偏置电压，用于预处理电路和运算放大器；预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压，将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器；基准核心电路产生零温电压，将零温电压输出给输出级和运算放大器；运算放大器电路使得三极管集电极电压相等，使得基准核心电路正常工作；输出级通过电阻分压，产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路，进行合理的结构设计，同时引入预处理电路，产生受电源电压影响较小的初级电压，提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路，提高抗干扰能力。