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公开(公告)号：CN114221297B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202111435849.8
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开了一种使能控制的具有热滞回功能的过温保护电路，本发明电路包括启动电路、温度监测电路和输出级电路，采用使能信号控制电路的开启与关闭。启动电路用于使电路摆脱简并偏置点，温度监测电路监控芯片的温度，温度监测电路的输出与输出级电路连接，输出级电路输出过温控制信号，当芯片温度上升到过温开启阈值点时，过温控制信号发生跳变，控制芯片不再工作，从而使得芯片降温，同时，本发明电路还具有热滞回功能，当芯片温度下降到过温关断阈值点时，芯片重新正常工作，此外，本发明在温度监测电路中设计了电压反馈结构，防止过温控制信号跳变时发生热振荡现象，同时为电路产生了热滞回区间。
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公开(公告)号：CN113872588A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111012408.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种适用LVDS接收级的冷备份和失效保护电路，该电路包括浮阱结构电路、Failsafe电路和上电偏置电路。浮阱结构电路在电源正常上电时，对N阱进行充电，N阱被充电至电源电压，保证Failsafe电路正常工作；在电源掉电或者浮空条件下，切断LVDS输入端与电源的寄生通道，实现冷备份功能；Failsafe电路在端口浮空条件下，将LVDS的P端拉升至电源电位，N端拉低至地端电位，保证输出为稳态高电平；上电偏置电路在电源上电时提供偏置电压，保证浮阱结构电路正常工作。本发明电路在满足失效保护功能的同时，在电源掉电或者浮空条件下，可以切断从端口到电源的通路，满足冷备份需求。
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公开(公告)号：CN113872588B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111012408.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种适用LVDS接收级的冷备份和失效保护电路，该电路包括浮阱结构电路、Failsafe电路和上电偏置电路。浮阱结构电路在电源正常上电时，对N阱进行充电，N阱被充电至电源电压，保证Failsafe电路正常工作；在电源掉电或者浮空条件下，切断LVDS输入端与电源的寄生通道，实现冷备份功能；Failsafe电路在端口浮空条件下，将LVDS的P端拉升至电源电位，N端拉低至地端电位，保证输出为稳态高电平；上电偏置电路在电源上电时提供偏置电压，保证浮阱结构电路正常工作。本发明电路在满足失效保护功能的同时，在电源掉电或者浮空条件下，可以切断从端口到电源的通路，满足冷备份需求。
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公开(公告)号：CN109815099B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201811625181.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F11/34
Abstract: 本发明涉及一种JESD204B控制器验证方法，包括步骤：(1‑1)、建立从待验证JESD204B控制器发送端到基准接收模块的发送验证链路；(1‑2)、建立从基准发送模块到待验证JESD204B控制器接收端的接收验证链路；(1‑3)、进行链路层验证，验证待验证JESD204B控制器的链路码组同步、初始化通道对齐功能是否正确；(1‑4)、进行传输层验证，验证待验证JESD204B控制器链路配置数据是否与JESD204B协议一致、采样数据与帧数据的映射功能是否正确；(2‑1)、待逻辑功能仿真验证通过后，将待验证的JESD204B控制器发送端和接收端代码下载到发送验证系统对应的FPGA中，完成板级实测验证。本发明结合仿真和上板调试模拟JESD204B控制器应用条件，提高JESD204B控制器验证的完备性和准确性。
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公开(公告)号：CN110071103B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910228889.1
申请日：2019-03-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了一种冷备份电路的新型ESD保护结构及制备方法，其中，该结构包括：P型衬底、P型衬底接触、叉指栅、MOS管源区、MOS管漏区、ESD注入层、第一连接接触孔、第二连接接触孔、第三连接接触孔、第四连接接触孔和硅化金属阻挡层。本发明在解决未接电的备份电路功耗过大，性能退化快的问题的同时，解决冷备份电路的高效率ESD保护的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109818257B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811581648.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种CMOS工艺激光驱动电路，包括输入电流模逻辑(CML)电路、内嵌低电压差线性稳压器电路、负反馈钳位电路、共模反馈电路。该结构差分数字电压信号转化为开关电流信号，用于驱动激光二极管；同时接收外部设置的参考电流信号，采用负反馈的原理，调节外部输入的差分数字电压信号的电平，进而调节开关电流信号的大小，使之与参考电流信号成正比。本发明用于CMOS工艺的激光二极管驱动器电路中，其特点是通过电阻将输出电流和设置电流转化为电压形式，比较电压的大小，并通过共模反馈电路驱动输出电流管的输出电流，来达到设定的电流大小；在确保输出电流能力的同时，提高了CMOS工艺下激光驱动器的工作速率。
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公开(公告)号：CN109818257A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811581648.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种CMOS工艺激光驱动电路，包括输入电流模逻辑(CML)电路、内嵌低电压差线性稳压器电路、负反馈钳位电路、共模反馈电路。该结构差分数字电压信号转化为开关电流信号，用于驱动激光二极管；同时接收外部设置的参考电流信号，采用负反馈的原理，调节外部输入的差分数字电压信号的电平，进而调节开关电流信号的大小，使之与参考电流信号成正比。本发明用于CMOS工艺的激光二极管驱动器电路中，其特点是通过电阻将输出电流和设置电流转化为电压形式，比较电压的大小，并通过共模反馈电路驱动输出电流管的输出电流，来达到设定的电流大小；在确保输出电流能力的同时，提高了CMOS工艺下激光驱动器的工作速率。
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公开(公告)号：CN109714040A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811573572.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种带反馈控制的CMOS输出驱动电路，包括CMOS驱动电路、反馈控制电路；反馈电路包含一个用于器件保护的处于常导通的MOS管、一个控制反馈回路开启或者关断的MOS管、一个辅助驱动MOS管、一个由电阻与辅助驱动MOS管栅电容构成的RC冲(放)电电路；本发明用于CMOS器件输出驱动电路中，其特点是通过反馈回路控制器件输出信号的斜率，在减小输出信号斜率的同时尽可能保证器件的传输延迟不受影响。
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公开(公告)号：CN110071103A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910228889.1
申请日：2019-03-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了一种冷备份电路的新型ESD保护结构及制备方法，其中，该结构包括：P型衬底、P型衬底接触、叉指栅、MOS管源区、MOS管漏区、ESD注入层、第一连接接触孔、第二连接接触孔、第三连接接触孔、第四连接接触孔和硅化金属阻挡层。本发明在解决未接电的备份电路功耗过大，性能退化快的问题的同时，解决冷备份电路的高效率ESD保护的问题。
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公开(公告)号：CN106708150B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201611193070.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及种分段多阶补偿的高精度电压及电流基准电路,该基准电路用于产生稳定基准电压及电流,为内部其他模块提供电压及电流偏置。本发明中的基准电路是种片上电路,包括基础带隙电路、低温阶负温度系数补偿电路、高温高阶正温度系数补偿电路、稳压修调电路、修调逻辑电路。通过对基础带隙电压进行分段多阶补偿,该基准电路具有较高的温度稳定性,在较大温度范围内输出偏差较小。通过修调电路的设计,可对工艺偏差造成的输出偏移进行调整,进步保证了输出电压的精度。本发明基准电路结构简单、精度高,适用于各种模拟集成电路。
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