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公开(公告)号:CN118818682A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202410877251.1
申请日:2024-07-02
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明属于电路封装工艺领域,具体涉及一种基于低透光率绝缘胶抑制光电耦合器光互扰的工艺方法,旨在解决多通道光电耦合器通道间容易造成光互扰的问题。本发明包括:将表贴光电耦合器固定于点胶工装设定位置,并调整显微镜视野正对所述多通道表贴光电耦合器;使绝缘胶附着在内瓷片近腔体侧壁一侧中间;通过拨针进行移动使内瓷片近腔体侧壁的绝缘胶与陶瓷外壳侧壁连接;填涂绝缘胶使内瓷片与陶瓷隔离墙之间的中缝完全遮盖;通过设定的测量电路,对封光表贴光电耦合器进行电流传输比和光互扰的测量。本发明采用工艺方法将结构性系统性的电路设计误差影响降低至最小化,通过极低的成本和简单易行的操作方式极大程度的降低光互扰。
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公开(公告)号:CN119626910A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411716695.3
申请日:2024-11-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于集成电路塑封领域,具体涉及了一种抑制塑封电路内部分层的方法。本发明旨在解决塑封电路内部分层的问题。本发明的抑制塑封电路内部分层的方法采用真空气相沉积工艺分别将偶联剂、聚对二甲苯、偶联剂沉积在电路内部,将纳米氟素沉积在塑封外层。本发明可有效增强器件防水防潮能力,抑制分层,还可使器件在通过HAST、高压蒸煮、盐雾考核后塑封料不受到腐蚀,保持外观整洁。
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公开(公告)号:CN118629933A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410531016.9
申请日:2024-04-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种用于硅铝丝超声楔焊的柔性工装及键合工艺方法,该工装通过调节限位槽尺寸,适应多种FP封装形式的器件键合。键合前,逆时针旋转工装表面控制机构的旋钮,将限位槽尺寸扩展到最大,再将器件放入限位槽内,然后分别顺时针旋转控制水平方向和竖直方向的旋钮,将限位槽尺寸缩小至恰好固定住器件,然后将电路放置在键合设备操作台上,开启吸气,准备键合。在键合过程中可同时准备另一只柔性工装的上下料,往复使用。本发明突破了以往硅铝丝高可靠键合的固定式工装,使用柔性工装可节省工装成本、极大地提高生产能力,同时也为未来键合工装设计模块化、可变化提供技术基础。
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