公开(公告)号：CN105776173B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201610080489.7

申请日：2016-02-04

Applicant: 北京控制工程研究所

Inventor： 郝云彩 ,  巩前明 ,  朱宏伟 ,  余成武 ,  梁士通 ,  梅志武 ,  李兆光 ,  申坤 ,  孟宪刚

IPC: C01B32/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/26

Abstract: 一种在基片上生长碳纳米管阵列的方法，步骤为：(1)采用表面微纳电化学工艺制备基片；(2)将基片置入碳纳米管反应炉中，往反应炉中通入氩气，并在氩气保护下将碳纳米管反应炉内部加热至碳纳米管生长所需温度；(3)当氩气充满碳纳米管反应炉后，调整氩气流量，同时向碳纳米管反应炉内通入氢气；(4)当氢气的流量稳定并充满碳纳米管反应炉后，向碳纳米管反应炉内通入液态碳源及催化剂；(5)根据碳纳米管阵列所需高度设定反应时间，反应完毕后，停止通入液态碳源及催化剂，并切断氢气；(6)将碳纳米管反应炉的生长区继续加热，通过热处理重融基片表面；(7)停止加热，并调小氩气的流量，待冷却至室温后从碳纳米管反应炉内取出基片样件。

公开(公告)号：CN105776173A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610080489.7

申请日：2016-02-04

Applicant: 北京控制工程研究所

Inventor： 郝云彩 ,  巩前明 ,  朱宏伟 ,  余成武 ,  梁士通 ,  梅志武 ,  李兆光 ,  申坤 ,  孟宪刚

IPC: C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/26

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  C23C16/26

Abstract: 一种在基片上生长碳纳米管阵列的方法，步骤为：(1)采用表面微纳电化学工艺制备基片；(2)将基片置入碳纳米管反应炉中，往反应炉中通入氩气，并在氩气保护下将碳纳米管反应炉内部加热至碳纳米管生长所需温度；(3)当氩气充满碳纳米管反应炉后，调整氩气流量，同时向碳纳米管反应炉内通入氢气；(4)当氢气的流量稳定并充满碳纳米管反应炉后，向碳纳米管反应炉内通入液态碳源及催化剂；(5)根据碳纳米管阵列所需高度设定反应时间，反应完毕后，停止通入液态碳源及催化剂，并切断氢气；(6)将碳纳米管反应炉的生长区继续加热，通过热处理重融基片表面；(7)停止加热，并调小氩气的流量，待冷却至室温后从碳纳米管反应炉内取出基片样件。