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公开(公告)号：CN102723346B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210177226.X
申请日：2012-05-31
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
Inventor： 赵文霖
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器镜头制造方法，包括：选择用于制造镜头的基板材料；在基板上均匀涂抹一层制作镜片的材料；按照预先设定的镜头形状用光刻法对镜片材料进行加工；对加工完成的镜片材料进行固化处理；将基板翻转，基板背面翻转到上方，对其进行蚀刻加工；在加工完成的基板表面涂抹镜片材料；重复步骤3至步骤4，完成基板这一面上的镜头制作。本发明提供的图像传感器镜头制造方法采用2套光照工具对镜头进行加工，能够提供一种高精度的图像传感器镜头制造方法，该方法的成本效益要显著优于现有技术。
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公开(公告)号：CN102593138A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210018146.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法，相应的CMOS图像传感器包括高反射率薄膜和两层金属连线，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部。相应的方法包括在硅衬底材料上将As或P离子植入衬底材料形成N型光电二极管；光电二极管之间的衬底材料采用腐蚀工艺蚀刻开并填充形成浅沟槽绝缘；在衬底表面逐层淀积介质层和金属层，复合层作为金属的介质层；将光电二极管表面的介质材料腐蚀，形成凹槽侧壁及凹槽状，在凹槽侧壁及凹槽外部介质上表面形成一层高反射率薄膜；在凹槽中淀积彩色滤光片材料并在其上制作微透镜。本发明避免了入射光在金属间反射而造成的串扰，缩短了入射光到达像素表面的距离。
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公开(公告)号：CN102593138B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210018146.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法，相应的CMOS图像传感器包括高反射率薄膜和两层金属连线，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部。相应的方法包括在硅衬底材料上将As或P离子植入衬底材料形成N型光电二极管；光电二极管之间的衬底材料采用腐蚀工艺蚀刻开并填充形成浅沟槽绝缘；在衬底表面逐层淀积介质层和金属层，复合层作为金属的介质层；将光电二极管表面的介质材料腐蚀，形成凹槽侧壁及凹槽状，在凹槽侧壁及凹槽外部介质上表面形成一层高反射率薄膜；在凹槽中淀积彩色滤光片材料并在其上制作微透镜。本发明避免了入射光在金属间反射而造成的串扰，缩短了入射光到达像素表面的距离。
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公开(公告)号：CN102723347A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210177439.2
申请日：2012-05-31
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
Inventor： 赵文霖
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器镜头的制造方法，包括按预定的镜头形状在模具的表面上开成凹槽，并在所述模具的表面上涂一层制作镜片的材料；按预定的镜片形状和镜片两侧的支撑体的形状，通过光刻法对所述制作镜片的材料进行加工，并对加工完成的所述制作镜片的材料进行固化处理，制得所述图像传感器镜头。本发明能够实现镜片材料在被加工成预先设定的镜片形状时，成形的镜片与预先设定的形状完全相同，精度高，可应用于高像素以及对镜片条件要求高的图像传感器。此外采用模具和一套光照工具的制造方式合作进行镜头制造，能够有效降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102723346A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210177226.X
申请日：2012-05-31
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
Inventor： 赵文霖
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器镜头制造方法，包括：选择用于制造镜头的基板材料；在基板上均匀涂抹一层制作镜片的材料；按照预先设定的镜头形状用光刻法对镜片材料进行加工；对加工完成的镜片材料进行固化处理；将基板翻转，基板背面翻转到上方，对其进行蚀刻加工；在加工完成的基板表面涂抹镜片材料；重复步骤3至步骤4，完成基板这一面上的镜头制作。本发明提供的图像传感器镜头制造方法采用2套光照工具对镜头进行加工，能够提供一种高精度的图像传感器镜头制造方法，该方法的成本效益要显著优于现有技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102572320A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110385283.2
申请日：2011-11-28
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明提供了一种降低CMOS图像传感器模组高度的方法及CMOS图像传感器模组，相应的方法包括将感光阵列划分为两个或者两个以上，将全部感光阵列的分辨率之和作为所述CMOS图像传感器模组的分辨率，并为每个划分的感光阵列设定独立的光学成像系统；将每个感光阵列捕获的模拟信号进行处理，获得图像信号；将感光阵列的图像信号进行图像处理，并将处理完成的感光阵列的图像拼接成一幅完整的图像。本发明通过将芯片中的大面积高分辨率感光阵列进行切分，使之成为多个面积和分辨率相同的小分辨率感光阵列，各个感光阵列采用独立的光学系统成像，在不改变CMOS图像传感器模组的分辨的情况下，将模组高度减小。
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公开(公告)号：CN202696757U
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201220254907.7
申请日：2012-05-31
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
Inventor： 赵文霖
Abstract: 本实用新型提供了一种具有液晶镜头的CMOS图像传感器，包括液晶模块、光学镜头模块、图像传感器芯片和电极，所述液晶模块、光学镜头模块和图像传感器芯片依次固定连接，或者所述光学镜头模块、液晶模块和图像传感器芯片依次固定连接，所述电极设置在所述液晶模块的下表面并通过光学镜头模块和图像传感器芯片内部的空腔与图像传感器芯片的管脚连接，或者所述电极设置在所述液晶模块的下表面并通过所述图像传感器芯片内部的空腔与图像传感器芯片的管脚连接。本实用新型的具有液晶镜头的CMOS图像传感器液晶模块与图像传感器集成度高，其供电电路内置于图像传感器结构内部，适于大批量生产，可适用于各类便携式图像拍照设备。
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公开(公告)号：CN202503588U
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201120482040.6
申请日：2011-11-28
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本实用新型提供了小体积高分辨率CMOS图像传感器模组，包括感光阵列、模拟电路和数字电路，所述感光阵列被划分为两个或者两个以上，并且每个划分的感光阵列设有独立的光学成像系统，每个划分的感光阵列的图像数据输出端与所述模拟电路的图像信号输入端连接，所述模拟电路的图像信号输出端与所述数字电路的图像信号输入端连接。本实用新型通过将芯片中的大面积高分辨率感光阵列进行切分，使之成为多个面积和分辨率相同的小分辨率感光阵列，各个感光阵列采用独立的光学系统成像，在不改变CMOS图像传感器模组的分辨的情况下，将模组高度减小。
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公开(公告)号：CN202816945U
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201220064147.3
申请日：2012-02-23
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本实用新型提供了一种CMOS图像传感器结构，包括高反射率薄膜、两层金属连线和彩色滤光片阵列，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部，所述彩色滤光片阵列设置在所述CMOS图像传感器结构的感光通道中。本实用新型能够有效的将入射光引导至光电二极管的表面，从而改善了光电二极管的灵敏度和量子效率；该结构感光通道和平坦层有效的抑制了入射光在通道外的介质中发生折射，从而屏蔽了光的串扰；该结构图像传感器将CFA材料替代传统结构的介质材料避免了入射光因介质折射率差异造成的反射。
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