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公开(公告)号：CN113078624A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110553171.7
申请日：2021-05-20
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明公开了一种通过双LDO减小浪涌电流的电路，包括：两个LDO电路与上电复位电路；两个LDO电路的输出节点均连接所述上电复位电路；首先，启动第二LDO电路，当第二LDO电路的输出电压vout上升到目标电压后，通过POR电路，延迟一段时间开启第二LDO电路，并关闭第二LDO电路；其中，KM2
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公开(公告)号：CN108388868A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810162486.7
申请日：2018-02-27
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种近距离感应物体影像的装置，包括由下至下依次连接的物距玻璃(1)、黑胶层(2)、黑膜层(3)、像距玻璃(4)与图像传感器(5)；所述的黑胶层(2)内散布多个发光体(6)与多个成像体(7)；所述的发光体(6)包括上下方向的发光体通孔(61)与设于发光体通孔(61)底部的发光二极管(62)；所述的成像体(7)包括上下方向的成像体通孔(71)与设于成像体通孔(71)下方中心的黑膜层(3)上的小孔(72)。成像清楚，识别率高，尺寸薄，可以应用在许多环境。
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公开(公告)号：CN108364969A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810332707.0
申请日：2018-04-13
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器封装结构，玻璃(3)通过键合围堰(2)封装于晶圆(1)上，其特征在于，所述的玻璃(3)采用红外截止膜镀膜的玻璃；玻璃(3)厚度200～300微米。解决炫光问题，成本低，效果好。
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公开(公告)号：CN104269421B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201410543165.3
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种灵敏度自适应的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管，还包括设置于所述光电二极管侧面的晶体管电容和电荷存储区；晶体管电容的栅极多晶硅深入到半导体硅基体中，晶体管电容的沟道为光电二极管区，电荷存储区与所述晶体管电容的栅极多晶硅相接触，并且与光电二极管区相连，电荷存储区为所述电荷传输晶体管的源极端。本发明像素压缩了强光环境下的感光灵敏度，拓展了像素的感光动态范围，像素采集到了更多高照明时的实物信息。
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公开(公告)号：CN104218047B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410478914.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种高饱和容量的图像传感器像素及其工作方法，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、第一复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，还包括第二复位晶体管和N型离子区，第二复位晶体管与光电二极管相连；N型离子区的一部分位于所述电荷传输晶体管沟道中，另一部分位于所述漂浮有源区中，并且与漂浮有源区的N+区相连。像素的饱和电荷容量不受工作电势限制，进而有效提高了像素的饱和容量，提升了图像传感器输出的图像品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811512B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410098876.4
申请日：2014-03-17
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法，该像素结构中至少包括置于半导体基体中的光电二极管、设置于该光电二极管一侧的一浅槽隔离区、设置于该光电二极管另一侧的两个浅槽隔离区及设置于所述两个浅槽隔离区之间且与电源相连的晶体管漏端有源区；其中，所述光电二极管一侧的一浅槽隔离区上设有深P型阱区；所述晶体管漏端有源区上依次设有N型阱区与深P型阱区，使得晶体管漏端有源区与相邻的两侧光电二极管之间存在溢出电荷导流通道。通过采用本发明公开的图像传感器像素结构及其制造方法，可以防止采集的图像产生弥散现象，同时消除强光图像的周围像素颜色失真的问题。
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公开(公告)号：CN103139498B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310092561.4
申请日：2013-03-21
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器，属CMOS图像传感器领域。该像素单元包括光电二极管和连接的电荷传输晶体管，像素为4个，排列成2X2的交错阵列结构，每一列的两个像素共亨行选择晶体管SX1、源跟随晶体管SF1、复位晶体管RX1和漂浮有源区FD1，同一列两个像素共享的所述行选择晶体管的栅极和源极相互连接；同一列两个像素共享的复位晶体管的漏极、源跟随晶体管的源极与另一列两个像素的行选择晶体管的栅极和源极相互连接。由于省去了行选择晶体管栅极时序控制金属线，电源线和列像素信号输出线共享一条列金属互连线，能够有效提高小面积像素传感器的用光效率，从而提高灵敏度和图像品质。
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公开(公告)号：CN103165636B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310092571.8
申请日：2013-03-21
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器的像素单元：包括由4个像素排列成2×2像素阵列结构作为一组像素单元，其中第一列和第二列中的两个像素分别在列内共享行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区，并且第一列两个像素和第二列两个像素形成背靠背式排列结构；多组像素单元在垂直和水平方向上排列成为二维像素阵列。在像素阵列中，省去了行选择晶体管栅极时序控制金属线，电源线和列像素信号输出线共享一条列金属线。因此本发明的像素阵列能够有效提高小面积像素传感器的用光效率，从而提高灵敏度，所以本发明有效提高了小面积像素图像传感器的图像品质。
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公开(公告)号：CN104505395A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410838435.3
申请日：2014-12-29
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构及其控制方法，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、漂浮有源区，还包括第一P型离子区、第二P型离子区、N型离子区；第一P型离子区和N型离子区位于电荷传输晶体管的沟道区，两者相互接触，并且第一P型离子区在靠近光电二极管的一侧与光电二极管上部的Pin型P+层接触，N型离子区在靠近漂浮有源区的一侧与漂浮有源区的N+区接触；第二P型离子区位于N型离子区和漂浮有源区的底部；光电二极管在电荷传输晶体管沟道处的边界为第一P型离子区与所述N型离子区的接触处。配合像素中的电荷传输晶体管栅极控制方法，进行光电电荷转移操作时，电荷传输晶体管沟道与光电二极管之间无势垒和势谷，不会产生图像拖尾现象。
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公开(公告)号：CN104485342A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410765148.4
申请日：2014-12-11
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器像素结构及其操作方法，包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，还包括第一电荷传输晶体管、第二电荷传输晶体管以及置于第一电荷传输晶体管和第二电荷传输晶体管之间的电容。光电二极管在曝光周期中，第一电荷传输晶体管做开启并关闭操作多于1次，进而将多于1倍光电二极管饱和容量的光电电荷存储在电容中；光电二极管曝光结束时，将存储在电容中的光电电荷转移至漂浮有源区，进行读取光电信号操作，从而提高了图像传感器像素的电荷饱和容量。
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