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公开(公告)号：CN103811512B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410098876.4
申请日：2014-03-17
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法，该像素结构中至少包括置于半导体基体中的光电二极管、设置于该光电二极管一侧的一浅槽隔离区、设置于该光电二极管另一侧的两个浅槽隔离区及设置于所述两个浅槽隔离区之间且与电源相连的晶体管漏端有源区；其中，所述光电二极管一侧的一浅槽隔离区上设有深P型阱区；所述晶体管漏端有源区上依次设有N型阱区与深P型阱区，使得晶体管漏端有源区与相邻的两侧光电二极管之间存在溢出电荷导流通道。通过采用本发明公开的图像传感器像素结构及其制造方法，可以防止采集的图像产生弥散现象，同时消除强光图像的周围像素颜色失真的问题。
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公开(公告)号：CN103139498B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310092561.4
申请日：2013-03-21
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器，属CMOS图像传感器领域。该像素单元包括光电二极管和连接的电荷传输晶体管，像素为4个，排列成2X2的交错阵列结构，每一列的两个像素共亨行选择晶体管SX1、源跟随晶体管SF1、复位晶体管RX1和漂浮有源区FD1，同一列两个像素共享的所述行选择晶体管的栅极和源极相互连接；同一列两个像素共享的复位晶体管的漏极、源跟随晶体管的源极与另一列两个像素的行选择晶体管的栅极和源极相互连接。由于省去了行选择晶体管栅极时序控制金属线，电源线和列像素信号输出线共享一条列金属互连线，能够有效提高小面积像素传感器的用光效率，从而提高灵敏度和图像品质。
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公开(公告)号：CN103165636B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310092571.8
申请日：2013-03-21
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器的像素单元：包括由4个像素排列成2×2像素阵列结构作为一组像素单元，其中第一列和第二列中的两个像素分别在列内共享行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区，并且第一列两个像素和第二列两个像素形成背靠背式排列结构；多组像素单元在垂直和水平方向上排列成为二维像素阵列。在像素阵列中，省去了行选择晶体管栅极时序控制金属线，电源线和列像素信号输出线共享一条列金属线。因此本发明的像素阵列能够有效提高小面积像素传感器的用光效率，从而提高灵敏度，所以本发明有效提高了小面积像素图像传感器的图像品质。
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公开(公告)号：CN104143558A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410403947.7
申请日：2014-08-15
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了一种提高阱容量的图像传感器像素及其制作方法，包括置于半导体基体中的光电二极管以及电荷传输晶体管，光电二极管的侧面设置有晶体管电容，晶体管电容的栅极位于所述半导体基体内，晶体管电容的沟道位于光电二极管中。此晶体管电容加入到光电二极管中，有效提高了图像传感器的像素饱和阱容量，拓展了动态范围。
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公开(公告)号：CN102595057B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210047503.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/341 , H04N5/3745 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/3765
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素及其控制时序。CMOS图像传感器像素包括由4个像素排列成2×2像素阵列结构作为一组像素单元，其中第一列和第二列中的两个像素分别在列内共享选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区，并且第一列像素和第二列像素形成交错式排列结构；多组像素单元在垂直和水平方向上排列成为二维像素阵列。在像素阵列中，第一层金属连线为电源控制线和信号输出线也为列控制器时序控制线，第二层金属连线为行译码器时序输出控制线。本发明的像素结构阵列能够提高小面积像素传感器的用光效率，从而提高灵敏度，可以有效提高小面积像素图像传感器的图像品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104010142A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410262327.6
申请日：2014-06-12
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种有源像素及图像传感器及其控制时序，有源像素包括置于半导体基体中的第一感光元件、位于第一感光元件与漂浮节点之间的传输晶体管、连接漂浮节点的第一复位晶体管，还包括连接漂浮节点的源跟随晶体管、行选择晶体管和列位线，有源像素还包括第二感光元件，第二感光元件通过辅助电容与所述漂浮节点连接，所述第二感光元件还连接有第二复位晶体管。可以根据图像传感器及像素上的入射光照量自动地调节漂浮节点处的电容量；与低照明环境比较，在高照明环境下，漂浮节点处的电容增大从而使得漂浮节点的信号饱和容量增加，则提高了图像传感器的动态范围，同时也增大了信噪比。
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公开(公告)号：CN103646955A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310700061.4
申请日：2013-12-18
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种减少电荷残留的背照式图像传感器及其制造方法。所述图像传感器至少包括置于半导体基体中的光电二极管、与所述光电二极管连接的电荷传输晶体管、与所述电荷传输晶体管连接的漂浮有源区、填充在相邻像素的光电二极管之间的浅槽隔离区，其中，所述电荷传输晶体管中预定长度的栅极多晶硅置于所述浅槽隔离区内。通过采用本发明公开的图像传感器及其制造方法，可以提高光电二极管内电荷的转移速度，进而解决电荷残留问题。
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公开(公告)号：CN103531579A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310546187.0
申请日：2013-11-06
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种改善半导体芯片封装可靠性的结构及其制备方法，该结构层从上至下包括玻璃层、支撑结构层、空腔层、硅基层、金属层与阻焊层，其中，所述支撑结构层、硅基层与金属层的边缘被所述阻焊层包裹；且该结构的边缘仅包括所述玻璃层与所述阻焊层。通过采用本发明提供的结构及其制备方法，有效的降低了芯片的损坏率，提高了良率；且降低了切割时的刀具磨损率。
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公开(公告)号：CN103139498A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310092561.4
申请日：2013-03-21
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器，属CMOS图像传感器领域。该像素单元包括光电二极管和连接的电荷传输晶体管，像素为4个，排列成2X2的交错阵列结构，每一列的两个像素共亨行选择晶体管SX1、源跟随晶体管SF1、复位晶体管RX1和漂浮有源区FD1，同一列两个像素共享的所述行选择晶体管的栅极和源极相互连接；同一列两个像素共享的复位晶体管的漏极、源跟随晶体管的源极与另一列两个像素的行选择晶体管的栅极和源极相互连接。由于省去了行选择晶体管栅极时序控制金属线，电源线和列像素信号输出线共享一条列金属互连线，能够有效提高小面积像素传感器的用光效率，从而提高灵敏度和图像品质。
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公开(公告)号：CN102572320A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110385283.2
申请日：2011-11-28
Applicant: 北京思比科微电子技术股份有限公司
IPC: H04N5/374
Abstract: 本发明提供了一种降低CMOS图像传感器模组高度的方法及CMOS图像传感器模组，相应的方法包括将感光阵列划分为两个或者两个以上，将全部感光阵列的分辨率之和作为所述CMOS图像传感器模组的分辨率，并为每个划分的感光阵列设定独立的光学成像系统；将每个感光阵列捕获的模拟信号进行处理，获得图像信号；将感光阵列的图像信号进行图像处理，并将处理完成的感光阵列的图像拼接成一幅完整的图像。本发明通过将芯片中的大面积高分辨率感光阵列进行切分，使之成为多个面积和分辨率相同的小分辨率感光阵列，各个感光阵列采用独立的光学系统成像，在不改变CMOS图像传感器模组的分辨的情况下，将模组高度减小。
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