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公开(公告)号：CN118703965A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410760389.3
申请日：2024-06-13
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种离子束沉积装置自清洁优化方法及系统，涉及薄膜沉积和材料改性技术领域，旨在通过自动化和智能化的手段，对离子束沉积装置进行定期或实时的清洁，以去除沉积过程中产生的杂质和污染物；通过集成在离子束沉积装置内的传感器，实时监测沉积室内的温度、压力、离子束强度等关键参数，以及沉积层的表面状态；利用先进的数据分析算法，对实时监测数据进行处理和分析，以预测杂质积累的趋势和位置，基于数据分析结果，自动制定个性化的自清洁策略，通过控制系统自动执行自清洁策略，无需人工干预。同时，系统还可以记录清洁过程中的数据，用于后续的分析和优化离子束沉积装置在半导体制造、材料科学等领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN119736599A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411919957.6
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体公开了一种超低内应力高熵柔性复合薄膜及其制备方法和制备装置，该制备装置为卷绕式复合离子束处理装置，薄膜由导辊带动由前至后依次穿过考夫曼离子源刻蚀系统、MEVVA离子共注入系统、磁过滤阴极真空弧共沉积系统、超低占空比高偏压脉冲磁过滤阴极真空弧共沉积系统。该超低内应力高熵柔性复合薄膜由下至上依次包括：聚合物衬底、高熵离子钉扎混合层，以及在高熵离子钉扎混合层表面交替沉积的高柔韧高熵合金缓冲层和低应力梯度化高熵氧化物阻隔层。本发明实现了低薄膜内应力、高结合强度、低沉积温度、高薄膜致密性、高沉积速率的高质量柔性高熵复合薄膜制备，并大幅提升聚合物薄膜的水氧阻隔性能。
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公开(公告)号：CN118703965B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410760389.3
申请日：2024-06-13
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种离子束沉积装置自清洁优化方法及系统，涉及薄膜沉积和材料改性技术领域，旨在通过自动化和智能化的手段，对离子束沉积装置进行定期或实时的清洁，以去除沉积过程中产生的杂质和污染物；通过集成在离子束沉积装置内的传感器，实时监测沉积室内的温度、压力、离子束强度等关键参数，以及沉积层的表面状态；利用先进的数据分析算法，对实时监测数据进行处理和分析，以预测杂质积累的趋势和位置，基于数据分析结果，自动制定个性化的自清洁策略，通过控制系统自动执行自清洁策略，无需人工干预。同时，系统还可以记录清洁过程中的数据，用于后续的分析和优化离子束沉积装置在半导体制造、材料科学等领域具有广泛应用。
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公开(公告)号：CN118256880A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410358034.1
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷曲面表面金属膜的镀覆装置，属于金属膜镀覆领域。一种陶瓷曲面表面金属膜的镀覆装置，包括镀覆箱，所述镀覆箱内腔底部固定连接有蒸镀盘，所述镀覆箱内腔顶部转动连接有镀覆盘，所述镀覆盘底部两侧均固定连接有定位吸盘；本发明通过充入惰性气体推动驱动叶轮进行转动，使得气化上行的靶材均匀地与基板底面相接触，从而在基板上形成均匀的薄膜，提高了镀覆效果；并且将利用后的惰性气体从喷气管向上流出，推动气化的靶材快速地到达基板底面，提高了镀覆效率，并以此将蒸镀盘周围的高温向上推移，使得高温接触基板底面，从而对基板底面进行预热，使得基板更好地与靶材相结合，以此提高了镀覆的效果。
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公开(公告)号：CN119736600A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411919978.8
申请日：2024-12-25
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种抗原子氧聚合物复合薄膜的耦合离子束制备装置及方法。本发明装置由收放卷系统、霍尔离子源刻蚀系统、MEVVA离子注入系统、磁过滤阴极真空弧沉积系统和高功率脉冲磁控溅射沉积系统组成；各系统间通过无氧铜O型密封圈连接；聚合物薄膜衬底在设备中进行传送，制备的复合膜层结构如图1所示；基于该技术制备的复合薄膜具有优异界面附着强度和膜基协同变形能力，可以有效缓解空间碎片碰撞与冷热循环所导致的防护薄膜开裂而诱发的AO掏蚀降解，大幅提升聚合物部件的服役寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118256889A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410357921.7
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种OLED显示屏封装金属氧化物膜的屏幕预处理装置，属于显示屏金属膜处理领域。一种OLED显示屏封装金属氧化物膜的屏幕预处理装置，包括处理箱，所述处理箱内腔底部固定连接有旋转盘，所述旋转盘顶部转动连接有定位盘，所述处理箱顶部固定连接有电子束发生器，所述处理箱内开设有插接槽，所述插接槽内壁插接有箱门板；本发明通过热气流推动驱动叶轮带动定位盘进行转动，使得显示屏表面均匀且全面地与电子束之间发生接触，有效提高了处理效果；并且热气流还将会对显示屏进行预热处理，同时也确保了处理箱内处于温热状态，以此便于电子束与金属氧化物膜之间发生反应，形成更为优质的非晶氧化物，提高了对显示屏的处理效果。
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公开(公告)号：CN118747274B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202410808001.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于载能离子束沉积技术的芯片封装方法及系统，涉及芯片封装技术领域，用于解决离子束能量的波动、离子束流量的不均匀等因素会影响沉积速率的稳定性。不稳定的沉积速率会导致沉积层厚度的不均匀性，影响封装层的质量和性能的问题，包括根据沉积表面晶体结构的规整性，建立沉积表面晶体结构的规整性与沉积速率的训练模型，推导出预期沉积速率；将预期沉积速率与实时沉积速率比较，确定是否需要调整实时沉积速率，进一步作出相应调整，实施并监测；通过模型训练来推导出预期的沉积速率，将其与实时沉积速率比较来确定是否需要调整沉积速率。最后通过调整离子束的能量和流量来控制沉积速率的稳定。
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公开(公告)号：CN118747274A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410808001.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于载能离子束沉积技术的芯片封装方法及系统，涉及芯片封装技术领域，用于解决离子束能量的波动、离子束流量的不均匀等因素会影响沉积速率的稳定性。不稳定的沉积速率会导致沉积层厚度的不均匀性，影响封装层的质量和性能的问题，包括根据沉积表面晶体结构的规整性，建立沉积表面晶体结构的规整性与沉积速率的训练模型，推导出预期沉积速率；将预期沉积速率与实时沉积速率比较，确定是否需要调整实时沉积速率，进一步作出相应调整，实施并监测；通过模型训练来推导出预期的沉积速率，将其与实时沉积速率比较来确定是否需要调整沉积速率。最后通过调整离子束的能量和流量来控制沉积速率的稳定。
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公开(公告)号：CN118606651A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410759828.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 北京市科学技术研究院
IPC: G06F18/20 , H01M10/42 , G06F18/22 , G06F18/243 , H01M50/136 , H01M10/04
Abstract: 本发明公开了基于离子束表面改性技术的柔性显示封装电源优化方法，涉及离子束表面改性技术领域，用于解决不同类型的柔性电池对工作环境的要求有所不同，当柔性电池出现假性性能改变时，监测系统会根据柔性电池的性能改变做出调整，电池性能回弹后电池内部原有的稳定性会被打破的问题，包括收集分类匹配后的柔性电池反馈数据，根据柔性电池反馈数据利用MAD算法分析当前柔性电池异常状态，将当前柔性电池标记为假性异常状态电池或非假性异常状态电池；根据阈值对电池性能进行精准调整，保障调整后性能回弹的柔性电池工作效率在可承受范围内，通过对电池的匹配分类以及柔性电池的分类调整，提高了柔性电池的稳定性和应用场景的安全保障。
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公开(公告)号：CN117226913A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311169681.X
申请日：2023-09-12
Applicant: 北京市科学技术研究院
Abstract: 本发明涉及覆铜板生产技术领域，公开了一种覆铜板生产加工用切割打磨一体装置，包括底板，底板的顶部固定安装有承台，承台的顶部左右两侧分别滑动安装有三号滑块和二号滑块，二号滑块的顶部固定安装有连板，连板的顶部固定安装有两个转角板，承台的顶部中部固定安装有切割台，由于切割时尘罩罩在切割槽上方，跳动的碎屑会尘罩抵挡落在切割槽内收集，此时气泵通过管道对切割槽内抽气，将细尘吸进并排进收集筒内，细尘通过喷头排出时会遇水混合，较重的细尘也会沉淀下去，气体则穿过过滤板内的滤布来到备水筒顶部的排气管排出，这里由于滤布的抵挡也会迫使细尘无法跟随气体来到备水筒上排出，进一步的防止细尘飘散在车间。
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