公开(公告)号：CN119736599A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411919957.6

申请日：2024-12-25

Applicant: 北京市科学技术研究院

Inventor： 张一凡 ,  李倩 ,  庞盼 ,  侯庆艳 ,  金小越 ,  陈琳 ,  罗军 ,  廖斌

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/20 ,  C23C14/22 ,  C23C14/32 ,  C23C14/02

Abstract: 本发明属于薄膜制备技术领域，具体公开了一种超低内应力高熵柔性复合薄膜及其制备方法和制备装置，该制备装置为卷绕式复合离子束处理装置，薄膜由导辊带动由前至后依次穿过考夫曼离子源刻蚀系统、MEVVA离子共注入系统、磁过滤阴极真空弧共沉积系统、超低占空比高偏压脉冲磁过滤阴极真空弧共沉积系统。该超低内应力高熵柔性复合薄膜由下至上依次包括：聚合物衬底、高熵离子钉扎混合层，以及在高熵离子钉扎混合层表面交替沉积的高柔韧高熵合金缓冲层和低应力梯度化高熵氧化物阻隔层。本发明实现了低薄膜内应力、高结合强度、低沉积温度、高薄膜致密性、高沉积速率的高质量柔性高熵复合薄膜制备，并大幅提升聚合物薄膜的水氧阻隔性能。

公开(公告)号：CN119736600A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411919978.8

申请日：2024-12-25

Applicant: 北京市科学技术研究院

Inventor： 张一凡 ,  庞盼 ,  侯庆艳 ,  李倩 ,  金小越 ,  陈琳 ,  罗军 ,  廖斌

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/48 ,  C23C14/32 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/20

Abstract: 本发明公开了一种抗原子氧聚合物复合薄膜的耦合离子束制备装置及方法。本发明装置由收放卷系统、霍尔离子源刻蚀系统、MEVVA离子注入系统、磁过滤阴极真空弧沉积系统和高功率脉冲磁控溅射沉积系统组成；各系统间通过无氧铜O型密封圈连接；聚合物薄膜衬底在设备中进行传送，制备的复合膜层结构如图1所示；基于该技术制备的复合薄膜具有优异界面附着强度和膜基协同变形能力，可以有效缓解空间碎片碰撞与冷热循环所导致的防护薄膜开裂而诱发的AO掏蚀降解，大幅提升聚合物部件的服役寿命。