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公开(公告)号：CN119710568A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411740457.6
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京工业大学重庆研究院 , 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，尤其是涉及一种全金属间化合物薄膜的制备方法及应用。包括以下步骤：(1)在惰性气氛下，采用双靶双束脉冲激光沉积技术在晶圆表面沉积金属颗粒薄膜，沉积选用的主靶和副靶的材料均为金属；在沉积初始阶段晶圆的加热温度为260‑300℃，气压为50‑500Pa；在沉积后期阶段晶圆的加热温度为220‑260℃，气压为500‑1500Pa；(2)对沉积完成的晶圆进行热处理，得到覆盖在晶圆表面的全IMC薄膜。本发明提供的制备方法能够提升全IMC薄膜制备的沉积速度、改善薄膜质量，并大幅降低能耗和设备复杂性，将制备得到的全IMC薄膜应用于电子封装，能够显著提高器件的可靠性和性能稳定性。
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公开(公告)号：CN119614155A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411679877.8
申请日：2024-11-22
Applicant: 北京工业大学重庆研究院 , 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及芯片封装散热技术领域，尤其是涉及一种用于多芯片封装的热界面材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：步骤1：对DBC基板采用脉冲激光沉积的方式依次铺设纳米小颗粒区域、纳米中颗粒区域和微米大颗粒区域形成梯度过渡结构；步骤2：将步骤1沉积完成的DBC基板在热沉上烧结；步骤3：将烧结完成的DBC基板在惰性气环境下冷却至室温；步骤4：在烧结完成的梯度过渡结构内注入相变材料，并在四周打印一圈环氧树脂用于密封。本发明提出了一种用于多芯片封装的热界面材料，通过颗粒尺寸的渐变设计，实现形成连续的多层次孔隙结构，从而提高导热性能、冷凝液回流能力和界面稳定性。
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公开(公告)号：CN119815704A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411915242.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及覆铜陶瓷基板技术领域，尤其是涉及一种覆铜陶瓷基板的制备方法。包括以下步骤：S1.对陶瓷基板进行表面处理；S2.根据电路设计要求，设计出相应的钢网图案，并制作钢网；S3.将铜浆料通过钢网印刷的方式直接印刷在处理过的陶瓷基板上，形成图形化的覆铜层，并在氮气氛围下烘干；S4.重复步骤S3多次，得到印刷好的样品；S5.将印刷好的样品进行烧结，然后打磨、清洗，得到覆铜陶瓷基板。本发明能够通过钢网印刷手段直接获得图形化的覆铜层，避免了使用钎料焊接铜箔及后续刻蚀的繁琐步骤，工艺简单，并具备良好的成型性，且制备得到的成品覆铜层与陶瓷基板之间有较强的结合力。
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公开(公告)号：CN119794490A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510120732.2
申请日：2025-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K1/005
Abstract: 一种提高无铅钎料互连BGA封装焊点抗热疲劳性能的方法，涉及电子封装用焊接领域。在将PCB基板表面为采用超快激光加工有井字式微纳结构表面，所述井字式微纳结构是由多条横向平行、多条纵向平行的横纵交叉形成的网格状直线沟槽微结构，多条横向平行沟槽、多条纵向平行沟槽间的相邻间距为80‑120μm，沟槽宽度为10‑20μm，沟槽深约30‑50um，通过调节超快激光加工参数调节沟槽参数，沟槽内部和沟槽周围覆盖有大量微颗粒；将焊球通过加热板植在裸芯片上，通过热风焊机将芯片与加工后的PCB基板焊接封装起来。提高表面的比表面积和结构丰富度，可用于解决现有BGA封装焊点抗热疲劳性差、耐用性差等问题。
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公开(公告)号：CN116043172B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310037199.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于梯度材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲激光沉积装置及利用其制备梯度成分材料的方法。该装置包括反应腔和激光装置；所述反应腔的内部包括用于支撑第一靶材的第一靶托、用于支撑第二靶材的第二靶托、用于支撑衬底的样品托；所述激光装置包括激光器、第一半波片、第二半波片、第一偏振分束器、第二偏振分束器、反射镜、第一扫描振镜、第二扫描振镜。该装置设计了适配单激光器的激光光路，将单束脉冲激光分为两束脉冲激光同时轰击异种靶材，可通过控制两个半波片镜片的旋转，在沉积过程中实现激光功率连续变化，使轰击出异种靶材等离子体的成分浓度连续变化，经过混合后实现单层薄膜成分的连续变化，在厚度方向上形成梯度成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117300431A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311524612.6
申请日：2023-11-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种功率器件封装用金属焊膏及其制备方法和应用。本发明的功率器件封装用金属焊膏的制备方法，包括如下步骤：S1：采用粘结剂对金属颗粒进行包覆，得到包覆金属颗粒；S2：将分散剂、抗氧化剂和有机溶剂混合均匀，得到有机溶剂体系；S3：将包覆金属颗粒与有机溶剂体系混合搅拌，得到混合物；S4：将混合物与热固性树脂混合搅拌，得到功率器件封装用金属焊膏。本发明制备的金属焊膏芯片贴装性能良好，贴片后能够保持一定的强度，从而保证了在后续移动及烧结过程中不发生芯片与下基板的相对位移，很好地解决了实际生产应用过程中芯片贴装环节面临的贴片困难等问题。
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公开(公告)号：CN117004865A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311208845.5
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种细晶化SnBiIn合金及其制备方法和应用，涉及电子封装芯片互联材料制造技术领域。本发明提供了一种细晶化SnBiIn合金，按原子百分比计，Sn的含量为30～50at％，Bi的含量为20～40at％，In的含量为30～50at％，细晶化SnBiIn合金采用球磨的方法制备得到。本发明还提供了一种SnBiIn合金钎料，包含SnBiIn合金焊片或SnBiIn合金焊膏。本发明通过调整各元素的比例，并采用真空感应熔炼与球磨的制备方法，使In完全与Bi反应，抑制了脆性Bi相析出，组织均匀细小，熔点低，提高焊点的电迁移性能、热疲劳性能和力学性能，减小芯片翘曲的程度以及焊点失效的概率。
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公开(公告)号：CN116387254A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310213923.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/15 , H01L23/46 , H01L21/50 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种纳米焊膏连接结构及其连接方法，应用于微电子封装领域；连接结构包括第一基板层、第二基板层以及纳米焊膏层；所述第一基板层与所述第二基板层通过所述纳米焊膏层连接，所述纳米焊膏层上具有多条将所述纳米焊膏层分割为独立焊膏单元的流道；通过流道的设置将大面积的基板切割成特定形状的小面积，在互连过程中有机物受热分解为气体，气体通过流道挥发，从而解决了现有技术中有机物挥发受阻而不能够大面积连接的问题；且由于流道将大面积切割，不仅降低了互连层内部的残余应力，还阻碍裂纹扩散提高互连件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115383343A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211069185.2
申请日：2022-09-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于核壳结构强化相增强的Sn基无铅复合钎料及其制备方法，涉及电子封装连接材料制造技术领域。本发明复合钎料由95～99.9wt％的Sn基无铅钎料合金粉末和0.1～5wt.％的核‑壳结构增强颗粒组成。核‑壳结构颗粒核心选用Si及Si基化合物，采用Ni、Ag、Cu等可以和Sn原位反应生成金属间化合物的金属作为外壳。本发明通过将增强颗粒和Sn基无铅钎料合金粉末按上述组分含量在无水乙醇中机械搅拌10～30min，过滤烘干后得到混合粉末。混合粉末中可添加助焊剂制成膏状，或在模具中直接压制成片状/块状，用于后续不同的焊接工艺中，如回流焊、扩散焊等。本发明用于制备Sn基无铅复合钎料，可以使增强颗粒分布均匀，提高钎料力学性能，且工艺简单可靠、成本低廉。
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