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公开(公告)号：CN113033764A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010282701.4
申请日：2020-04-12
Applicant: 北京工业大学 , 中国科学院计算技术研究所
Abstract: 本发明公开了基于高斯分布特征的深层卷积神经网络压缩加速方法，适用于深度神经网络模型的压缩。首先训练好一个原始的卷积神经网络，然后逐层对该网络进行高斯分析，根据分析的结果选择保留还是删除的卷积核，之后进训练，直到模型剪枝完成。本发明在进行压缩剪枝过程中，采用的技术方案是根据分布收敛特征进行剪枝，在压缩的过程中没有引入其他的剪枝约束超参数，因此压缩的过程是自动化搜索的。本发明的压缩结果是直接压缩出更小的模型，没有引入mask对权重进行操作，压缩的结果可以不依赖于相关的加速库而直接产生加速效果，始终让模型的性能保证在原来的基础上，即没有出现任何的精度损失下进行的。
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公开(公告)号：CN111461322A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010174807.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 中国科学院计算技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种深度神经网络模型压缩方法，包括如下步骤：1)通过标准神经网络训练流程完成对复杂模型的训练，获得原始模型；2)按照下述公式之一利用结构化剪枝和非结构化剪枝对所述原始模型进行剪枝：{(s，st，u，ut)*(n-1)，(s，st，u)}或者{(u，ut，s，st)*(n-1)，(u，ut，s)}；其中，s：结构化剪枝；st：结构化剪枝重训练；u：非结构化剪枝；ut：非结构化剪枝重训练；(s，st，u，ut)*(n-1)表示将(s，st，u，ut)按照所述顺序重复n-1次，(u，ut，s，st)*(n-1)表示将(u，ut，s，st)按照所述顺序重复n-1次，其中n大于等于1；3)对步骤2)经过剪枝获得的模型进行训练。
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公开(公告)号：CN111461322B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010174807.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 中国科学院计算技术研究所
IPC: G06N3/082 , G06N3/0495 , G06N3/0464
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公开(公告)号：CN112906889A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110234699.8
申请日：2021-03-03
Applicant: 中国科学院计算技术研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于压缩深度神经网络模型的方法和系统，该方法包括：S1、获取基线模型，所述基线模型是待压缩的深度神经网络模型；S2、对所述基线模型的至少部分卷积层中的多个卷积核分别基于其权重参数计算其有效性，确定无效的卷积核；S3、从所述基线模型中裁剪掉所确定的无效的卷积核；S4、对经裁剪后的模型进行微调或者重训练，得到压缩后的模型。本发明在对相应的卷积层进行剪枝的过程中，不用去分析该层的剪枝结果对灵敏度的影响，只关注最终的结果是否可以接受，因此本发明的方法更加简单，效率更高，尤其适合具有较多卷积层的深度卷积神经网络。
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公开(公告)号：CN114865448A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210552310.9
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器，属于半导体光电子领域。所述激光器包括：n型电极，GaAs衬底，n型布拉格反射镜，n‑间隔层，量子阱结构，p‑间隔层，p型布拉格反射镜，位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层，隔离层，p型电极，散热机构。本发明设置散热机构，散热机构制备在发光区内，或制备在发光区外，或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布，温差导致材料的折射率差发生变化，得到不同的波导效应，能够得到发散角更小的器件，同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中，刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题，也解决了大功率VCSEL的散热问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108092129A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711227121.X
申请日：2017-11-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02244
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器封装固定方式的夹具，其特征在于采用接触固定方式，避免细导线条焊接时移动，以致损坏激光器，该夹具由不锈钢的固定在夹热沉底座上的夹子组成。使用时把细导线条放于热沉上陶瓷片一侧用两侧的夹子夹住导线条的另一端即可。同时因为夹具是固定在夹热沉底座上的，所以非常牢固，不会在操作时向其它方向移动，并且导线条装卸过程非常容易。本发明提供的接触式固定式的夹具结构简单、安全可靠、加工成本低、使用寿命长，并且避免了焊接导线导线时因导线的晃动而致使电烙铁烫伤激光器。
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公开(公告)号：CN107681462A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710818871.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片自对准摆片，属于光电子技术领域，可应用于半导体发光器件芯片的摆放与对准。对准条沿硅片底座的表面纵向设置，在硅片底座上设置一系列相同的刻蚀槽，刻蚀槽沿硅片底座的表面横向设置；热沉摆放到硅片底座上，翻转板放置在热沉上。热沉的侧部边缘与放在刻蚀槽中的管芯侧部边缘对准。本发明结构更加简单、设计制作成本更加低廉低。整体器件简洁，无其他冗余的器件，整个装置的体积要远远小于常规的摆片夹具，这样整个器件就可以放置在氮气罩中操作，减少了腔面氧化现象，同时设备所用器件不含金属操作更加洁净。
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公开(公告)号：CN104300361A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410505751.9
申请日：2014-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种半导体激光器腔面镀膜陪片，属于半导体激光器工艺技术领域。当前国内外所使用的镀膜陪片都是按照正式片尺寸制作的，本发明所提出的半导体激光器腔面镀膜陪片为单面工字型，另一面仍保持与正式片一样的尺寸。本发明设计精巧，易于加工，实用简单，操作方便，降低了镀膜后因膜层粘连所带来的分离难度，并且减小了半导体激光器腔面薄膜的损伤度，提高了半导体激光器的可靠性。
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公开(公告)号：CN102545052B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN103545714A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310493175.6
申请日：2013-10-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法，该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面电极和背面电极。本发明提高了激光器COD阈值，从而使其在大功率输出时具有高可靠性；同时抑制半导体激光器光束的水平发散角，改善光束质量；使电流注入更集中，转化效率更高；此外，这种半导体激光器制作简单，便于生产。
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