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公开(公告)号：CN114883914A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210689649.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法，属于半导体光电子技术领域。许多光电器件的制备中都涉及对高铝组分的AlGaAs层的湿法氧化，如垂直腔面发射激光器。由于湿法氧化工艺变量多、对台面侧壁完整性要求较高等原因，常导致氧化形状不规则。本发明通过在常规湿法氧化工艺中增加湿法钝化工艺的方式，改善台面侧壁完整性，从而解决由于台面侧壁完整性差导致的氧化形状不规则的问题。
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公开(公告)号：CN114865448A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210552310.9
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器，属于半导体光电子领域。所述激光器包括：n型电极，GaAs衬底，n型布拉格反射镜，n‑间隔层，量子阱结构，p‑间隔层，p型布拉格反射镜，位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层，隔离层，p型电极，散热机构。本发明设置散热机构，散热机构制备在发光区内，或制备在发光区外，或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布，温差导致材料的折射率差发生变化，得到不同的波导效应，能够得到发散角更小的器件，同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中，刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题，也解决了大功率VCSEL的散热问题。
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公开(公告)号：CN115693399A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110838375.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本公开内容提供一种半导体激光器及其制作方法，所述激光器包括：一衬底；在衬底上形成的半导体结构，包括第一和第二分布布拉格反射镜、第一和第二包覆层以及有源层；以及在所述有源层上形成的第一限制层和/或在所述有源层下形成的第二限制层；所述限制层在所述有源层中限定出N个相邻的子发光区域，所述N个相邻的子发光区域形成一相干耦合发光单元,其中N为大于等于3的整数。本公开内容有助于实现如下效果之一：能解决电流扩展不均匀、获得相干耦合输出，改善光束质量，提供高度紧密排列和精确限定。
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公开(公告)号：CN114865448B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202210552310.9
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器，属于半导体光电子领域。所述激光器包括：n型电极，GaAs衬底，n型布拉格反射镜，n‑间隔层，量子阱结构，p‑间隔层，p型布拉格反射镜，位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层，隔离层，p型电极，散热机构。本发明设置散热机构，散热机构制备在发光区内，或制备在发光区外，或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布，温差导致材料的折射率差发生变化，得到不同的波导效应，能够得到发散角更小的器件，同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中，刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题，也解决了大功率VCSEL的散热问题。
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