公开(公告)号：CN114883914A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210689649.3

申请日：2022-06-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 崔碧峰 ,  冯靖宇 ,  陈芬 ,  陈中标 ,  郑祥瑞

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明涉及一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法，属于半导体光电子技术领域。许多光电器件的制备中都涉及对高铝组分的AlGaAs层的湿法氧化，如垂直腔面发射激光器。由于湿法氧化工艺变量多、对台面侧壁完整性要求较高等原因，常导致氧化形状不规则。本发明通过在常规湿法氧化工艺中增加湿法钝化工艺的方式，改善台面侧壁完整性，从而解决由于台面侧壁完整性差导致的氧化形状不规则的问题。

公开(公告)号：CN114865448A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210552310.9

申请日：2022-05-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 崔碧峰 ,  李彩芳 ,  冯靖宇 ,  王翔媛 ,  陈芬 ,  郑翔瑞 ,  陈中标

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/183

Abstract: 一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器，属于半导体光电子领域。所述激光器包括：n型电极，GaAs衬底，n型布拉格反射镜，n‑间隔层，量子阱结构，p‑间隔层，p型布拉格反射镜，位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层，隔离层，p型电极，散热机构。本发明设置散热机构，散热机构制备在发光区内，或制备在发光区外，或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布，温差导致材料的折射率差发生变化，得到不同的波导效应，能够得到发散角更小的器件，同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中，刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题，也解决了大功率VCSEL的散热问题。

公开(公告)号：CN114865448B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202210552310.9

申请日：2022-05-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 崔碧峰 ,  李彩芳 ,  冯靖宇 ,  王翔媛 ,  陈芬 ,  郑翔瑞 ,  陈中标

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/183

Abstract: 一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器，属于半导体光电子领域。所述激光器包括：n型电极，GaAs衬底，n型布拉格反射镜，n‑间隔层，量子阱结构，p‑间隔层，p型布拉格反射镜，位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层，隔离层，p型电极，散热机构。本发明设置散热机构，散热机构制备在发光区内，或制备在发光区外，或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布，温差导致材料的折射率差发生变化，得到不同的波导效应，能够得到发散角更小的器件，同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中，刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题，也解决了大功率VCSEL的散热问题。

公开(公告)号：CN118399196A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410337216.0

申请日：2024-03-22

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 崔碧峰 ,  陈中标 ,  郑翔瑞 ,  杨春鹏 ,  闫博昭

IPC: H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种基于补偿型刻蚀结构的氧化孔制备方法，该方法得到的器件台面结构非圆形，而是由多边形构成的补偿型刻蚀台面结构，该器件在N型GaAs衬底上生长出外延结构，器件的外延结构自衬底向上依次包括：N型金属电极、GaAs衬底、N型DBR反射层、有源层、氧化限制层、P型DBR反射层、P型金属电极、圆形沟槽、补偿型刻蚀台面结构。在湿法氧化作用下，基于补偿型刻蚀结构的垂直腔面发射激光器会形成三角形和菱形氧化孔。本发明得到的具有三角形和菱形氧化孔结构垂直腔面发射激光器的对高阶模具有良好的抑制作用，有助于器件频率特性和热特性的改善，进而提高光束质量。