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公开(公告)号：CN1305110C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410074342.4
申请日：2004-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 硅片低温直接键合方法，属半导体直接键合领域。现有技术处理过的硅片仍需450℃以上的热处理，而高温会改变硅片的杂质分布，热膨胀会带来应力，损伤硅片上的微细结构，有IC存在并有铝引线时，温度超过铝硅共晶点引起器件失效。本发明表面处理过程为：先将系统抽成真空，然后充入等离子前体对硅片进行处理：等离子前体为纯CF4气体或体积比为100∶1～1∶20的CF4与O2的混合气体，处理时间为5～20分钟，温度为20～300℃，电源功率密度控制在2.5～10W/Cm2。可使表面层原子处于高能量状态，提高表面层吸附的OH-的能力，对硅片进行抛光，提高硅片的表面质量，从而提高贴合的效果。在100～300℃的热处理温度下，获得较高的键合质量，减轻了对硅片上杂质分布及微细结构的影响。
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公开(公告)号：CN1111313C
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN99109641.X
申请日：1999-07-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737
Abstract: 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。
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公开(公告)号：CN1110877C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN99100395.0
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/32
Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器，属于半导体光电子技术领域，其特征是，采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构，通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光，广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。
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公开(公告)号：CN1226089A
公开(公告)日：1999-08-18
申请号：CN99100397.7
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法,属于半导体光电子技术领域,其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成,每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P+－N+隧道结。多级发光区通过各级间的隧道结为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而成倍地提高器件的量子效率和亮度。该发光二极管能提供高亮度半导体光源,用于光显示、交通信号灯、汽车头尾灯等领域。
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公开(公告)号：CN100388573C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510067963.4
申请日：2005-04-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于半导体激光器领域。包括以下步骤：半导体激光器在空气中解理成条后装入夹具后放入电子束蒸发真空室；离子预清洗，即在电子束蒸发的真空室中用能量小于100eV的低能大束流离子无损除去在空气中解理的腔面上的氧化物和杂质及其形成的表面态和界面态这些非辐射复合中心；前腔面(4)进行离子预清洗30秒到6分钟；用电子束蒸发方式在前腔面(4)蒸镀ZnSe或ZnS宽禁带低吸收材料作为钝化阻挡层(3)；前腔面(4)镀增透膜(1)；夹具翻面对后腔面(5)进行上述离子预清洗30秒到6分钟；电子束蒸发方式在后腔面(5)蒸镀ZnSe或ZnS；在后腔面(5)镀高反膜(2)。本发明钝化膜性能稳定，提高了可靠性，方法简单，适用于不同波长或结构的激光器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1825643A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610002059.X
申请日：2006-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明属于半导体领域。传统LED所带高反镜的为平面板式，侧壁的光不能被利用。本发明的二极管包括：P电极加厚电极(1)，金属高反镜(3)，P电极欧姆接触层(4)，P型半导体(5)，多量子阱有源区(6)，N电极加厚电极(7)，N电极欧姆接触层(8)，N型半导体(9)，衬底(10)；由P型半导体(5)，多量子阱有源区(6)，N型半导体(9)自上而下构成LED的台；出光面是衬底(10)；其特征是在LED侧壁上交替生长高低折射率材料形成多层介质高反膜(2)。本发明的制备方法特征在于，制备出金属高反镜后，在侧壁上制备多层介质高反膜(2)。本发明在做侧壁钝化保护的同时，一次生长多层介质高反膜，工艺简单，光输出至少提高20％。
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公开(公告)号：CN1822403A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610001061.5
申请日：2006-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光二极管表面钝化方法，适于多种波长的LED。现用在LED上的钝化层是SiO2和SiNx，不能很好改善LED光特性。本发明步骤：已经制备好N电极(5)和P电极(2)的LED样品放入到PECVD设备的腔室；N2预热：使用流量为400～1000sccm的N2预热5～20分钟；等离子体处理：等离子体的射频功率为10～30W，N2为400～1000sccm，启辉5至15分钟；在LED的出光面制备SiOxNy增透膜：通入硅烷，氮气，一氧化二氮的混合气或者硅烷，氨气，一氧化二氮混合气，使用高、低频源交替的方法用PECVD生长钝化层的光学厚度为LED发射波长四分之一的奇数倍，折射率为P型半导体3折射率的开方；光刻腐蚀去掉出光面电极上的SiOxNy。本发明的钝化膜黏附性好、致密度高、均匀性好，能极大提高LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN1271762C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410083958.8
申请日：2004-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 用于半导体激光器腔面镀膜的夹具及其装条装置，属于半导体激光器工艺技术领域。现有的夹具结构较为复杂，加工比较困难，而且装条极为麻烦很容易对腔面造成污染或损伤，夹持的薄板还容易对激光条造成机械损伤。本发明提供的用于半导体激光器腔面镀膜的夹具由三块平行凹形板(5)和一长方形薄板(8)及起固定和夹紧作用的方框组成。其装条装置，由竖直滑动机构和水平滑动机构及底座组成；竖直滑动机构和水平滑动机构其结构相同，均由滑动导轨和调节滑动的螺杆及滑块组成。本发明结构简单，操作方便，容易加工的夹具，并同时为其设计了便于装条的装条装置以使腔面免遭污染和损伤。
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公开(公告)号：CN1588618A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410074343.9
申请日：2004-09-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 带有悬空可动敏感结构的静电键合工艺，涉及半导体静电键合技术领域。现有技术在可动的结构对应的玻璃上淀积一层绝缘层，减少可动结构与玻璃衬底的“粘附”问题，无法消除静电力对可动结构的破坏作用。带有金属电极的玻璃置于恒温热台面上，有金属电极的一面在上；再将上述清洗好的硅片置于玻璃上；硅片上的悬空可动敏感结构与玻璃上的金属电极上下对准；硅片和玻璃上的金属电极接同一正极，两者电位相等，玻璃的下表面接负极，在超静环境中加热，加电压，将硅片上除悬空可动敏感结构部分以外的其余部分与玻璃键合在一起。本发明屏蔽了静电吸引力对可动结构的作用，解决了静电力对不需要键合的悬空可动微结构部分的破坏这个难题，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN1103498C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN99100398.5
申请日：1999-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种红外探测器包括有硅基衬底、充有特殊气体的密闭腔、覆盖于密闭腔上的透红外窗口薄膜及形变薄膜、及测量元件等。它利用特殊气体对某一波段红外线的较强吸收性，当该气体吸收该波段红外辐射后受热膨胀产生的压力作用于覆盖膜上时，覆盖膜产生形变导致与之相关的参量变化，通过测量该参量的变化来探测红外辐射。本发明能有效地在室温下检测某一波段的红外辐射，并具有成本低、体积小、灵敏度高等特点，广泛用于预警、空间技术、医学等领域。
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