公开(公告)号：CN1226759A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN99100395.0

申请日：1999-01-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  殷涛 ,  廉鹏 ,  陈建新 ,  邹德恕 ,  高国 ,  陈良惠 ,  王启明 ,  杜金玉 ,  韩金茹 ,  陈昌华

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/085

Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器,属于半导体光电子技术领域,其特征是,采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+－N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构,通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光,广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。

公开(公告)号：CN1110877C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN99100395.0

申请日：1999-01-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  殷涛 ,  廉鹏 ,  陈建新 ,  邹德恕 ,  高国 ,  陈良惠 ,  王启明 ,  杜金玉 ,  韩金茹 ,  陈昌华

IPC: H01S5/32

Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器，属于半导体光电子技术领域，其特征是，采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构，通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光，广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。

公开(公告)号：CN1226089A

公开(公告)日：1999-08-18

申请号：CN99100397.7

申请日：1999-01-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  高国 ,  陈昌华 ,  郭伟玲 ,  陈良惠 ,  马骁宇 ,  杜金玉 ,  周静 ,  邹德恕 ,  陈建新 ,  王学忠 ,  董欣

IPC: H01L33/00 ,  H01S3/18

Abstract: 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法,属于半导体光电子技术领域,其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成,每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P+－N+隧道结。多级发光区通过各级间的隧道结为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而成倍地提高器件的量子效率和亮度。该发光二极管能提供高亮度半导体光源,用于光显示、交通信号灯、汽车头尾灯等领域。

公开(公告)号：CN1079586C

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN99100397.7

申请日：1999-01-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  高国 ,  陈昌华 ,  郭伟玲 ,  陈良惠 ,  马骁宇 ,  杜金玉 ,  周静 ,  邹德恕 ,  陈建新 ,  王学忠 ,  董欣

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30

Abstract: 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法，属于半导体光电子技术领域，其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成，每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P+-N+隧道结。多级发光区通过各级间的隧道结为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而成倍地提高器件的量子效率和亮度。该发光二极管能提供高亮度半导体光源，用于光显示、交通信号灯、汽车头尾灯等领域。