公开(公告)号：CN105537774A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610110091.3

申请日：2016-02-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 吴世凯 ,  乔俊楠 ,  邹江林 ,  徐洁洁 ,  王启明

IPC: B23K26/362

Abstract: 本发明公开了一种基于飞秒激光刻蚀的氧化膜去除方法，应用于铝合金、镁合金等金属焊接前的表面氧化膜清理。该方法利用飞秒脉冲激光作为直接工具，通过扫描振镜实现脉冲序列在工件表面的横向或纵向逐行扫描。在超强超短飞秒脉冲激光的作用下，氧化膜瞬间汽化蒸发，并被表面形成的蒸汽流带动逸出或从表面脱附，实现氧化膜的高效、精确可控去除。或与工件直线运动相结合，可实现大幅面工件表面指定区域氧化膜的精准刻蚀去除，又有效避免了热效应对基材组织性能的影响，同时氧化膜清理干净、环境友好。该方法在铝、镁等轻金属熔化焊接的氧化膜清理具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN1226759A

公开(公告)日：1999-08-25

申请号：CN99100395.0

申请日：1999-01-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  殷涛 ,  廉鹏 ,  陈建新 ,  邹德恕 ,  高国 ,  陈良惠 ,  王启明 ,  杜金玉 ,  韩金茹 ,  陈昌华

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/085

Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器,属于半导体光电子技术领域,其特征是,采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+－N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构,通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道,从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光,广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。

公开(公告)号：CN1110877C

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN99100395.0

申请日：1999-01-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 沈光地 ,  殷涛 ,  廉鹏 ,  陈建新 ,  邹德恕 ,  高国 ,  陈良惠 ,  王启明 ,  杜金玉 ,  韩金茹 ,  陈昌华

IPC: H01S5/32

Abstract: 一种高效大功率大光腔半导体激光器，属于半导体光电子技术领域，其特征是，采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构，通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光，广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。