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公开(公告)号：CN118399196A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410337216.0
申请日：2024-03-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种基于补偿型刻蚀结构的氧化孔制备方法，该方法得到的器件台面结构非圆形，而是由多边形构成的补偿型刻蚀台面结构，该器件在N型GaAs衬底上生长出外延结构，器件的外延结构自衬底向上依次包括：N型金属电极、GaAs衬底、N型DBR反射层、有源层、氧化限制层、P型DBR反射层、P型金属电极、圆形沟槽、补偿型刻蚀台面结构。在湿法氧化作用下，基于补偿型刻蚀结构的垂直腔面发射激光器会形成三角形和菱形氧化孔。本发明得到的具有三角形和菱形氧化孔结构垂直腔面发射激光器的对高阶模具有良好的抑制作用，有助于器件频率特性和热特性的改善，进而提高光束质量。
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