Patent search ap:("北京工业大学") AND inv:"赵英顺" Page 1

1.

发明公开
一种质子注入VCSEL耦合阵列与微流通道结合芯片制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN114640021A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210174124.6

申请日：2022-02-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 解意洋 , 赵英顺 , 赵壮壮 , 潘冠中 , 徐晨

IPC: H01S5/183 , H01S5/20

Abstract: 本发明公开了一种质子注入VCSEL耦合阵列与微流通道结合芯片制备方法，本发明在两个VCSEL耦合阵列单元间设计微流通道，通过在微流通道注入不同折射率的液体使达到光束偏转的目的，通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在两个VCSEL耦合阵列单元间设计微流通道，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。

Patent Agency Ranking